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          英特爾三星“搶飯碗” 晶圓代工四強(qiáng)近況如何?

          作者: 時間:2017-06-12 來源:OFweek電子工程網(wǎng) 收藏
          編者按:排名全球前兩位的半導(dǎo)體廠商對晶圓代工市場表現(xiàn)出了濃厚的興趣,那么臺積電、格羅方德、聯(lián)電及中芯國際等純晶圓代工市場上的四強(qiáng)又在做什么呢?

            在宣布進(jìn)入ARM芯片代工市場,并為展訊代工了14nm八核X86架構(gòu)的64位LTE芯片平臺SC9861G-IA后,另一IDM模式巨頭于日前宣布將成立一個獨(dú)立的代工或合同芯片制造業(yè)務(wù)部門,強(qiáng)化代工業(yè)務(wù)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201706/360365.htm

            臺積電

            在晶圓代工領(lǐng)域,臺積電是當(dāng)之無愧的老大,也是在代工市場上最強(qiáng)的對手。除了10nm制程工藝用于今年下半年將發(fā)布的iPhone8的A11芯片外,早前曾有報道表示,臺積電已經(jīng)在測試尖端7nm芯片產(chǎn)品,且會在2018年量產(chǎn),并將在一年后再投產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)加持的新版7nm。而臺積電5nm將會在2019年試產(chǎn),主打移動設(shè)備和高性能計算。

            在5月25日的臺積電技術(shù)論壇上,臺積電首次揭露了研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存)和eRRAM(嵌入式電阻式內(nèi)存)分別將在明后年進(jìn)行風(fēng)險性試產(chǎn),主要采用22nm制程。

            格羅方德

            在和臺積電就10nm制程工藝“大打出手”的時候,格羅方德卻決定跳過10nm直取7nm制程。雖然沒有對10nm“出手”,但格羅方德在去年推出了12nmFD-SOI工藝,對比16nmFinFET工藝,12nm制程能夠?qū)⒐慕档?0%,性能提升15%,掩膜成本較10nm降低40%。不過根據(jù)早前格羅方德透露的信息,全新的12nmFD-SOI工藝在2019年才能投入量產(chǎn)。

            雖然制程工藝進(jìn)步的腳步比不過臺積電,但近日一則有關(guān)全球首款5nm芯片的消息中,卻出現(xiàn)了格羅方德的身影。IBM日前宣布,與三星、格羅方德組成的聯(lián)盟已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一個全新的硅納米片晶體管,為實(shí)現(xiàn)5nm工藝鋪平了道路。

            另外格羅方德攜手成都市成立的合資公司格芯已經(jīng)展開建設(shè)工作,預(yù)計將于2018年年初完工。完工后,該晶圓廠將率先投入主流工藝的生產(chǎn),進(jìn)而專注于22FDX的制造,預(yù)計將于2019年開始實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

            聯(lián)電

            聯(lián)電雖然貴為臺灣晶圓代工雙雄,但在晶圓代工市場上遠(yuǎn)不如臺積電精彩。今年年初時,公司宣布了其自主研發(fā)的14nmFinFET工藝,已成功進(jìn)入客戶芯片量產(chǎn)階段,且良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競爭水準(zhǔn)。在成功量產(chǎn)14nm后,聯(lián)電也啟動了廈門子公司聯(lián)芯的28nm制程量產(chǎn)計劃,劍指大陸快速成長的中低端手機(jī)芯片市場。

            中芯國際

            中芯國際作為大陸晶圓代工一哥,已經(jīng)開始量產(chǎn)28nmPolySiON工藝,而對于更高級并將扮演更重要角色的28nmHKMG,中芯國際曾透漏,對于HKMG平臺,今年將積極導(dǎo)入設(shè)備與試產(chǎn),最快第三季備妥產(chǎn)能,預(yù)期今年“會持續(xù)成長,但貢獻(xiàn)度有限”。

            新任CEO趙海軍也表示過,中芯將持續(xù)投入28nm新平臺與14nm研發(fā)的推進(jìn),預(yù)計2019年14nm投入試產(chǎn)。

            另外,中芯國際也開始啟動了7nm制程工藝的研發(fā),并與北方華創(chuàng)、中微建立了長期合作關(guān)系。



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