KLA-Tencor為尖端集成電路器件技術(shù)推出全新量測(cè)系統(tǒng)

　　KLA-Tencor公司今天針對(duì)10納米以下(sub-10nm)集成電路(IC)器件的開發(fā)和批量生產(chǎn)推出四款創(chuàng)新的量測(cè)系統(tǒng)：Archer?600疊對(duì)量測(cè)系統(tǒng)，WaferSight? PWG2圖案晶片幾何特征測(cè)量系統(tǒng)，SpectraShape? 10K光學(xué)關(guān)鍵尺寸(CD)量測(cè)系統(tǒng)和SensArray? HighTemp 4mm即時(shí)溫度測(cè)量系統(tǒng)。 這四款新系統(tǒng)進(jìn)一步拓寬了KLA-Tencor的獨(dú)家5D圖案成像控制解決方案?應(yīng)用，提升了包括自對(duì)準(zhǔn)四重曝光(SAQP)和極紫外線(EUV)光刻在內(nèi)的先進(jìn)圖案成像技術(shù)。

　　“領(lǐng)先的器件制造商正面對(duì)著極為嚴(yán)苛的圖案成像規(guī)格?！?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/KLA-Tencor">KLA-Tencor首席營(yíng)銷官Oreste Donzella指出：“為了解決圖案成像的誤差，芯片制造商需要量化工藝變化，區(qū)分變化產(chǎn)生的原因并從根源解決問題。今天發(fā)布的全新量測(cè)系統(tǒng)可以為客戶提供關(guān)鍵的數(shù)據(jù)，幫助工程師落實(shí)光刻工藝中曝光機(jī)的具體校正，以及蝕刻、薄膜和其他工藝模塊中的工藝改進(jìn)。 我們推出了全新的疊對(duì)量測(cè)，圖案晶片幾何特征，光學(xué)關(guān)鍵尺寸和即時(shí)溫度測(cè)量等系統(tǒng)，這對(duì)于推動(dòng)193i多重曝光性能和早期EUV光刻基準(zhǔn)數(shù)據(jù)收集等方面都極為關(guān)鍵?！?/p>

　　Archer 600采用全新光學(xué)系統(tǒng)和新型測(cè)量圖形，延伸基于圖像的疊對(duì)誤差量測(cè)技術(shù)，幫助先進(jìn)的邏輯電路和內(nèi)存芯片制造商實(shí)現(xiàn)小于將3nm(sub-3nm)的疊對(duì)誤差。 創(chuàng)新的ProAIM?圖形技術(shù)可以容忍更大的工藝變化，提升量測(cè)圖形反應(yīng)的疊對(duì)誤差與器件本身疊對(duì)誤差的相關(guān)性，實(shí)現(xiàn)更精確的疊對(duì)誤差量測(cè)。 Archer 600的新型光學(xué)技術(shù)，包括亮度更高的光源和偏振模塊，能夠在不同的工藝層上(從薄光阻層到不透明阻擋層)提供更精確的疊對(duì)誤差反饋和控制。 隨著產(chǎn)能的提高，Archer 600可以增加疊對(duì)誤差的采樣，提升校準(zhǔn)曝光機(jī)以及識(shí)別產(chǎn)線工藝異常的能力。 Archer 600系統(tǒng)已經(jīng)由全球多個(gè)代工廠，邏輯電路和內(nèi)存廠商安裝運(yùn)行，用于測(cè)量最先進(jìn)的半導(dǎo)體器件。

