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          紫光國(guó)芯重大重組:子公司51.04%控股長(zhǎng)江存儲(chǔ)

          作者: 時(shí)間:2017-04-20 來(lái)源:集微網(wǎng) 收藏

            4月19日消息,國(guó)芯股份有限公司發(fā)布重大資產(chǎn)重組進(jìn)展公告,本次標(biāo)的公司為科技控股有限責(zé)任公司,該公司于2016年12月21日成立,注冊(cè)資本 386 億元。公司間接控股股東集團(tuán)有限公司的控股子公司湖北國(guó)器科技控股有限公司持有其 51.04%的股權(quán),為其控股股東。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201704/358241.htm

            紫光國(guó)芯(股票代碼:002049)是紫光集團(tuán)有限公司旗下半導(dǎo)體行業(yè)上市公司,是目前國(guó)內(nèi)最大的集成電路設(shè)計(jì)上市公司之一。公司的前身是成立于2001年的晶源電子,是國(guó)內(nèi)壓電晶體元器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。2015年,在清華控股有限公司的統(tǒng)一部署下,紫光集團(tuán)成為公司控股股東,公司成為紫光集團(tuán)旗下從“芯”到“云”戰(zhàn)略的重要平臺(tái),改稱(chēng)紫光國(guó)芯,邁入全新的發(fā)展階段。

            2016 年度紫光國(guó)芯實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 141,865.07 萬(wàn)元,較上年同期增長(zhǎng) 13.51%,歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn) 33,632.02 萬(wàn)元,較上年同期增長(zhǎng)0.25%。盡管全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境并不是太好,但得益于國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,紫光國(guó)芯業(yè)務(wù)持續(xù)穩(wěn)定增長(zhǎng)。

            2016年7月,紫光集團(tuán)與武漢新芯合資成立,武漢新芯成為的全資子公司。按照國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目規(guī)劃,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的主要產(chǎn)品為3D NAND,將以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口,集存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試、銷(xiāo)售于一體,預(yù)計(jì)到2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的生產(chǎn)規(guī)模,到2030年建成每月100萬(wàn)片的產(chǎn)能。

            而紫光國(guó)芯同樣致力于存儲(chǔ)事業(yè)的發(fā)展,如此下去,兩者未來(lái)極有可能發(fā)展為同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。針對(duì)此,2016年12月21日紫光國(guó)芯發(fā)布公告稱(chēng),公司的間接控股股東紫光集團(tuán)擬通過(guò)其下屬控股子公司紫光控股,與長(zhǎng)江存儲(chǔ)現(xiàn)有股東共同出資設(shè)立長(zhǎng)江控股,以實(shí)現(xiàn)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的控制。其中紫光控股出資197億元,占長(zhǎng)江控股注冊(cè)資本的51.04%;大基金、湖北國(guó)芯投資和湖北省科投以其持有的經(jīng)評(píng)估的長(zhǎng)江存儲(chǔ)全部股東權(quán)益加貨幣出資,合計(jì)占長(zhǎng)江控股注冊(cè)資本的48.96%。

            長(zhǎng)江存儲(chǔ)將采取自主研發(fā)與國(guó)際合作雙輪驅(qū)動(dòng)的方式,突破存儲(chǔ)器核心技術(shù),打造世界一流的物聯(lián)網(wǎng)和三維閃存產(chǎn)品供應(yīng)商。

            據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的執(zhí)行董事、代行董事長(zhǎng)高啟全透露,長(zhǎng)江存儲(chǔ)致力于開(kāi)發(fā)自己的存儲(chǔ)芯片,除了3D NAND閃存之外,還組建了500人的研發(fā)團(tuán)隊(duì),攻關(guān)DRAM內(nèi)存制造技術(shù)。同時(shí)將繼續(xù)與好伙伴美光合作,互助互利,這對(duì)于其實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破也會(huì)有很大幫助。今年底,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提供32層堆疊3D NAND閃存的樣品,繼續(xù)向64層堆疊閃存發(fā)展。



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