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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導體

          三星加碼氮化鎵功率半導體

          • 根據(jù)韓媒報道,9月2日,三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導體的設備。GaN是下一代功率半導體材料,具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率。基于這些優(yōu)勢,IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導體行業(yè)的增長潛力,并一直在推動其進入市場。去年6月,在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上,該公司正式宣布:“我們將在2025年為消費電子、數(shù)據(jù)中心和汽車領域推出8英寸GaN功率半導體代工服務?!备鶕?jù)這一戰(zhàn)略,三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
          • 關鍵字: 三星  氮化鎵  功率半導體  

          安森美選址捷克共和國打造端到端碳化硅生產(chǎn),供應先進功率半導體

          • ●? ?安森美 (onsemi) 將實施高達 20 億美元的多年投資計劃,鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進功率半導體供應鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當?shù)貛硐冗M的封裝能力,使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵方案,以支持投資計劃落實●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業(yè)投資項目之一,屬于對中歐先進半導
          • 關鍵字: 安森美  碳化硅  功率半導體  

          功率半導體市場起飛!

          • 近期,市場各方消息顯示,功率半導體市場逐漸開啟新一輪景氣上行周期,新潔能、揚杰科技、臺基股份等多家功率半導體公司股價紛紛上漲,包括華潤微、揚杰科技、華虹半導體等在內(nèi)的企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿載,部分高性能功率器件已率先開啟漲價潮。在此市場景氣上行之際,功率半導體市場也將迎來新一輪放量周期,近期士蘭微投資120億元的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線正式開工,除此之外,包括芯聯(lián)集成、捷捷微電、芯粵能多家企業(yè)功率半導體項目也在上半年有最新動態(tài)。多家企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿載從市場需求端看,消費電子行業(yè)從去年末開始緩慢
          • 關鍵字: 功率半導體  

          一文搞懂IGBT

          • 01IGBT是什么?IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;(因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN結材料和厚度有關))MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。(因為MOS管有Rds,如果Ids比較大,就會導致Vds很大)IGBT綜合了以上兩種器件的
          • 關鍵字: IGBT  功率半導體  

          Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

          • 近日,Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵(GaN)器件(SiP),與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起,組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了偉詮電子的高頻多模(準諧振/谷底開關)反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件(WT7162RHUG24A)相同,兩
          • 關鍵字: 功率半導體  氮化鎵  GaN  

          加速低碳化躍遷,智能功率模塊如何讓熱泵更智能?

          • 隨著企業(yè)向低碳未來邁進,市場越來越需要更高效的功率半導體。開發(fā)功率半導體解決方案的關鍵目標在于,盡量降低系統(tǒng)總成本和縮小尺寸,同時提高效率。于是,智能功率模塊 (IPM) 應運而生,并成為熱泵市場備受矚目的解決方案。這種模塊結構緊湊、高度集成,具有高功率密度以及先進的控制與監(jiān)測功能,非常適合熱泵應用。熱泵的重要性根據(jù)歐盟統(tǒng)計局數(shù)據(jù),在歐盟消耗的所有能源中,約 50% 用于供暖和制冷,而且超過 70% 仍然來自化石燃料(主要是天然氣)。在住宅領域,約 80% 的最終能源消耗用于室內(nèi)和熱水供暖。熱泵(圖
          • 關鍵字: 熱泵  功率半導體  智能功率模塊  IPM  

          英飛凌為麥田能源提供功率半導體,助力提升儲能應用效率

          • 英飛凌科技股份公司為快速成長的綠色能源行業(yè)領導者、逆變器及儲能系統(tǒng)制造商——麥田能源提供功率半導體器件,共同推動綠色能源發(fā)展。英飛凌將為麥田能源提供?CoolSiCTM?MOSFET 1200 V功率半導體器件,?配合EiceDRIVER?柵極驅動器用于工業(yè)儲能應用。?同時,麥田能源的組串式光伏逆變器將使用英飛凌的?IGBT7 H7 1200 V功率半導體器件。全球光儲系統(tǒng)(PV-ES)市場近年來高速增長。光儲市場競爭加速,提高功率密度成為制勝關鍵;儲能應
          • 關鍵字: 英飛凌  麥田能源  功率半導體  儲能  

          三菱電機投資氧化鎵功率半導體

          • 3月26日,在三菱電機舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會議上,三菱電機宣布將對有望成為下一代半導體的氧化鎵(Ga2O3)進行投資研發(fā)。與主要用于電動汽車(xEV)的碳化硅(SiC)功率半導體相比,三菱電機稱這一布局是“為擴大更高電壓的市場”。三菱電機表示,2024年~2030年,公司將投入約9000億日元(折合人民幣約430億元)用于碳化硅、氧化鎵等下一代功率半導體、材料和產(chǎn)品的回收利用、可再生能源等綠色領域的研發(fā)。據(jù)了解,2023年7月,該公司宣布已投資Novel Crystal Technology(N
          • 關鍵字: 功率半導體  氧化鎵  

