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          掌握集成電路主動(dòng)權(quán) 02專(zhuān)項(xiàng)碩果累累

          作者: 時(shí)間:2017-06-05 來(lái)源:芯思想 收藏

            2017年的5月對(duì)于中國(guó)來(lái)說(shuō),注定不是一個(gè)平凡的5月。“一帶一路”國(guó)際合作高峰論壇在北京召開(kāi),中國(guó)再次成為全球矚目的焦點(diǎn)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201706/360084.htm

            2017年的5月對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō),注定不是一個(gè)平凡的5月。

            2017年5月23日,科技部會(huì)同北京市和上海市人民政府組織召開(kāi)了國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)“極大規(guī)模制造裝備及成套工藝”(簡(jiǎn)稱(chēng)專(zhuān)項(xiàng))成果發(fā)布會(huì)。發(fā)布會(huì)介紹了專(zhuān)項(xiàng)實(shí)施取得的攻關(guān)成果及應(yīng)用情況。

            此次發(fā)布的專(zhuān)項(xiàng)成果包括9年來(lái)已研發(fā)成功并進(jìn)入海內(nèi)外市場(chǎng)的30多種高端裝備和上百種關(guān)鍵材料產(chǎn)品,面向全球開(kāi)展服務(wù)的65至28納米產(chǎn)品工藝和高密度封裝集成技術(shù)成果。

            過(guò)去九年中,在集成電路制造創(chuàng)新體系的引領(lǐng)帶動(dòng)下,專(zhuān)項(xiàng)成績(jī)斐然,碩果累累:

            北方華創(chuàng)通過(guò)近九年的科技攻關(guān),完成了刻蝕機(jī)、磁控濺射、氧化爐、低壓化學(xué)氣相沉積、清洗機(jī)、原子層沉積等集成電路設(shè)備90/55/40/28納米工藝驗(yàn)證,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。公司的刻蝕機(jī)等三大類(lèi)集成電路設(shè)備進(jìn)入14納米工藝驗(yàn)證階段,首次實(shí)現(xiàn)與國(guó)外設(shè)備同步驗(yàn)證。在02專(zhuān)項(xiàng)支持下,12英寸集成電路設(shè)備實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有,批量銷(xiāo)售,成為公司的主要收入來(lái)源之一。

            中微半導(dǎo)體通過(guò)先后承擔(dān)并圓滿完成65-45納米、32-22納米、22-14納米等三項(xiàng)等離子介質(zhì)刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制和產(chǎn)業(yè)化的02專(zhuān)項(xiàng)任務(wù),使我國(guó)在該項(xiàng)設(shè)備領(lǐng)域中的技術(shù)基本保持了與國(guó)際先進(jìn)水平同步。中微半導(dǎo)體已經(jīng)有460多個(gè)介質(zhì)刻蝕反應(yīng)臺(tái)在海內(nèi)外27條生產(chǎn)線上高質(zhì)穩(wěn)定的生產(chǎn)了4000多萬(wàn)片晶圓。中微半導(dǎo)體在臺(tái)積電的研發(fā)線上正在進(jìn)行5納米的刻蝕開(kāi)發(fā)和核準(zhǔn)。中微半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備材料國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到35%,已開(kāi)發(fā)了20多個(gè)國(guó)內(nèi)的反應(yīng)器和系統(tǒng)主機(jī)加工等供應(yīng)廠商,加工能力和質(zhì)量達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平,并成功迫使美國(guó)從瓦森納協(xié)定的軍民兩用出口限制清單中將刻蝕設(shè)備移除。

            中芯國(guó)際產(chǎn)能和技術(shù)研發(fā)取得突破性進(jìn)展,成套工藝水平由2008年的110納米提升到28納米,完成65-45-28納米成套工藝研發(fā)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn);65/55納米產(chǎn)品累計(jì)銷(xiāo)售超過(guò)180億元,40/45納米產(chǎn)品累計(jì)銷(xiāo)售超過(guò)100億元;2015年32/28納米工藝開(kāi)始量產(chǎn)高通驍龍系列產(chǎn)品,2016年28納米高K金屬柵工藝(HKMG)成功流片,并經(jīng)聯(lián)芯4G移動(dòng)終端CPU產(chǎn)品認(rèn)證;14納米研發(fā)獲得突破;2017年聯(lián)合中科院微電子所等單位開(kāi)始了“7-5納米集成電路先導(dǎo)工藝與系統(tǒng)集成新技術(shù)”的研發(fā)。

            長(zhǎng)電科技承擔(dān)重大專(zhuān)項(xiàng)五項(xiàng),借助專(zhuān)項(xiàng)的實(shí)施,掌握了國(guó)際先進(jìn)封裝技術(shù),包括WLCSP、WAafer Bumping、FC、銅線工藝等十大封裝技術(shù),成為全球最大的集成電路WLCSP封裝基地,同時(shí)也是全球第四大晶圓凸塊封裝基地;

            晶方半導(dǎo)體專(zhuān)注于傳感器領(lǐng)域先進(jìn)封測(cè)服務(wù),為全球最大的晶圓級(jí)芯片尺寸封測(cè)服務(wù)商,是全球首家具備12英寸晶圓級(jí)芯片尺寸封裝量產(chǎn)能力的專(zhuān)業(yè)封測(cè)廠商 ,在傳感器領(lǐng)域擁有全球封裝量產(chǎn)最完整的專(zhuān)利布局。

            江豐電子、安集微電子等公司的濺射靶材和拋光液等上百種關(guān)鍵材料通過(guò)大生產(chǎn)線考核進(jìn)入批量銷(xiāo)售;

            自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系逐漸建立,集成電路專(zhuān)項(xiàng)已申請(qǐng)了2.3萬(wàn)余項(xiàng)國(guó)內(nèi)發(fā)明專(zhuān)利和2000多項(xiàng)國(guó)際發(fā)明專(zhuān)利,所形成的知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系使國(guó)內(nèi)企業(yè)在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)中的實(shí)力和地位發(fā)生了巨大變化,掌握了發(fā)展的主動(dòng)權(quán),發(fā)展模式也從“引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新”轉(zhuǎn)變?yōu)?ldquo;自主研發(fā)為主加國(guó)際合作”的新模式。

            在專(zhuān)項(xiàng)支持下,一批龍頭企業(yè)進(jìn)入世界前列;一批骨干企業(yè)進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng);一批企業(yè)成功上市,備受青睞。與此同時(shí),國(guó)內(nèi)企業(yè)應(yīng)用專(zhuān)項(xiàng)成果研制出成套的LED和光伏制造裝備,使得我國(guó)LED和光伏等泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)綜合競(jìng)爭(zhēng)力大幅躍升,產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平實(shí)現(xiàn)了國(guó)際領(lǐng)先。



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