走近大陸晶圓代工龍頭 全面解讀中芯國(guó)際

　　中芯國(guó)際已經(jīng)構(gòu)建相對(duì)完整的代工制造平臺(tái)。從工藝技術(shù)角度看，中芯國(guó)際引入了8代工藝技術(shù)，分別是28nm、40nm、65/55nm先進(jìn)邏輯技術(shù);90nm、0.13/0.11μm、0.18μm、0.25μm、0.35μm成熟邏輯技術(shù)以及非揮發(fā)性存儲(chǔ)器、模擬/電源管理、LCD驅(qū)動(dòng)IC、CMOS微電子機(jī)械系統(tǒng)等產(chǎn)品線。特別是在28nm工藝上，中芯國(guó)際現(xiàn)在仍是中國(guó)大陸唯一能夠?yàn)榭蛻籼峁?8nm制程服務(wù)的純晶圓代工廠。此外，對(duì)于更先進(jìn)的14nm工藝制程，中芯國(guó)際也一直在持續(xù)開發(fā)。

　　2014到2015各工藝制程收入占比

　　成熟工藝，中芯國(guó)際的護(hù)城河

　　成熟制程制程是指90nm， 0.13/0.11μm， 0.18μm， 0.25μm， 0.35μm以及公司獨(dú)有的SPOCULL。2015Q1-2016Q2年期間，成熟邏輯技術(shù)業(yè)務(wù)收入占比55%以上，是公司主要業(yè)務(wù)來源，為公司業(yè)績(jī)提供了安全邊際。

　　成熟邏輯制程收入占比

　　現(xiàn)在的成熟邏輯技術(shù)包括了90nm， 0.13/0.11μm， 0.18μm， 0.25μm， 0.35μm，我們來看一下中芯在上面的布局。

　　1)90nm

　　中芯國(guó)際的300毫米晶圓廠已有多個(gè)90納米工藝的產(chǎn)品進(jìn)入大規(guī)模的生產(chǎn)，中芯國(guó)際擁有豐富的制程開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，可向全球客戶提供先進(jìn)的90納米技術(shù)。中芯90納米制程采用Low-k材質(zhì)的銅互連技術(shù)，生產(chǎn)高性能的元器件。

　　利用先進(jìn)的12英寸生產(chǎn)線進(jìn)行90納米工藝的生產(chǎn)能確保成本的優(yōu)化，為客戶未來技術(shù)的提升提供附加的資源。同時(shí)，中芯90納米技術(shù)可以滿足多種應(yīng)用產(chǎn)品如無線電話，數(shù)字電視，機(jī)頂盒，移動(dòng)電視，個(gè)人多媒體產(chǎn)品，無線網(wǎng)絡(luò)接入及個(gè)人計(jì)算機(jī)應(yīng)用芯片等對(duì)低能耗，卓越性能及高集成度的要求，此外，中芯國(guó)際的90納米技術(shù)可以為客戶量身定做，達(dá)到各種設(shè)計(jì)要求，包括高速，低耗，混合信號(hào)，射頻以及嵌入式和系統(tǒng)集成等方案。

　　在90納米技術(shù)上，中芯國(guó)際向客戶提供生產(chǎn)優(yōu)化的方案，以期竭盡所能地為客戶產(chǎn)品的性能的提升，良率的改善和可靠性的保證提供幫助。對(duì)于90納米相關(guān)的單元庫(kù)，IP及輸入/輸出接口等可通過中芯國(guó)際的合作伙伴獲得。

　　2)0.13/0.11μm

　　中芯國(guó)際的0.13微米制程采用全銅制程技術(shù)，從而在達(dá)到高性能設(shè)備的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)成本的優(yōu)化。中芯國(guó)際的0.13微米技術(shù)工藝使用8層金屬層寬度僅為80納米的門電路，能夠制作核心電壓為1.2V以及輸入/輸出電壓為2.5V或3.3V的組件。中芯國(guó)際的高速、低電壓和低漏電制程產(chǎn)品已在廣泛生產(chǎn)中。中芯國(guó)際通過標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)供應(yīng)伙伴，提供0.13微米的單元庫(kù)，內(nèi)存編譯器，輸入輸出接口和模擬IP。

　　0.13/0.11μm性能優(yōu)異。和0.15微米器件的制程技術(shù)相比，中芯國(guó)際的0.13微米工藝能使芯片面積縮小25%以上，性能提高約30%。與0.18微米制程技術(shù)比較，芯片面積更可縮小超過50%，而其性能也提高超過50%。

