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          測試LTE從哪里開始?

          作者: 時(shí)間:2017-02-06 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            表2:UE接收器測量指標(biāo)

            表2中的兩個(gè)測試用于驗(yàn)證接收性能。有了以上測量的組合,挑戰(zhàn)現(xiàn)在變成如何將它們應(yīng)用到幾乎無限多種可能的移動設(shè)備配置中。

            LTE測試計(jì)劃開發(fā)

            測試計(jì)劃開發(fā)有很多種方法,其中包括:尋找設(shè)計(jì)中可能的故障模式;采用標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的建議;集成電路制造商的建議;生產(chǎn)中類似設(shè)備過去的歷史。

            不幸的是,就LTE之類的新技術(shù)而言,可作為建立測試計(jì)劃基礎(chǔ)的經(jīng)驗(yàn)可能非常有限。各種器件制造商可能沒有披露設(shè)計(jì)內(nèi)部的詳細(xì)情況,而且對相對較新的設(shè)計(jì)而言,制造商本身也可能會經(jīng)驗(yàn)有限。

            因此,制造商經(jīng)常自行開發(fā)測試計(jì)劃,并且有可能退而采用標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的測試規(guī)范,將其作為基準(zhǔn)。

            表3代表了一個(gè)為LTE用戶設(shè)備發(fā)送器開發(fā)的測試計(jì)劃。雖然我們還想進(jìn)行另外幾項(xiàng)測試,再宣布被測設(shè)備(DUT)在生產(chǎn)測試方面“合格”,但是對于本討論來說,這個(gè)子集非常有用。

            表3的每一列從左至右代表一個(gè)測試配置,每種配置分別由每列頂部的參數(shù)指定。一般情況下,在討論測試配置時(shí),我們討論的是DUT所處的穩(wěn)態(tài),例如恒定調(diào)制率和恒定功率電平等。每列的下半部分表示要對每種配置進(jìn)行的測量。

            
            

            表3:源于3GPP的測試規(guī)范

            在表4中,我們將沿著這個(gè)測試計(jì)劃的開發(fā)一節(jié)一節(jié)地瀏覽。本案中的測試開發(fā)人員擁有豐富的LTE知識,對用于LTE的3GPP測試規(guī)范有很好的了解——他被認(rèn)為是測試其他技術(shù)移動設(shè)備的專家。

            表4:對源于3GPP的測試規(guī)范的討論

            請注意,該作者對所有測試都使用了-57dBm的RX功率電平。因?yàn)镽X功率與TX測量沒有直接聯(lián)系,所以不管它設(shè)在什么電平都沒有問題。

            注:一般假定該測試計(jì)劃將按照DUT的能力被一致地應(yīng)用到各種頻帶/信道上。3GPP建議采用每個(gè)頻帶的低、中和高信道對設(shè)備進(jìn)行測試。按照某些信道配額,這可能意味著只有單個(gè)信道得到測試。

            從測試覆蓋范圍的角度來說,該測試計(jì)劃的作者做了一項(xiàng)很好的工作:測試了DUT的性能邊界。他測試了最大和最小RB(資源塊)分配、最大和最小調(diào)制率以及最大和最小功率電平。他按照RB分配考察了整個(gè)信道的變化。該測試引自3GPP測試規(guī)范的建議,并與之完全相符。生產(chǎn)中的這種測試計(jì)劃不大可能漏掉很多問題(如果有的話)。

            讓我們在測試處理量的方面檢查一下這個(gè)測試計(jì)劃,因?yàn)槲覀兊哪繕?biāo)畢竟是盡可能快地有效測試DUT。當(dāng)您看這個(gè)計(jì)劃時(shí),有兩件事非常突出。表格非常稀疏,但配置數(shù)卻非常多。

            鑒于Iqxstream支持?jǐn)?shù)據(jù)捕獲與分析分離的方法,測試時(shí)間很大程度上由配置捕獲周期決定,而不是由每次捕獲計(jì)算的測量數(shù)決定。這就表明,針對處理量優(yōu)化的測試計(jì)劃要盡量減少配置數(shù),同時(shí)增加測量數(shù)。這更傾向于測量密度更大的更窄表格。

            讓我們同樣檢查一下測試工程師是如何選擇不同配置的。在上例中,測試完整考察了一組參數(shù),然后正交轉(zhuǎn)入下一組。測試1~3完整考察了RB偏移方面的變化,然后改變RB塊大小,再次考察了不同偏移的影響。在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中,這種控制對于追蹤設(shè)計(jì)中不合格變化的源頭來說至關(guān)重要,但是在制造測試環(huán)境中,這種正交性卻不太重要。

            簡單缺陷示例

            用一個(gè)簡單的示例來看一下模擬性能中的缺陷是如何發(fā)生的。假定后調(diào)制模擬濾波器發(fā)生頻偏,截止頻率侵入信道的上邊緣。其結(jié)果將是功率輸出將在信道的上邊緣處偏低。這個(gè)故障在頻帶上側(cè)的1RB測試和12RB測試中都會顯示出來,也就是測試配置3和8中的功率測量。故障在50RB塊的EVM平坦度測量中也可以顯示出來。



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