三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產

　　三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產。

　　三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產線投資項目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。

　　新芯片廠主要用于生產高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應用于數(shù)碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。

　　市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲器龍頭，受惠于供給吃緊、平均報價(ASP)飆升，三星 NAND 快閃存儲器當季報價增加 5%、單位出貨量季增 11-15%，推升營收成長近兩成(19.5%)，市占率來到 37.1%。

　　東芝同期間 NAND 存儲器市占率達 18.3%，暫居第二。Western Digital 緊追在后，僅差東芝 0.6 個百分點。