ReRAM即將跨入3D時(shí)代?
莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)宣稱成功為ReRAM開(kāi)發(fā)出新的制程,可望為其實(shí)現(xiàn)適于3D堆疊的薄膜技術(shù)…
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201707/361374.htm可變電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)是一種可望取代其他各種儲(chǔ)存類型的“通用”存儲(chǔ)器,不僅提供了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)的速度,又兼具快閃存儲(chǔ)器(flash)的密度與非揮發(fā)性。然而目前,flash由于搶先進(jìn)入3D時(shí)代而較ReRAM更勝一籌。
如今,莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(Moscow Institute of Physics and Technology;MIPT)的研究人員已成功為ReRAM開(kāi)發(fā)出新的制程,可望為其實(shí)現(xiàn)適于3D堆疊的薄膜技術(shù)。
ReRAM的研發(fā)一般采用憶阻器進(jìn)行,其中,在介電層中遷移的氧空缺(oxygen vacancy),將電介質(zhì)的電阻改變?yōu)椤?’與‘0’。除了MIPT,還有來(lái)自4DS Memory Ltd.、Crossbar Inc.、HP Inc.、Knowm Inc.以及美國(guó)德州萊斯大學(xué)(Rice University)的研究人員們也為ReRAM創(chuàng)造了原型。
針對(duì)3D ReRAM,MIPT科學(xué)家Konstantin Egorov表示,“我們不僅需要在介電層中形成氧空缺,還必須為其進(jìn)行檢測(cè)”。為此,MIPT的研究人員們采用的方法是,在出現(xiàn)氧空缺的介電層中,觀察其能隙中的電子狀態(tài)
Egorov說(shuō):“為了研究在氧化鉭薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中形成的氧空缺,我們使用了一種整合生長(zhǎng)PEALD[電漿輔助原子層沉積]和分析XPS(X射線光電子能譜儀)腔室(以真空管相互連接)的實(shí)驗(yàn)叢集。該叢集讓我們能生長(zhǎng)和研究沉積層,而不至于破壞真空狀態(tài)?!?/p>
他強(qiáng)調(diào),“這一點(diǎn)非常重要,因?yàn)橐坏恼婵罩腥〕鰧?shí)驗(yàn)樣本,介電質(zhì)的納米層就會(huì)在其表面上氧化,導(dǎo)致氧空缺的消失?!?/p>
用于生長(zhǎng)和研究薄膜的實(shí)驗(yàn)叢集,可在真空狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)3D堆疊 (來(lái)源:MIPT)
任何半導(dǎo)體研究實(shí)驗(yàn)室都可以建構(gòu)這種獨(dú)特的原子層沉積(ALD)叢集,其方式是連接PEALD和XPS腔室,然后再添加自動(dòng)操縱器,在腔室之間傳輸晶圓。除了樣本測(cè)試晶圓以外,在大量生產(chǎn)時(shí)并不需要這種叢集。然而,必須建立一條的的組裝線,以補(bǔ)償ALD薄膜緩慢的生長(zhǎng)速度。
如果這些研究取得成功,MIPT聲稱所產(chǎn)生的ReRAM就可以垂直堆疊,成就一種可克服3D flash限制的通用存儲(chǔ)器;目前,3D flash僅限于64層。
與沉積氧空缺氧化鉭薄膜有關(guān)的化學(xué)反應(yīng)階段(左),以及透過(guò)X射線光電子能譜儀進(jìn)行分析的結(jié)果(右)。 (來(lái)源:MIPT)
雖然ALD的生長(zhǎng)緩慢,但它能實(shí)現(xiàn)3D結(jié)構(gòu)的共形涂層,取代MIPT和其他研究實(shí)驗(yàn)室迄今所使用的納米薄膜沉積技術(shù)。其關(guān)鍵的區(qū)別在于ALD依次將基底暴露于前體材料和反應(yīng)物材料,并且取決于二者之間的化學(xué)反應(yīng)以產(chǎn)生主動(dòng)層。MIPT的技術(shù)還使用連接至金屬前體的化學(xué)分子配體,以便加速化學(xué)反應(yīng),但在用于元件的主動(dòng)層之前必須先移除這種配體。
MIPT首席研究員Andrey Markeev說(shuō):“沉積缺氧薄膜需要找到正確的反應(yīng)物,才能移除金屬前體中所含的配體,并且控制涂層的氧含量。因此,在經(jīng)過(guò)多次實(shí)驗(yàn)后,我們成功地使用含氧的鉭前體,以及電漿激發(fā)的氫反應(yīng)物?!?/p>
MIPT研究人員Dmitry Kuzmichev、Konstantin Egorov、Andrey Markeev和Yury Lebedinskiy,及其背后的原子層沉積機(jī)器。(來(lái)源:MIPT)
接下來(lái),研究人員打算為這一流程進(jìn)行最佳化,并提高ALD的速度,從而為3D ReRAM實(shí)現(xiàn)大量生產(chǎn)。
MIPT的研究資金是由俄羅斯科學(xué)基金會(huì)(RSF)和MIPT共同提供。這項(xiàng)研究細(xì)節(jié)已發(fā)表于《ACS應(yīng)用材料和介面》(ACS Applied Materials & Interfaces)期刊的“以電漿輔助原子層沉積控制TaOx薄膜的氧空缺,實(shí)現(xiàn)可變電阻式切換的存儲(chǔ)器應(yīng)用”(In Situ Control of Oxygen Vacancies in TaOx Thin Films via Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition for Resistive Switching Memory Applications)一文中。
評(píng)論