后10nm時代已到來 7nm制程還會遠嗎？
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今年對于10nm來說是至關(guān)重要的一年，不過英特爾在年初發(fā)布的新處理器依舊采用14nm工藝，英特爾似乎也和臺積電、三星一樣陷入了良率不佳的問題。在不久前，臺積電就被曝出10nm工藝良率太低的問題，雖然臺積電隨后出面否認(rèn)，不過要真正將10nm推薦似乎還有不少的問題，不過可以肯定的是，今年10nm量產(chǎn)不會是太大的問題。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201703/345420.htm
三星Exynos處理器
近日，在上海舉辦的中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會(CSTIC)上，三星電子就展示了自己的半導(dǎo)體工藝路線圖，并提到了7nm、5nm工藝，三星在會上明確表示他們分別在2018年、2020年投入量產(chǎn)。三星和臺積電的10nm工藝均是主打高效能、低功耗的移動芯片產(chǎn)品，并不能勝任桌面級處理器的需求，不過三星的7nm工藝則會面向高性能芯片市場，包括CPU、GPU、AI、服務(wù)器、ADAS(先進駕駛輔助系統(tǒng))均可以使用。
集成電路板
在去年的14nm工藝上，AMD處理器代工廠格羅方德正是向三星購買了14nm FinFET工藝，并在今年年初發(fā)布的Ryzen處理器上大獲成功。三星7nm技術(shù)一旦成熟，AMD也刻意非常快的將制程工藝轉(zhuǎn)進到7nm，因為格羅方德已經(jīng)放棄了10nm工藝，直奔7nm而去。
半導(dǎo)體工藝結(jié)構(gòu)
三星表示，隨著半導(dǎo)體工藝走向后10nm時代，半導(dǎo)體制造商所面臨的制程挑戰(zhàn)會越來越嚴(yán)峻，尤其是如何保證足夠高的良品率。為此，三星特別提出了環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管(GAA FET)技術(shù)，該技術(shù)將用在三星7nm、5nm工藝上。另外，三星在今年將會投資8萬億韓元，用于加快10nm、7nm制程工藝的制造與研發(fā)。其中三星已經(jīng)向ASML訂購了8臺EUV極紫外光刻機，極紫外線光刻機的技術(shù)將要取得突破，一旦該技術(shù)成熟，三星就會立即使用。
英特爾
現(xiàn)在要討論7nm的量產(chǎn)其實為時過早，因為預(yù)計在今年第一度量產(chǎn)的三星和臺積電紛紛在良率上出現(xiàn)了問題，雖然官方已經(jīng)出面辟謠，不過行業(yè)供應(yīng)鏈上的消息也似乎在指向良率并不理想，亟待改善。相比三星，臺積電的壓力就要小很多，他們最大的客戶蘋果會在今年9月才發(fā)布新品，而高通驍龍835預(yù)計要再第二季度大量出貨。至于英特爾，這么多年無欲無求的他們自然不會太關(guān)心制程更新的問題，畢竟無敵也是一種寂寞。
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