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          英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊,在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號(hào)

          作者: 時(shí)間:2017-06-28 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低:這是基于(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢(shì)。科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開始批量生產(chǎn)EASY 1B——在2016年P(guān)CIM上推出的首款全模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會(huì)上,展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺(tái)和拓?fù)?。如今,英飛凌能夠更好地發(fā)揮技術(shù)的潛力。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201706/361098.htm

            英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出:“碳化硅已達(dá)到轉(zhuǎn)折點(diǎn),考慮到成本效益,它已可用于不同應(yīng)用。不過,為了讓這一新的半導(dǎo)體技術(shù)成為可以依靠的革命性技術(shù),需要英飛凌這樣的合作伙伴。針對(duì)應(yīng)用量身定制產(chǎn)品、我們的生產(chǎn)能力、對(duì)技術(shù)組合和系統(tǒng)的全面了解:這四大優(yōu)勢(shì)使我們成為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者。依托英飛凌碳化硅產(chǎn)品組合,我們希望并且能夠達(dá)成這一目標(biāo)?!?/p>

            全新1200 V碳化硅MOSFET已進(jìn)行優(yōu)化,同時(shí)具備高可靠性與性能優(yōu)勢(shì)。其動(dòng)態(tài)功率損耗要比1200V硅(Si)IGBT低一個(gè)數(shù)量級(jí)。首批產(chǎn)品將主推光伏逆變器、不間斷電源(UPS)和充電/儲(chǔ)電系統(tǒng)等應(yīng)用。不久的將來推出的新型號(hào),也將為打造適用于工業(yè)變頻器、醫(yī)療設(shè)備或鐵路設(shè)備輔助電源的革命性解決方案創(chuàng)造條件。

            1200 V SiC MOSEFT采用的溝槽柵技術(shù)的一大優(yōu)勢(shì)在于持久的堅(jiān)固耐用性。這是由于其具備較低的工作時(shí)間失效(FIT)率和有效的短路能力,可適應(yīng)不同的應(yīng)用。得益于4 V的閾值電壓(Vth)和+15 V的推薦接通閾值(VGS)),這些晶體管能像IGBT一樣得到控制,在發(fā)生故障時(shí)得以安全關(guān)閉。碳化硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高速開關(guān),另外,英飛凌碳化硅MOSFET技術(shù)可以通過柵極電阻調(diào)節(jié)來改變開關(guān)速度,因此,可以輕松優(yōu)化EMC性能。

            早在去年,英飛凌就已推出主導(dǎo)產(chǎn)品EASY 1B(半橋/Booster)以及分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin產(chǎn)品。EASY 1B平臺(tái)十分成熟,是實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)器件的理想模塊平臺(tái)。在今年的PCIM展會(huì)上,英飛凌將展出基于1200 V SiC MOSFET技術(shù)的其他模塊平臺(tái)和拓?fù)?。它們將逐步擴(kuò)大CoolSiC MOSFET的性能范圍。英飛凌展出的碳化硅模塊包括:

            · 采用B6(Six-Pack)拓?fù)涞腅ASY 1B:該模塊的特點(diǎn)是成熟的英飛凌模塊配置,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))僅45 mΩ。集成的體二極管確保低損耗續(xù)流功能。該EASY 1B適用于傳動(dòng)、太陽能或焊接技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用。

            · 采用半橋拓?fù)涞腅ASY 2B:這個(gè)較大的EASY器件,其性能增強(qiáng),每個(gè)開關(guān)的RDS(ON)為8 mΩ。低電感模塊概念是功率超過50 kW和快速開關(guān)應(yīng)用的理想選擇,比如太陽能逆變器、快速充電系統(tǒng)或不間斷電源解決方案等。

            · 采用半橋拓?fù)涞?2 mm:附加的半橋配置,具備更大功率,每個(gè)開關(guān)功能的RDS(ON)為6 mΩ。該模塊平臺(tái)為中等功率范圍系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)低電感連接創(chuàng)造了條件。這一特性適合諸多應(yīng)用,包括醫(yī)療設(shè)備或鐵路設(shè)備的輔助電源等。由于有大量潛在應(yīng)用,英飛凌預(yù)計(jì)該模塊將迅速普及。

            供貨

            在2016年P(guān)CIM上推出的旗艦產(chǎn)品EASY 1B和兩個(gè)分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin,今年將逐步開始批量生產(chǎn)。EASY 1B半橋配置現(xiàn)已開始供貨。為支持其市場(chǎng)發(fā)布,英飛凌同步推出了多種驅(qū)動(dòng)模塊和演示板,這些模塊和演示板也從現(xiàn)在起開始供貨。新產(chǎn)品型號(hào)已開始提供樣片,計(jì)劃于2018年開始批量生產(chǎn)。了解更多信息敬請(qǐng)?jiān)L問:www.infineon.com/coolSiC。

            英飛凌亮相PCIM 2017

            在2017年國際電力電子展(PCIM)上,英飛凌展示了可提升工業(yè)、消費(fèi)和汽車應(yīng)用系統(tǒng)效率的領(lǐng)先技術(shù)。英飛凌在9號(hào)館412號(hào)展位(2017年5月16—18日,德國紐倫堡)展示助力建設(shè)智慧能源世界的產(chǎn)品和解決方案。了解PCIM展示亮點(diǎn)相關(guān)信息,敬請(qǐng)?jiān)L問:www.infineon.com/pcim。



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