今年三星電子將在半導體設施上投資125億美元

　　有預測稱，三星電子今年將在半導體設施上投資125億美元(約合14.5萬億韓元)。

　　據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)“IC洞察”7日透露，三星電子今年在半導體領域設施上的投資額將比去年增長11%，達到125億美元的規(guī)模。去年的設施投資額為113億美元(約合13.11萬億韓元)。

　　存儲器半導體和系統(tǒng)LSI的投資比重為8：2左右。三星電子正在京畿道平澤市興建世界最大規(guī)模的半導體生產(chǎn)線。一旦工廠竣工，將從今年中期開始存儲器半導體V nand flash的量產(chǎn)。電子業(yè)界認為，三星針對半導體市場看好的預測，擴大了投資的規(guī)模。隨著物聯(lián)網(wǎng)市場的擴大和高級數(shù)碼機器的上市，存儲器半導體的需求將大幅增加。

　　SK海力士公司今年將在設施上投資60億美元(約合6.96萬億韓元)。這是全球范圍內(nèi)第四大投資額，也比去年的51.8億美元(約合6.02萬億韓元)增加約14%。分析認為，繼去年下半年(7?12月)D-RAM市場恢復增長勢頭之后，該公司積極投入3D Nand市場，將繼續(xù)擴大投資規(guī)模。SK海力士公司首先在京畿道利川的下一代D-RAM生產(chǎn)線M14建立與無塵室相關(guān)的基礎設施上投入巨資。在發(fā)布1月份業(yè)績的記者會上，該公司曾宣布將擴大3D Nand flash 的生產(chǎn)能力。

　　預計半導體業(yè)界排名世界第一的因特爾公司，將在設施投資方面投入比去年增長25%的120億美元(約合13.92萬億韓元)。因特爾去年在設施上的投資額也比前年增長31%。因特爾從去年起實施了高強度的體質(zhì)改善工作，并致力于用于服務器的半導體等新領域。因特爾在半導體研發(fā)部門投入了127.5億美元，規(guī)模是三星電子(約28.8億美元)的四倍還要多。