2億美元 廈門聯(lián)芯28nm獲授權(quán)Q2量產(chǎn)

　　聯(lián)電昨日公告，獲準(zhǔn)技術(shù)授權(quán) 28 納米技術(shù)予廈門的十二吋合資晶圓廠——聯(lián)芯集成電路制造(廈門)有限公司，技術(shù)授權(quán)金額 2 億美元。

　　聯(lián)電表示，聯(lián)芯將盡快導(dǎo)入 28 納米制程，預(yù)計第二季度進入量產(chǎn)，將搶攻大陸手機芯片市場，預(yù)計至今年底月產(chǎn)能將擴增至 1.6 萬片規(guī)模。至于 2 億美元技術(shù)授權(quán)金，聯(lián)電指出，將依進度認(rèn)列，只因與聯(lián)芯為母子公司關(guān)系，對損益無影響，僅有現(xiàn)金收入。

　　今年2月，聯(lián)電自主研發(fā) 14 納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程技術(shù)成功進入客戶芯片量產(chǎn)。依照臺灣對大陸“N-1”的投資限制，這意味著廈門聯(lián)芯的晶圓制程可以推進至 28 納米，有機會贏得大陸日益增長的手機和網(wǎng)絡(luò)芯片代工市場。

　　自 2015 年 3 月動工以來，聯(lián)電廈門 12 寸廠僅用 20 個月便開始量產(chǎn)客戶產(chǎn)品，且采用此晶圓廠 40 納米制程的通訊芯片產(chǎn)品良率已逾 99%，月產(chǎn)能達到 1.1 萬片規(guī)模。聯(lián)電廈門 12 寸廠預(yù)計 2017 年產(chǎn)能增至 5 萬片，先期導(dǎo)入 40/55 納米制程，主攻大陸地區(qū)中低端手機芯片、面板驅(qū)動IC，以及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用相關(guān)的嵌入式快閃存儲器、嵌入非揮發(fā)性存儲器等。

　　聯(lián)電選擇在廈門設(shè)立晶圓廠，主要著眼于廈門地理位置鄰近臺灣，文化、語言和氣候都相當(dāng)類似，可獲得臺灣聯(lián)電總部的無縫支持等。此外，廈門具備健全完善的基礎(chǔ)建設(shè)，可提供豐富的工程人才資源與各項后勤支持。

　　聯(lián)華電子在大陸已有位于蘇州的和艦八吋晶圓廠，聯(lián)電目前與和艦共持有聯(lián)芯 50% 股權(quán)，聯(lián)芯的設(shè)立將可為全球客戶提供更完備的晶圓專工服務(wù)。