發(fā)展3D NAND閃存的意義

作者/ 迎九 《電子產(chǎn)品世界》編輯

摘要：“首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會(huì)”于2017年1月14日在上海召開，長江存儲(chǔ)集團(tuán)公司CEO楊士寧介紹了對(duì)存儲(chǔ)器市場的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)應(yīng)用及競爭格局

　　存儲(chǔ)器是具備可以儲(chǔ)存圖像數(shù)據(jù)或文字?jǐn)?shù)據(jù)、程序等信息，在必要時(shí)取出的功能的器件。從半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)的分類來看，目前DRAM和NAND閃存的總產(chǎn)值占全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的95%(圖1)。IBS數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)，未來十年NAND閃存的需求量還將持續(xù)增長10倍(圖2)，主要應(yīng)用在云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

　　2016年三星電子在DRAM和NAND閃存的市場份額同時(shí)占據(jù)第一位(圖3)，可見產(chǎn)品集中度越來越高。因此，存儲(chǔ)器市場亟需打破現(xiàn)狀。對(duì)于長江存儲(chǔ)來說，現(xiàn)在是一個(gè)“最好”的時(shí)間點(diǎn)，有一些海外企業(yè)找到長江存儲(chǔ)，希望與長江存儲(chǔ)合作，以便為市場帶來更多選擇。

為什么選擇3D NAND?

　　據(jù)統(tǒng)計(jì)，在全球存儲(chǔ)器市場中，55%的市場需求在中國。國家大基金的成立，使中國在資金和政策方面對(duì)技術(shù)和產(chǎn)能積累給予最大支持，同時(shí)在人才匯聚、國際合作的機(jī)遇和產(chǎn)業(yè)生態(tài)支持方面，中國正面臨最好的時(shí)期。國內(nèi)在主流IC領(lǐng)域已經(jīng)沒有什么更好的切入點(diǎn)，存儲(chǔ)器是機(jī)會(huì)。中國IC設(shè)計(jì)和制造快速崛起，但是在先進(jìn)IC的制造領(lǐng)域，中國市占率僅為5%～10%。因?yàn)镮C制造在中國是很困難的行業(yè)，研發(fā)投入巨大(如圖4)、快速發(fā)展的技術(shù)及市場變化、芯片無關(guān)稅/沒有成本優(yōu)勢是最大原因。

　　要想創(chuàng)業(yè)成功，找對(duì)人、砸對(duì)錢和做對(duì)事是三個(gè)必要條件。首先，要有實(shí)干精神，有胸懷和勇氣，更要有創(chuàng)業(yè)成功的經(jīng)驗(yàn)。其次，應(yīng)把更多投資放在先進(jìn)技術(shù)和有經(jīng)濟(jì)效益的領(lǐng)域，在中國大力發(fā)展集成電路時(shí)期，如何做好自主可控、持續(xù)發(fā)展非常重要。最后，在國際化的體制下，如何通過市場化的競爭，集結(jié)全國資源，聚集全球人才，通過自主研發(fā)與國際合作相結(jié)合，抓住每一個(gè)并購?fù)顿Y的機(jī)遇極為關(guān)鍵。長江存儲(chǔ)大規(guī)模投資建廠仿佛“陣地戰(zhàn)”，每個(gè)極為可能的并購機(jī)會(huì)將成為“運(yùn)動(dòng)戰(zhàn)”，做好“陣地戰(zhàn)”與“運(yùn)動(dòng)戰(zhàn)”相結(jié)合，才更有機(jī)會(huì)成功。

　　因而，從企業(yè)需求、外部機(jī)遇和市場動(dòng)力來看，3D NAND是長江存儲(chǔ)有機(jī)會(huì)成功突破的技術(shù)領(lǐng)域。3D NAND閃存在性能、容量、可靠性、成本等方面有全面性的優(yōu)勢，而堆棧層數(shù)也是3D NAND閃存一個(gè)重要指標(biāo)(圖5)。

怎樣去做3D NAND?

　　從NAND閃存市場和技術(shù)動(dòng)態(tài)來看，全球存儲(chǔ)器公司的3D NAND產(chǎn)品都在積極準(zhǔn)備中，2018年將會(huì)有更多64層3D NAND的產(chǎn)品量產(chǎn)上市。大家都有設(shè)備折舊的壓力，長江存儲(chǔ)并不擔(dān)心，只要全力解決技術(shù)問題即可。長江存儲(chǔ)的目標(biāo)是在折舊期內(nèi)實(shí)現(xiàn)盈利。在產(chǎn)品方面，目前3D NAND面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)還有很多，在工藝上會(huì)有很大改變，工藝和器件上也會(huì)遇到挑戰(zhàn)。長江存儲(chǔ)不會(huì)簡單地跟隨行業(yè)的腳步，將通過跳躍式發(fā)展，目標(biāo)在2019年實(shí)現(xiàn)與世界前沿差半代技術(shù)，2020年追趕上領(lǐng)先技術(shù)，與世界并行。

未來是否發(fā)展DRAM?

　　DRAM和NAND都應(yīng)該做，因?yàn)橐院蟮哪＝M有些是NAND+DRAM。但作為一門生意，DRAM有兩個(gè)增加的難度：一方面是競爭對(duì)手手里仍有大量折舊完的產(chǎn)能存在，2D NAND也是如此;另一方面，現(xiàn)階段DRAM市場的增長需求變得相對(duì)緩慢，很難實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)效益。所以現(xiàn)階段，長江存儲(chǔ)不會(huì)做沒有經(jīng)濟(jì)效益的產(chǎn)能擴(kuò)充，更會(huì)選擇機(jī)遇尋找并購，以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)DRAM產(chǎn)能的擴(kuò)充。目前，長江存儲(chǔ)的32層3D NAND產(chǎn)品進(jìn)展順利，電氣特性等各項(xiàng)指標(biāo)非常好。2019年工廠將實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿載，對(duì)公司來說壓力巨大。

參考文獻(xiàn)：

　　[1]王瑩.武漢新芯：定位存儲(chǔ)器制造，兩年后或推3D NAND.電子產(chǎn)品世界,2014(1):26

　　[2]郭祚榮.2016年全球DRAM市場與趨勢分析.電子產(chǎn)品世界,2016(8):3-5

　　[3]邢雁寧.中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場前景.電子產(chǎn)品世界,2016(7):4-7

　　[4]葉鐘靈.移動(dòng)產(chǎn)品牽引移動(dòng)存儲(chǔ)器.電子產(chǎn)品世界,2014(10):3-6

　　[5]王金旺.Micron：新閃存和高速解決方案助數(shù)據(jù)中心進(jìn)一步提速.電子產(chǎn)品世界,2016(6):84

本文來源于《電子產(chǎn)品世界》2017年第2期第6頁，歡迎您寫論文時(shí)引用，并注明出處。