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          三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2017-06-16
				來源：精實(shí)新聞
				
				
				
				
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          　　三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進(jìn)入量產(chǎn)，與此同時(shí)，三星還將擴(kuò)展包含服務(wù)器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201706/360609.htm
          　　64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報(bào)導(dǎo)指出，三星為穩(wěn)固領(lǐng)先優(yōu)勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。
          　　其實(shí)，三星今年 1 月已先為某關(guān)鍵客戶，打造第一顆內(nèi)含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(SSD)，自此之后，三星持續(xù)朝行動與消費(fèi)型儲存市場開發(fā)新應(yīng)用，務(wù)求與 IT 產(chǎn)業(yè)同步化。
          　　三星 64 層 V-NAND 閃存?zhèn)鬏斔俣冗_(dá)每秒 1Gb，市面上同類型內(nèi)存產(chǎn)品中無人能出其右。 若與 48 層產(chǎn)品相比，64 層閃存的省電效能約高出三成，可靠性則增加約兩城。
          　　三星目前是 NAND 龍頭，2016 年市占率為 36%，在第四代 NAND 芯片量產(chǎn)后，三星可能陸續(xù)調(diào)降第二、三代芯片價(jià)格，除可進(jìn)一步擴(kuò)大市占外，還將對美光、東芝、Western Digital 等同業(yè)造成降價(jià)壓力。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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            			            三星
                        NAND
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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