　　WaferSight PWG2 提供有關(guān)晶片應(yīng)力和形狀均勻性的全面數(shù)據(jù)，在膜沉積、退火、蝕刻及其他工藝制程中被用于檢測(cè)和匹配工藝參數(shù)。隨著產(chǎn)能的顯著提升， WaferSight PWG2可以在生產(chǎn)中增加晶片取樣，協(xié)助芯片制造商識(shí)別和修復(fù)由工藝引起的晶片應(yīng)力變化，并消除隨之而來的圖案成像和良率問題。 WaferSight PWG2提供的晶片形狀數(shù)據(jù)還可以被前饋到曝光機(jī)，并用消除晶片應(yīng)力所引起的疊對(duì)誤差，這對(duì)于3D NAND快閃內(nèi)存器件的制造尤為重要，因?yàn)楹衲ざ询B技術(shù)可能造成晶片的變形。憑借業(yè)界獨(dú)特的垂直晶片支架，WaferSight PWG2可以同時(shí)測(cè)量晶片的前后表面，提供晶片平坦度和形貌數(shù)據(jù)，用以改進(jìn)曝光機(jī)對(duì)焦的預(yù)測(cè)和控制。多家技術(shù)先進(jìn)的IC制造商安裝了WaferSight PWG2系統(tǒng)，用于光刻控制的開發(fā)，以及在批量生產(chǎn)中優(yōu)化和檢測(cè)各種半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝。

　　SpectraShape 10K光學(xué)量測(cè)系統(tǒng)在蝕刻，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)和其他工藝步驟之后測(cè)量復(fù)雜IC器件結(jié)構(gòu)的CD和三維形狀。為了全面表征器件結(jié)構(gòu)，SpectraShape 10K采用了多項(xiàng)光學(xué)技術(shù)，包括橢圓測(cè)厚儀的全新偏振能力和多角入射，以及用于反射計(jì)的TruNI?照明新型高亮度光源。這些技術(shù)保證該系統(tǒng)可以精確地測(cè)量許多與FinFET和3D NAND器件相關(guān)的關(guān)鍵參數(shù)，例如CD、高度、SiGe形狀和通道孔弓形輪廓。 SpectraShape 10K具有比上一代產(chǎn)品更高的產(chǎn)能，這幫助客戶可以通過增加采樣實(shí)現(xiàn)更為嚴(yán)格的工藝控制，同時(shí)也可以滿足多重曝光技術(shù)所需的數(shù)目繁多的工藝檢測(cè)。 SpectraShape 10K深受晶片代工廠青睞，廣泛用于FinFET和多重曝光技術(shù)集成，此外，它們也在許多領(lǐng)先的存儲(chǔ)器廠商中被用于支持先進(jìn)的3D NAND制造。

　　通過即時(shí)測(cè)量，SensArray HighTemp 4mm無線晶片為先進(jìn)的薄膜工藝提供時(shí)間和空間溫度信息。與之前的產(chǎn)品相比，SensArray HighTemp 4mm具有更薄的晶片厚度，因此與更多類型的工藝設(shè)備相兼容，其中包括track，strip和物理氣相沉積(PVD)。在20 - 400°C的溫度范圍內(nèi)，SensArray HighTemp 4mm可以量測(cè)溫度變化對(duì)工藝窗口和成型表現(xiàn)的影響，從而實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化和設(shè)備驗(yàn)證。SensArray HighTemp 4mm晶片已被多個(gè)微處理器，DRAM和3D NAND的生產(chǎn)商用于薄膜工藝的調(diào)整和常規(guī)監(jiān)控。

　　Archer 600、WaferSight PWG2、SpectraShape 10K和SensArray HighTemp 4mm與KLA-Tencor的5D Analyzer?高級(jí)數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)相結(jié)合，支持實(shí)時(shí)工藝控制，并為工程監(jiān)控分析提供有力工具。為了保持IC制造所需的高性能和高產(chǎn)能，KLA-Tencor的全球綜合服務(wù)網(wǎng)絡(luò)為Archer 600，WaferSight PWG2，SpectraShape 10K和SensArray HighTemp 4mm系統(tǒng)提供后援支持。有關(guān)四款新系統(tǒng)的更多信息，請(qǐng)參見5D Patterning Control Solution 網(wǎng)頁。