　　3)0.18μm

　　中芯的0.18微米為消費(fèi)性、通訊和計(jì)算機(jī)等多種產(chǎn)品應(yīng)用提供了在速度、功耗、密度及成本方面的最佳選擇。此外，它也在嵌入式內(nèi)存、混合信號(hào)及CMOS射頻電路等應(yīng)用方面為客戶提供靈活性的解決方案及模擬。此工藝采用1P6M(鋁)制程，特點(diǎn)是每平方毫米的多晶硅門電路集成度高達(dá)100，000門以及有1.8V、3.3V和5V三種不同電壓，供客戶選擇。中芯國(guó)際在0.18微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上可提供低成本、經(jīng)驗(yàn)證的智能卡、消費(fèi)電子產(chǎn)品以及其它廣泛的應(yīng)用類產(chǎn)品。

　　公司的 0.18微米工藝技術(shù)包括邏輯、混合信號(hào)/射頻、高壓、BCD、電可擦除只讀存儲(chǔ)器以及一次可編程技術(shù)等。這些技術(shù)均有廣泛的單元庫(kù)和智能模塊支持。目前0.18um工藝產(chǎn)品仍然是公司業(yè)務(wù)收入的主體來源。

　　0.18um工藝產(chǎn)品收入占比

　　4) 0.25μm

　　中芯國(guó)際的0.25微米技術(shù)能實(shí)現(xiàn)芯片的高性能和低功率，適用于高端圖形處理器、微處理器、通訊及計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)處理芯片。中芯國(guó)際同時(shí)提供0.25微米邏輯電路和3.3V和5V應(yīng)用的混合信號(hào)/CMOS射頻電路。

　　5)0.35μm

　　中芯提供成本優(yōu)化及通過驗(yàn)證的0.35微米工藝解決方案，可應(yīng)用于智能卡、消費(fèi)性產(chǎn)品以及其它多個(gè)領(lǐng)域。中芯國(guó)際的0.35微米制程技術(shù)包括邏輯電路，混合信號(hào)/CMOS射頻電路、高壓電路、BCD、 EEPROM和OTP芯片。這些技術(shù)均有廣泛的單元庫(kù)和智能模塊支持。

　　SPOCULL

　　SPOCULLTM是中芯國(guó)際的一種特殊工藝技術(shù)。SPOCULLTM中包括兩個(gè)工藝平臺(tái)： 95HV和95ULP。95HV主要是支持顯示驅(qū)動(dòng)芯片相關(guān)的應(yīng)用，而95ULP主要支持物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)方面的應(yīng)用。The SPOCULLTM技術(shù)提供了在8寸半導(dǎo)體代工技術(shù)中最高的器件庫(kù)密度和最小的SRAM。同時(shí)SPOCULLTM技術(shù)還具有極低的漏電流，低功耗和低寄生電容的優(yōu)秀的半導(dǎo)體晶體管特性。

　　SPOCULLTM工藝平臺(tái)和技術(shù)

　　另外，中芯國(guó)際還有65/55nm工藝，這種融合高性能低功耗、仍是主力工藝平臺(tái)。

　　中芯國(guó)際65納米/55納米邏輯技術(shù)具有高性能，節(jié)能的優(yōu)勢(shì)，并實(shí)現(xiàn)先進(jìn)技術(shù)成本的優(yōu)化及設(shè)計(jì)成功的可能性。65/55nm仍然是主力工藝平臺(tái)、2014-2015年收入占比均維持在24%。 65/55nm技術(shù)工藝元件選擇包含低漏電和超低功耗技術(shù)平臺(tái)。此兩種技術(shù)平臺(tái)都提供三種閾值電壓的元件以及輸入/輸出電壓為1.8V， 2.5V和 3.3V的元件，而形成一個(gè)彈性的制程設(shè)計(jì)平臺(tái)。此技術(shù)的設(shè)計(jì)規(guī)則、規(guī)格及SPICE模型已完備。55納米低漏電/超低功耗技術(shù)和65納米低漏電技術(shù)重要的單元庫(kù)已完備。

　　中芯國(guó)際65nm/55nm技術(shù)平臺(tái)進(jìn)展和規(guī)劃

　　中芯國(guó)際65納米/55納米射頻/物聯(lián)網(wǎng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合能夠支持無線局域網(wǎng)、全球定位系統(tǒng)、藍(lán)牙、近距離無線通訊和ZigBee有關(guān)的產(chǎn)品應(yīng)用。特別是已有的嵌入式閃存和射頻技術(shù)，使中芯國(guó)際55納米無線解決方案能很好的符合與物聯(lián)網(wǎng)有關(guān)的無線連接需求。

　　65nm/55nm無線連接知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合