高啟全：長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主3D NAND、DRAM研發(fā)歡迎美光一起加入

　　臺(tái)灣DRAM教父高啟全轉(zhuǎn)戰(zhàn)大陸紫光集團(tuán)操盤(pán)存儲(chǔ)器大計(jì)劃超過(guò)1年，日前晉升長(zhǎng)江存儲(chǔ)的執(zhí)行董事、代行董事長(zhǎng)，接受DIGITIMES獨(dú)家專訪公開(kāi)未來(lái)規(guī)劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開(kāi)發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會(huì)在技術(shù)開(kāi)發(fā)具競(jìng)爭(zhēng)力后才開(kāi)始投產(chǎn)，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時(shí)間會(huì)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)有利!

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃存儲(chǔ)器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現(xiàn)階段長(zhǎng)江存儲(chǔ)的股權(quán)結(jié)構(gòu)是大基金占25%、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和湖北投資集團(tuán)占24%、紫光集團(tuán)占51%，高啟全從2月底成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的執(zhí)行董事、代行董事長(zhǎng)。

　　高啟全獨(dú)家在DIGITIMES公開(kāi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)在技術(shù)和量產(chǎn)的規(guī)劃，技術(shù)開(kāi)發(fā)大本營(yíng)在武漢，現(xiàn)已投入3D NAND研發(fā)，2017年底提供32層3D NAND的樣本，將是公司技術(shù)自主的里程碑，之后從事64層技術(shù)，待該技術(shù)成熟后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)才會(huì)投入3D NAND量產(chǎn)，屆時(shí)與三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)等國(guó)際大廠的技術(shù)差距會(huì)縮短至一代左右。

　　再者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也考慮自己開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù)，可能的切入點(diǎn)是18/20納米制程，無(wú)論是3D NAND或是DRAM，一定要自己掌握核心技術(shù)，不會(huì)再走過(guò)去臺(tái)灣技術(shù)授權(quán)的老路!

　　高啟全表示，無(wú)論是DRAM或3D NAND技術(shù)，最好的合作伙伴是美光，但現(xiàn)在政治氣氛不對(duì)，美國(guó)對(duì)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的積極度有被威脅之感，因此洽談的時(shí)間會(huì)再延長(zhǎng)，但美光1年來(lái)全球DRAM市占率從28%掉到18%，不快加入長(zhǎng)江存儲(chǔ)的陣營(yíng)一起奮斗，未來(lái)只會(huì)更辛苦。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)分為武漢和南京12吋廠兩大據(jù)點(diǎn)，各自單月產(chǎn)能都是30萬(wàn)片規(guī)劃，外界對(duì)于這樣的產(chǎn)能規(guī)模，以及何時(shí)量產(chǎn)都有很多疑問(wèn)，他強(qiáng)調(diào)，12吋廠規(guī)劃不會(huì)是虛晃一招，但技術(shù)沒(méi)成熟前也絕對(duì)不會(huì)冒然投產(chǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器規(guī)劃是有計(jì)劃、慢慢做，千秋大業(yè)是急不得，我們也不會(huì)去打亂市場(chǎng)的行情。

　　高啟全指出，這樣的12吋產(chǎn)能規(guī)模將會(huì)成為對(duì)抗三星電子(Samsung Electroncis)的充裕子彈和最佳利器，歡迎美光加入，現(xiàn)在南韓控制全球DRAM市占高達(dá)80%、NAND Flash高達(dá)60%，不出幾年的時(shí)間，南韓就會(huì)掌握全球90%的存儲(chǔ)器晶片，這是全世界都該害怕的事情，三星是全球科技業(yè)的威脅。

　　他進(jìn)一步表示，一定要有人扮演在全球平衡三星的勢(shì)力，對(duì)臺(tái)灣亦有利，以大陸有計(jì)劃的布局可扮演此角色，且只有大陸才有這個(gè)資源投入，長(zhǎng)江存儲(chǔ)就是基于這個(gè)出發(fā)點(diǎn)而誕生，也是大基金唯一真正投資的存儲(chǔ)器陣營(yíng)。

　　他分析，大陸每年進(jìn)口的 芯片金額高達(dá)2,500億美元，當(dāng)中以存儲(chǔ)器芯片為大宗，但自己制造的主流DRAM和NAND Flash芯片卻是零，大陸有半導(dǎo)體政策要做、出錢(qián)出力、給時(shí)間讓技術(shù)落地生根，大家應(yīng)該更正面去看長(zhǎng)江存儲(chǔ)的規(guī)劃和發(fā)展。

　　他強(qiáng)調(diào)，3D NAND和DRAM技術(shù)絕對(duì)在大陸自主開(kāi)發(fā)，技術(shù)不成熟時(shí)不會(huì)冒然投產(chǎn)，另外，我們不會(huì)再走回過(guò)去臺(tái)灣技術(shù)授權(quán)的失敗老路，發(fā)展自有技術(shù)同時(shí)，侵犯別人專利會(huì)付錢(qián)，且長(zhǎng)存已累積多個(gè)3D NAND專利，別人用到也要付費(fèi)，唯有合法來(lái)源取得技術(shù)，持續(xù)前進(jìn)，才能吸引到全球人才，打造國(guó)際級(jí)的規(guī)格。