全球3D NAND大軍技術(shù)對決 下半年產(chǎn)出可望大增

　　2017年將是3D NAND Flash應(yīng)用市場快速崛起的關(guān)鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競爭力的64層3D NAND Flash加入競局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術(shù)以求突圍，由于新舊技術(shù)轉(zhuǎn)換，良率仍不穩(wěn)定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場大缺貨，業(yè)者預(yù)期2017年下半產(chǎn)出可望大增，全面開啟3D NAND Flash時代。

　　三星在2016年底宣布量產(chǎn)64層3D NAND技術(shù)，在整體市場競局持續(xù)技術(shù)領(lǐng)先地位，但從2D技術(shù)轉(zhuǎn)換到3D NAND過程中，面臨2D產(chǎn)品投片量減少，3D NAND初期良率又不穩(wěn)定，讓整個NAND Flash市場缺貨問題更嚴重，業(yè)者預(yù)期三星64層3D NAND會在5、6月開始放量生產(chǎn)，可望紓解市場吃緊狀況。

　　三星2017年3D NAND投資規(guī)模將高于先前計劃，三星平澤半導(dǎo)體廠預(yù)計最快6月完工，7月有機會正式投產(chǎn)，并進一步擴大增設(shè)3D NAND生產(chǎn)線，三星2017年在半導(dǎo)體投資額將創(chuàng)下史上新高紀錄，上看176億美元。三星過去在DRAM市場大舉投資的成功經(jīng)驗，可能運用在NAND Flash技術(shù)與產(chǎn)能，借以拉大與競爭對手差距。

　　美光原本是生產(chǎn)32層3D NAND產(chǎn)品，之后跳過48層技術(shù)，直接投入研發(fā)生產(chǎn)64層3D NAND產(chǎn)品，預(yù)計2017年第2季開始量產(chǎn)，提供42GB和64GB產(chǎn)品，下半年出貨可望放量，2018年更計劃推出128GB產(chǎn)品，希望同時搶攻消費性SSD和企業(yè)SSD兩大應(yīng)用市場。

　　半導(dǎo)體業(yè)者表示，NAND Flash技術(shù)微縮逐漸面臨瓶頸，全球存儲器大廠紛紛從2D NAND技術(shù)轉(zhuǎn)到堆疊式3D NAND技術(shù)，以持續(xù)追求成本降低，美光第一代32層3D NAND相較于16納米制程2D NAND技術(shù)，成本至少減少25%，而第二代64層3D NAND技術(shù)的成本可再減少30%，美光計劃第2季量產(chǎn)64層3D NAND產(chǎn)品。

　　SK海力士原本生產(chǎn)36層和48層3D NAND產(chǎn)品，為能在3D NAND市場攻城略地，SK海力士跳過三星、美光、東芝競逐的64層產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，直接跳到72層3D NAND技術(shù)，推出容量高達256Gb的第四代72層3D NAND產(chǎn)品，預(yù)計2017年下半進入量產(chǎn)，全力超越競爭對手所推出的64層3D NAND產(chǎn)品。

　　目前NAND Flash市場除了供給端遭逢新舊技術(shù)交接、良率不穩(wěn)定，導(dǎo)致供給量減少，在終端市場更適逢固態(tài)硬碟需求大爆發(fā)，由于遇上NAND Flash晶片缺貨，近期部分下游廠商反應(yīng)很多大陸系統(tǒng)廠接獲智能型手機標案，但缺少足夠的存儲器可以出貨，通路端甚至把128GB SSD降到96GB容量，以因應(yīng)整體市場供給吃緊情況。

　　現(xiàn)階段三星仍穩(wěn)居全球固態(tài)硬碟市場龍頭，其次是存儲器模組大廠金士頓(Kingston)，至于美光、新帝(SanDisk)、東芝、創(chuàng)見等緊跟在后，分食全球固態(tài)硬碟市場大餅。

　　隨著各大NAND Flash陣營紛紛轉(zhuǎn)進具競爭力的64層和72層3D NAND技術(shù)，減少2D NAND生產(chǎn)，業(yè)者預(yù)計2017年第4季3D NAND總產(chǎn)出將超越2D NAND產(chǎn)品，成為整個NAND Flash市場主力，2017年3D NAND時代正式來臨，并在2018年進入96層技術(shù)世代。