格芯成都建廠 未來晶圓代工格局會怎么變化？

　　2017年2月10日，重磅消息從成都傳出迅速擴散至中國乃至世界，全球第二大晶圓代工廠格芯半導體股份有限公司(GlobalFoundries)在此宣布，正式啟動建設12英寸晶圓成都制造基地，推動實施成都集成電路生態(tài)圈行動計劃，投資規(guī)模累計超過100億美元，其中基礎設施是93億美元，其余為基礎設施和生態(tài)鏈的建設，力爭打造中國大陸單一邏輯產(chǎn)品產(chǎn)能最大的12寸工廠。

　　成都相關人士表示，格芯半導體成都項目的開工契合《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，填補了中國西南地區(qū)12英寸先進工藝晶圓生產(chǎn)項目的空白，將進一步壯大成都電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模，有效提升成都集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)，助推成都市打造全球知名集成電路產(chǎn)業(yè)基地，推動成都國家中心城市建設。

　　那么下面就跟隨筆者來一探格芯半導體布局成都的內(nèi)因。

　　代工版圖擴張計劃

　　2017 年2月9日全球第二大晶圓代工公司格芯半導體(GlobalFoundries)公布其全球晶圓代工制造業(yè)務版圖的擴張計劃，以滿足全球客戶對其專有尖端技術的迫切增長的需求。擴張計劃包括三部分，一是在美國和德國繼續(xù)投資其現(xiàn)有的先進晶圓制造廠，二是在新加坡擴充其成熟技術產(chǎn)品的產(chǎn)能，三是在中國成都設立全新晶圓制造工廠以積極發(fā)展中國市場。

　　格羅方徳是目前全球第二大晶圓代工提供商，為全球300余家客戶提供晶圓代工服務。目前在全球運營11座晶圓廠(5座8寸，6座12寸)，其中8寸晶圓廠有4座位于新加坡(原特許半導體)，1座位于美國(原IBM);12寸晶圓廠有2座位于新加坡(原特許半導體，其中一座是8寸升級而來)，2座位于美國(1座是原IBM)，2座12寸位于德國(原AMD的FAB 36和FAB 38，現(xiàn)統(tǒng)稱FAB1)，工藝節(jié)點從0.6?m～14nm。

　　圖1：格芯半導體擴產(chǎn)計劃

　　美國方面，格羅方徳計劃把在紐約Fab8晶圓廠的14nm FinFET工藝產(chǎn)能提升20%，并將于 2018 年初啟用一條全新的晶圓生產(chǎn)線。在過去八年期間，格羅方徳在美國的投入高達130億美元，并在此基礎上進一步開展本次擴張計劃。其中紐約工廠將繼續(xù)是格羅方徳在7nm工藝和極紫外(EUV)光刻等先進技術開發(fā)的核心，并計劃在2018年第二季開始7nm工藝生產(chǎn)。

　　德國方面，格芯半導體計劃在德累斯頓 Fab 1 晶圓廠增加 22FDX?工藝的生產(chǎn)，以滿足日新月異的物聯(lián)網(wǎng)、智能手機處理器、汽車電子和其他電池供電的無線連接應用的發(fā)展需求。預計至2020年，工廠整體產(chǎn)能將提升40%。作為FDX?技術研發(fā)的核心，目前工程師正在開展新一代12FDX?的技術研發(fā)，預計將于2018年第四季度或2019年第一季度開始投產(chǎn)。

　　新加坡方面，格羅方徳計劃將12英寸晶圓廠的40nm工藝產(chǎn)能提升35%，在8英寸生產(chǎn)線的現(xiàn)有基礎上進一步擴大0.18/0.13?m工藝的產(chǎn)能，同時將為業(yè)內(nèi)領先的RF-SOI技術投入全新產(chǎn)能。

　　中國方面，格芯半導體攜手成都市建立全新的合資晶圓制造廠。合作雙方計劃建設12英寸晶圓廠，不僅配合中國半導體市場的強勁增長趨勢，促進全球客戶對22FDX?先進工藝的額外需求。工廠將于2018 年第四季度首先投產(chǎn)成熟工藝產(chǎn)品，主要是0.18/0.13?m工藝，并計劃二期廠房于2019 年第四季度投產(chǎn)22FDX?的先進工藝產(chǎn)品。

