功率半導(dǎo)體：自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升

　　與市場(chǎng)的不同的觀點(diǎn):傳統(tǒng)觀點(diǎn)認(rèn)為功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)格局固定,技術(shù)升級(jí)步伐相對(duì)緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語(yǔ),中泰電子認(rèn)為隨著新能源車(chē)和高端工控對(duì)新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導(dǎo)體的重要性被長(zhǎng)期低估,我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術(shù)落后、品類(lèi)不全等諸多不足,適逢我國(guó)半導(dǎo)體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大行業(yè)小公司產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀給予充足的發(fā)展空間,內(nèi)生發(fā)展和外延并購(gòu)預(yù)期充足,預(yù)計(jì)產(chǎn)業(yè)有望進(jìn)入高速發(fā)展期。

　　全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌,行業(yè)整合步伐加速。作為電力控制/節(jié)能減排核心半導(dǎo)體器件,功率半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于從家電、消費(fèi)電子到新能源汽車(chē)、軍工軌交、智能電網(wǎng)等諸多領(lǐng)域。順全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)洗牌大勢(shì),近年來(lái)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整合步伐急速提升。建廣資本27.5億美元收購(gòu)NXP標(biāo)準(zhǔn)部門(mén)完成交割,力圖填補(bǔ)國(guó)內(nèi)汽車(chē)、工業(yè)功率IC領(lǐng)域空白;美國(guó)政府管控趨嚴(yán),Infineon收購(gòu)Wolfspeed被迫終止。功率半導(dǎo)體已成為當(dāng)前半導(dǎo)體領(lǐng)域最受資本追逐的熱門(mén)產(chǎn)業(yè)之一。

　　新能源全產(chǎn)業(yè)鏈勢(shì)頭正旺,IGBT等高端器件迎來(lái)需求爆發(fā)期。功率器件約占新能源汽車(chē)整車(chē)價(jià)值量的價(jià)值量10%,Mosfet、IGBT等功率模塊亦是充電樁/站等設(shè)備核心電能轉(zhuǎn)換器件。中國(guó)已成為全球第一新能源汽車(chē)市場(chǎng),同時(shí)光伏/智能電網(wǎng)/充電樁等全產(chǎn)業(yè)鏈將持續(xù)拉動(dòng)各類(lèi)型功率器件市場(chǎng);僅IGBT這一高端器件來(lái)看,預(yù)計(jì)2020年國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將超200億元,年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)15%,國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。此外,薄膜電容作為IGBT應(yīng)用之必不可少配套元器件,隨新能源汽車(chē)市場(chǎng)趨熱需求大漲,高端薄膜電容產(chǎn)品單體價(jià)值量/毛利水平高穩(wěn)步提升。

　　積極布局SiC等第三代器件,借力政策優(yōu)勢(shì)力爭(zhēng)彎道超車(chē)。Si基器件面臨物性瓶頸,SiC/GaN寬禁帶材料性能優(yōu)異,未來(lái)有望逐步成為市場(chǎng)主流器件類(lèi)型。國(guó)內(nèi)廠商第三代寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目穩(wěn)步推進(jìn),目前已成功研制出SiC肖特基二極管、氮化硅鈍化GPP芯片等新型產(chǎn)品,受益于國(guó)內(nèi)政策紅利及自主替代必然趨勢(shì),未來(lái)有望批量生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)高端進(jìn)口替代。