功率半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入功率半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
德州儀器日本會(huì)津工廠開始生產(chǎn)GaN芯片，自有產(chǎn)能將提升四倍
- 自德州儀器官網(wǎng)獲悉，日前，德州儀器公司（TI）宣布已開始在日本會(huì)津工廠生產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體。隨著會(huì)津工廠的投產(chǎn)，結(jié)合其在德克薩斯州達(dá)拉斯的現(xiàn)有GaN制造能力，德州儀器的內(nèi)部GaN基功率半導(dǎo)體制造能力將翻四倍。德州儀器技術(shù)與制造高級(jí)副總裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片設(shè)計(jì)和制造方面擁有十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)后，TI成功地將200mm GaN技術(shù)（這是目前制造GaN的最具可擴(kuò)展性和成本競(jìng)爭(zhēng)力的方法）應(yīng)用于會(huì)津工廠的量產(chǎn)。這一里程碑使德州儀器能夠在內(nèi)部制造更多的Ga
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是德科技推出適用于功率半導(dǎo)體的3kV高壓晶圓測(cè)試系統(tǒng)
- ●? ?通過高壓開關(guān)矩陣實(shí)現(xiàn)一次性測(cè)試，進(jìn)而提高生產(chǎn)效率●? ?該系統(tǒng)旨在提高操作人員與設(shè)備的安全性；同時(shí)確保符合相關(guān)法規(guī)要求是德科技推出適用于功率半導(dǎo)體的?3kV高壓晶圓測(cè)試系統(tǒng)是德科技（Keysight Technologies, Inc.）近日推出全新的?4881HV?高壓晶圓測(cè)試系統(tǒng)，進(jìn)一步擴(kuò)展了其半導(dǎo)體測(cè)試產(chǎn)品組合。該解決方案通過在一次性測(cè)試中高效完成高達(dá)3kV的高低壓參數(shù)測(cè)試，從而顯著提升了功率半導(dǎo)體制造商的生產(chǎn)效率。傳統(tǒng)上
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三星加碼氮化鎵功率半導(dǎo)體
- 根據(jù)韓媒報(bào)道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)備。GaN是下一代功率半導(dǎo)體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率?；谶@些優(yōu)勢(shì)，IT、電信和汽車等行業(yè)對(duì)其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導(dǎo)體行業(yè)的增長潛力，并一直在推動(dòng)其進(jìn)入市場(chǎng)。去年6月，在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心和汽車領(lǐng)域推出8英寸GaN功率半導(dǎo)體代工服務(wù)?！备鶕?jù)這一戰(zhàn)略，三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
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安森美選址捷克共和國打造端到端碳化硅生產(chǎn)，供應(yīng)先進(jìn)功率半導(dǎo)體
- ●? ?安森美 (onsemi) 將實(shí)施高達(dá) 20 億美元的多年投資計(jì)劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進(jìn)功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當(dāng)?shù)貛硐冗M(jìn)的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場(chǎng)對(duì)清潔、高能效半導(dǎo)體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵(lì)方案，以支持投資計(jì)劃落實(shí)●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業(yè)投資項(xiàng)目之一，屬于對(duì)中歐先進(jìn)半導(dǎo)
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功率半導(dǎo)體市場(chǎng)起飛！
- 近期，市場(chǎng)各方消息顯示，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)逐漸開啟新一輪景氣上行周期，新潔能、揚(yáng)杰科技、臺(tái)基股份等多家功率半導(dǎo)體公司股價(jià)紛紛上漲，包括華潤微、揚(yáng)杰科技、華虹半導(dǎo)體等在內(nèi)的企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿載，部分高性能功率器件已率先開啟漲價(jià)潮。在此市場(chǎng)景氣上行之際，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)也將迎來新一輪放量周期，近期士蘭微投資120億元的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線正式開工，除此之外，包括芯聯(lián)集成、捷捷微電、芯粵能多家企業(yè)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目也在上半年有最新動(dòng)態(tài)。多家企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿載從市場(chǎng)需求端看，消費(fèi)電子行業(yè)從去年末開始緩慢
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一文搞懂IGBT
- 01IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；（因?yàn)閂be=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。（因?yàn)镸OS管有Rds，如果Ids比較大，就會(huì)導(dǎo)致Vds很大）IGBT綜合了以上兩種器件的
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件
- 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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加速低碳化躍遷，智能功率模塊如何讓熱泵更智能？
- 隨著企業(yè)向低碳未來邁進(jìn)，市場(chǎng)越來越需要更高效的功率半導(dǎo)體。開發(fā)功率半導(dǎo)體解決方案的關(guān)鍵目標(biāo)在于，盡量降低系統(tǒng)總成本和縮小尺寸，同時(shí)提高效率。于是，智能功率模塊 (IPM) 應(yīng)運(yùn)而生，并成為熱泵市場(chǎng)備受矚目的解決方案。這種模塊結(jié)構(gòu)緊湊、高度集成，具有高功率密度以及先進(jìn)的控制與監(jiān)測(cè)功能，非常適合熱泵應(yīng)用。熱泵的重要性根據(jù)歐盟統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)，在歐盟消耗的所有能源中，約 50% 用于供暖和制冷，而且超過 70% 仍然來自化石燃料（主要是天然氣）。在住宅領(lǐng)域，約 80% 的最終能源消耗用于室內(nèi)和熱水供暖。熱泵（圖
