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          海力士發(fā)布72層256G 3D閃存芯片 適合未來iPhone
          
						
          
				作者：
				時間：2017-04-11
				來源：MacX
				
				
				
				
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            編者按：存儲時代的到來
          
            
          
			
			
          
				
				
			
          
                
			
          　　蘋果供應商海力士(SK Hynix)今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201704/346433.htm
          20170410000593_0.jpg

          　　海力士自從2016年11月開始生產(chǎn) 48 層 256Gb 3D NAND 芯片。之前的 36 層 128Gb 3D NAND 芯片在2016年4月開始生產(chǎn)。因為層數(shù)更多，利用現(xiàn)有的生產(chǎn)線，產(chǎn)能可以提升 30%。海力士將在今年下半年開始量產(chǎn)。
          　　iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 配備的 NAND 閃存供應商來自東芝和海力士。一些 iPhone 7 采用東芝 48 層 3D BiCS NAND 芯片，這種芯片之前從未出現(xiàn)在其他商業(yè)產(chǎn)品中。其他 iPhone 7 型號采用海力士閃存芯片。
          　　32GB iPhone 7 比 128 GB 型號更慢，前者的數(shù)據(jù)讀取速度為 656 Mbps，后者為 856Mbps。東芝和海力士的內(nèi)存芯片采用 15納米工藝打造
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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