　　格羅方徳首席執(zhí)行官Sanjay Jha表示：“為滿足全球客戶群的需求，我們將不斷在產(chǎn)能和技術上進行投資。從應用于無線互聯(lián)設備的世界頂級 RF-SOI 平臺，到占據(jù)科技前沿的 FD-SOI 和FinFET工藝路線圖，這些均見證了市場對于我們主流工藝和先進工藝技術的強勁需求。新投資將有助格芯半導體擴張現(xiàn)有的晶圓制造廠。通過此次在成都的合作計劃，我們將穩(wěn)固，并進一步加速在中國市場的發(fā)展?！?/p>

　　格芯半導體經(jīng)營現(xiàn)狀

　　格芯半導體的前身是超微半導體(AMD)的晶圓制造部門，2009年AMD將晶圓制造部門獨立，并和阿聯(lián)酋阿布扎比先進技術投資公司(ATIC)聯(lián)合投資成立專注晶圓代工的公司，公司成立之初，主要承擔超微半導體的處理器和圖形芯片的制造;2010年1月收購當時全球第三大晶圓代工服務提供商新加坡特許半導體(Chartered Semiconductor，CSM)，開始全方位提供晶圓代工制造服務;2012年3月，AMD出售所持有的股份，格芯半導體成為真正獨立的第三方晶圓代工公司;2015年7月完成收購IBM微電子部門的兩座晶圓制造廠，從而獲得了一系列RF、ASIC的差異化技術，加強了公司在增長型市場中的產(chǎn)品組合。

　　圖2：格芯半導體2010-2016年收入情況

　　也就是在2015年，格芯半導體超越聯(lián)電，爬上了全球晶圓代工公司二哥的位置。但對于格芯半導體來說，僅僅一個二哥的位置是遠遠不夠的。

　　事實上，自從2009年從AMD分拆出來之后，格芯半導體一直表現(xiàn)不佳，營收一直在成長，但每年凈利潤率始終是負數(shù)。2016年上半年更是跌入谷底，達到-54%。公司每年虧損額在十幾億美元。

　　由于格芯半導體是一家非公開上市公司，我們只能從其母公司的報表略窺一二，根據(jù)其母公司2016 年上半年度財務報表顯示，其半導體技術事業(yè)分部(主要是格芯半導體)凈虧損達 13.5 億美元。截止至 2016 年 6 月 30 日為止，格芯半導體的資產(chǎn)總額為 203 億美元，負債總額 43 億美元，其負債比約27%。

　　在成都當媒體問及虧損的時候，格芯半導體首席執(zhí)行官Sanjay Jha表示，這是在公司整體戰(zhàn)略的計劃之內(nèi)，并沒有任何意外的財務狀況。因為半導體代工廠需要巨大的投資，要不斷的進行工藝研發(fā)，才能持續(xù)產(chǎn)生差異化。比如說公司的雙路線圖策略，不單只是在14nm和7nm有巨大的研發(fā)，還啟動了FD-SOI工藝研發(fā)，來提供針對移動行業(yè)的需求。雙路線圖策略加大了研發(fā)投入，所以虧損在計劃中，外界不需要擔心。

　　因此格芯半導體要多種方式求變。

　　雙線發(fā)力，實施彎道超車計劃

　　目前半導體工藝已經(jīng)從2D晶體管轉(zhuǎn)向3D晶體管，英特爾、臺積電、三星電子以及格芯半導體都在做，誰能勝出，這個就要看各家的絕活了。

　　格芯半導體2014年與三星聯(lián)合生產(chǎn)14nm FinFET工藝，2015年推出14nm LPP FinFET，并獲得超微半導體的CPU/GPU的訂單，2016年9月與AMD修改晶圓供應協(xié)議，有效期間延長至5 年，一直到 2020 年為止，協(xié)議附帶條款確定兩公司將合作發(fā)展7 nm FinFET工藝。

　　2016年公司宣布進軍12nm工藝了，不過這次不是FinFET工藝，而是FD-SOI工藝。格芯半導體正在德國德累斯頓Fab 1晶圓廠推進12FDX工藝的研發(fā)，預計2019年上半年完成首批流片，并在當年投入量產(chǎn)。

　　大家都知道，格芯半導體除了擁有FinFET工藝，還擁有SOI工藝。SOI是當年超微半導體和IBM合作開發(fā)的，可以將工藝提高半代水平，其優(yōu)秀表現(xiàn)也是有目共睹的。雖然超微半導體進入32nm之后拋棄了SOI，不過獨立后的格芯半導體一直在進行SOI技術研發(fā)，并在2015年獲得了IBM的相關SOI技術，IBM的Power 8采用22nm SOI工藝制造的，最新的Power 9采用14nm FinFET SOI工藝制造的。