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英飛凌為麥田能源提供功率半導(dǎo)體，助力提升儲(chǔ)能應(yīng)用效率
- 英飛凌科技股份公司為快速成長的綠色能源行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)制造商——麥田能源提供功率半導(dǎo)體器件，共同推動(dòng)綠色能源發(fā)展。英飛凌將為麥田能源提供?CoolSiCTM?MOSFET 1200 V功率半導(dǎo)體器件，?配合EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器用于工業(yè)儲(chǔ)能應(yīng)用。?同時(shí)，麥田能源的組串式光伏逆變器將使用英飛凌的?IGBT7 H7 1200 V功率半導(dǎo)體器件。全球光儲(chǔ)系統(tǒng)（PV-ES）市場(chǎng)近年來高速增長。光儲(chǔ)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加速，提高功率密度成為制勝關(guān)鍵；儲(chǔ)能應(yīng)
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三菱電機(jī)投資氧化鎵功率半導(dǎo)體
- 3月26日，在三菱電機(jī)舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會(huì)議上，三菱電機(jī)宣布將對(duì)有望成為下一代半導(dǎo)體的氧化鎵（Ga2O3）進(jìn)行投資研發(fā)。與主要用于電動(dòng)汽車（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體相比，三菱電機(jī)稱這一布局是“為擴(kuò)大更高電壓的市場(chǎng)”。三菱電機(jī)表示，2024年~2030年，公司將投入約9000億日元（折合人民幣約430億元）用于碳化硅、氧化鎵等下一代功率半導(dǎo)體、材料和產(chǎn)品的回收利用、可再生能源等綠色領(lǐng)域的研發(fā)。據(jù)了解，2023年7月，該公司宣布已投資Novel Crystal Technology（N
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廠商“瘋狂”發(fā)力碳化硅
- 3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據(jù)其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示，工廠已開始安裝長晶設(shè)備，預(yù)估今年12月份或者明年1月，這座工廠將會(huì)有產(chǎn)出。該工廠將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求
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Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠封頂
- 2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來自公共部門和私營機(jī)構(gòu)的支持，將助力從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，提升對(duì)于能源轉(zhuǎn)型至關(guān)重要的材料的供應(yīng)。該中心占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的
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基礎(chǔ)知識(shí)之IGBT
- 什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類為功率半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。 根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度，BIPOLAR適用于中速開關(guān)，MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。IGBT是輸入部為MOSFET結(jié)構(gòu)、輸出部為BIPOLAR結(jié)構(gòu)的元器件，通過
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國創(chuàng)中心車規(guī)功率半導(dǎo)體測(cè)試實(shí)驗(yàn)室在北京亦莊啟用
- 據(jù)國創(chuàng)中心公眾號(hào)消息，近日，國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心車規(guī)功率半導(dǎo)體測(cè)試實(shí)驗(yàn)室正式投入運(yùn)營，為汽車半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)步和質(zhì)量提升提供支撐。由于車規(guī)功率半導(dǎo)體具有高可靠性、高效率、高功率密度、快速開關(guān)能力、耐高溫特性等特點(diǎn)，因此需要通過嚴(yán)格的質(zhì)量認(rèn)證和測(cè)試來確保其質(zhì)量和可靠性。據(jù)悉，目前，該實(shí)驗(yàn)室測(cè)試能力已涵蓋AECQ101、AQG324等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，并持續(xù)完善車規(guī)級(jí)碳化硅（SiC）、板級(jí)及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試，確保滿足最嚴(yán)苛的汽車電子質(zhì)量要求。其中，面向行業(yè)研究熱點(diǎn)之一的SiC，該實(shí)驗(yàn)室能對(duì)Si基和SiC基的DIODE、
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漲價(jià)函紛飛，功率半導(dǎo)體乘勢(shì)而起？
- 2019至2022年間新能源汽車、光伏、半導(dǎo)體等下游需求持續(xù)旺盛，全球范圍內(nèi)晶圓產(chǎn)能不足，功率半導(dǎo)體行業(yè)供不應(yīng)求，曾出現(xiàn)多次漲價(jià)，其中IGBT、SiC MOSFET等十分緊俏。自2022年以來，全球范圍內(nèi)產(chǎn)能逐步釋放，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)行情回落，從二三極管、晶體管、中低壓 MOS到高壓MOS都出現(xiàn)供需反轉(zhuǎn)并大幅降價(jià)；加之消費(fèi)電子市場(chǎng)疲軟大背景下，庫存去化成為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)近兩年主旋律。然而，自2023年12月至今年1月，媒體報(bào)道包括捷捷微電、三聯(lián)盛、藍(lán)彩電子、揚(yáng)州晶新、深微公司在內(nèi)的五家本土功率半導(dǎo)體
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功率半導(dǎo)體介紹
《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]
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