東芝全球首發(fā)QLC閃存意外彪悍：壽命竟堪比TLC

　　東芝日前發(fā)布了全球首個(gè)基于QLC(四比特單元) BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片，64層堆疊封裝，單顆容量可以做到768Gb(32GB)，可以帶來(lái)容量更大、成本更低的SSD產(chǎn)品。

　　不過(guò)隨著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展，壽命和耐用性一直是個(gè)讓人憂慮的問(wèn)題。

　　芯片

　　NAND閃存目前已經(jīng)發(fā)展出了四種形態(tài)：SLC單比特單元，性能最好，壽命最長(zhǎng)，但成本也最高;MLC雙比特單元，性能、壽命、成本比較均衡，目前主要用于高端和企業(yè)級(jí)產(chǎn)品;TLC三比特單元，成本低，容量大，但壽命越來(lái)越短;QLC四比特單元，自然延續(xù)了這一趨勢(shì)。

　　事實(shí)上，經(jīng)過(guò)廠商不斷的改進(jìn)，TLC技術(shù)已經(jīng)十分成熟，無(wú)論性能還是壽命都可以滿足日常消費(fèi)甚至企業(yè)級(jí)應(yīng)用，目前幾乎絕大多數(shù)消費(fèi)級(jí)SSD都在用它。

　　QLC閃存由于采用了四比特設(shè)計(jì)，每個(gè)單元內(nèi)都有多達(dá)16種不同的電壓狀態(tài)，相比TLC又翻了一番，而且又不能把單元面積做的太大，因此控制難度急劇增大。

　　另外為了避免讀寫錯(cuò)誤，主控搭配QLC閃存時(shí)也必須支持更高級(jí)的ECC，東芝就發(fā)展了自己的QSBC糾錯(cuò)技術(shù)，號(hào)稱比TLC設(shè)備上常用的LDPC更加先進(jìn)。

　　最關(guān)鍵的來(lái)了：東芝宣稱，他們的QLC NAND擁有多達(dá)1000次左右的P/E編程擦寫循環(huán)，大大高于業(yè)界此前幾年預(yù)計(jì)的100-150次，幾乎已經(jīng)和TLC閃存相當(dāng)了!

　　這就意味著，QLC閃存的壽命根本不是事兒，完全可以和TLC一樣耐用!

　　東芝具體是怎么做到的暫未披露，應(yīng)當(dāng)是有某種全新的秘密技術(shù)，而且很可能已經(jīng)申請(qǐng)了專利。

　　動(dòng)輒幾個(gè)TB還耐用、便宜的QLC SSD，想想都挺美的……

　　四種閃存類型各自不同的電壓狀態(tài)