          廠商“瘋狂”發(fā)力碳化硅

          • 3月27日,Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據(jù)其介紹,“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元,占地445英畝,一期建設預計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示,工廠已開始安裝長晶設備,預估今年12月份或者明年1月,這座工廠將會有產(chǎn)出。該工廠將主要制造200mm(8英寸)碳化硅晶圓,尺寸是150mm(6英寸)晶圓的1.7倍,滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的需求
          • 關鍵字: 功率半導體  碳化硅  

          Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠封頂

          • 2024年3月27日,Wolfspeed宣布,其在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)官方介紹,“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元,獲得了來自公共部門和私營機構的支持,將助力從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉型,提升對于能源轉型至關重要的材料的供應。該中心占地445英畝,一期建設預計將于2024年底竣工,該中心將制造200mm碳化硅(SiC)晶圓,顯著擴大Wolfspeed材料產(chǎn)能,滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的
          • 關鍵字: 芯片制造  功率半導體  碳化硅  

          基礎知識之IGBT

          • 什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)?IGBT是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫,也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類為功率半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外,功率半導體元器件(晶體管領域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導體開關。 根據(jù)其分別可支持的開關速度,BIPOLAR適用于中速開關,MOSFET則適用于高頻領域。IGBT是輸入部為MOSFET結構、輸出部為BIPOLAR結構的元器件,通過
          • 關鍵字: 功率半導體  IGBT  

          國創(chuàng)中心車規(guī)功率半導體測試實驗室在北京亦莊啟用

          • 據(jù)國創(chuàng)中心公眾號消息,近日,國家新能源汽車技術創(chuàng)新中心車規(guī)功率半導體測試實驗室正式投入運營,為汽車半導體的技術進步和質(zhì)量提升提供支撐。由于車規(guī)功率半導體具有高可靠性、高效率、高功率密度、快速開關能力、耐高溫特性等特點,因此需要通過嚴格的質(zhì)量認證和測試來確保其質(zhì)量和可靠性。據(jù)悉,目前,該實驗室測試能力已涵蓋AECQ101、AQG324等行業(yè)標準,并持續(xù)完善車規(guī)級碳化硅(SiC)、板級及系統(tǒng)級測試,確保滿足最嚴苛的汽車電子質(zhì)量要求。其中,面向行業(yè)研究熱點之一的SiC,該實驗室能對Si基和SiC基的DIODE、
          • 關鍵字: 汽車芯片  功率半導體  

          漲價函紛飛,功率半導體乘勢而起?

          • 2019至2022年間新能源汽車、光伏、半導體等下游需求持續(xù)旺盛,全球范圍內(nèi)晶圓產(chǎn)能不足,功率半導體行業(yè)供不應求,曾出現(xiàn)多次漲價,其中IGBT、SiC MOSFET等十分緊俏。自2022年以來,全球范圍內(nèi)產(chǎn)能逐步釋放,功率半導體市場行情回落,從二三極管、晶體管、中低壓 MOS到高壓MOS都出現(xiàn)供需反轉并大幅降價;加之消費電子市場疲軟大背景下,庫存去化成為功率半導體市場近兩年主旋律。然而,自2023年12月至今年1月,媒體報道包括捷捷微電、三聯(lián)盛、藍彩電子、揚州晶新、深微公司在內(nèi)的五家本土功率半導體
          • 關鍵字: 漲價  功率半導體  

          2024年,功率半導體怎么走?

          • 功率半導體,又稱電力電子器件或功率電子器件,是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的器件之一。中國作為全球最大的功率半導體消費國,貢獻了約 40% 的功率半導體市場。MOSFET 和 IGBT 為功率半導體產(chǎn)品主力。2023 年,半導體正式步入下行周期。在下行的背景下,整個行業(yè)都面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。功率半導體在瑟瑟的寒風中,卻顯得與眾不同。本文中,我們將一起看看功率半導體的 2023 以及 2024 的變化情況。MOSFET 的 2023先來看看 MOSFET 的情況。MOSFET 器件具有開關速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定
          • 關鍵字: 功率半導體  

          把握功率半導體三大演變趨勢 漢高創(chuàng)新材料引領行業(yè)發(fā)展

          • 新年伊始,越來越多的外資企業(yè)開始展望2024年在中國的發(fā)展,并持續(xù)加大在中國市場的投入。一直秉持著“在中國,為中國”的漢高,通過不斷探索創(chuàng)新,引領綠色低碳新發(fā)展模式,并以實際行動踐行持續(xù)加碼中國的承諾。隨著科技的飛速發(fā)展,功率半導體器件在日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著愈發(fā)重要的作用。它們不僅應用于手機、電腦和其他電子設備,還涉及到汽車、工業(yè)、通訊、AI等多個領域。為了更好地適應市場需求,半導體器件的開發(fā)和生產(chǎn)正朝著更高效、更可靠和更本地化的方向發(fā)展。作為半導體封裝材料專家,漢高也在不斷地為行業(yè)帶來眾多的創(chuàng)新技
          • 關鍵字: 功率半導體  漢高  
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          功率半導體介紹

            《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎,詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件,包括pin二極管、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細 ]

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