“攪局者”帶領半導體產(chǎn)業(yè)步入“芯”未知階段

　　據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)7月13日報道，世界的半導體市場此前一直以美韓日廠商唱主角，現(xiàn)在中國企業(yè)正試圖參與進來，而中國企業(yè)的巨額投資很有可能成為半導體市場混亂的風險因素。

　　在全球股市上，半導體相關股正在成為熱點。美國費城半導體指數(shù)(SOX)在1100點左右，這是2000年IT泡沫以來的高水平。但半導體產(chǎn)業(yè)正在步入一個未知的階段，其中一個要素就是中國。

　　矛頭指向中國有失公允

　　眾所周知，無論日經(jīng)中文，或是西方的有些論點把矛頭指向中國半導體業(yè)是不公平的。任何國家都有權決定自身的發(fā)展策略，而中國要發(fā)展半導體業(yè)是歷來已久，每年進口芯片金額在千億美元數(shù)量級，而自主生產(chǎn)才近10%，因此要改變不合理的現(xiàn)狀是一件天經(jīng)地義的事。

　　客觀地說，此次中國半導體業(yè)的突破與之前大不同，它是首先抓住發(fā)展產(chǎn)業(yè)的命脈資金問題。盡管“大基金”是國家基金，但是它釆用入股企業(yè)的方法，并要求投資取得回報，與國際上通用的作法是一致的，僅是數(shù)量上及時間點讓全球業(yè)界感覺“來勢洶洶”而己。即便如此與全球領先者如三星，臺積電等相比也是相形見拙，更何況它僅是一個計劃，未來真的能投入多少?以及在多長時間內(nèi)能投得進去?尚需要觀察。

　　市場競爭與攪局者

　　只要是公平的市場競爭，有“攪局者”不一定是件“壞事”。它改變現(xiàn)狀，推動市場競爭，在新的態(tài)勢下達到新的平衡，是產(chǎn)業(yè)進步的表現(xiàn)。

　　觀察近期全球半導體業(yè)的發(fā)展中，“攪局者”并不少見，是必然的趨勢。如全球代工中，三星是異軍突起，也可看作是一家“攪局者”。它揚言今年它的代工營收要超過居第二位的格羅方德，并要與代工老大臺積電有一心比拼，顯見三星要改變?nèi)虼さ母偁幐窬帧?/p>

　　在全球半導體設備業(yè)中，在今年的Semicon West中ASML重申它的EUV光刻機將很快步入實用化，在兩年內(nèi)光源功率提升至產(chǎn)業(yè)要求的250瓦水平。目前己在全球共安裝了14臺，客戶包括英特爾，三星，臺積電及格羅方德，未來尚有21臺等待發(fā)貨，其中英特爾是大戶。

　　眾所周知，從全球半導體業(yè)的發(fā)展中先進工藝制程競賽一直是個“熱點”，臺積電，三星，英特爾，甚至格羅方德都聲言可能走在前列，誰也不干落后。目前采用浸液式光刻方法己可達7納米，將于2018年實現(xiàn)量產(chǎn)，但是要使用三次或者四次圖形曝光工藝，它大大增加產(chǎn)品的周期與成本。如果改用EUV光刻工藝，將有效的簡化產(chǎn)品設計，并與三次或者四次圖形曝光工藝相比較，從成本方面可能節(jié)省。因此EUV光刻工藝的導入，在全球半導體業(yè)發(fā)展中是一次質(zhì)的飛躍，是延伸“定律”的有力武器。它有可能改變目前芯片制造商中前幾位的排名，并對未來半導體業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生深遠的影響。所以EUV光刻設備的導入也可看作是一個“攪局者”，而且是一個強有力的“攪局者”。

　　因此對于“誰是攪局者”不能有“雙重標準”，應該一視同仁，從根本上它們可能都是推動半導體業(yè)持續(xù)的進步。

　　中國廠商加入存儲器行列

　　歷史上在半導體業(yè)中，凡是打“翻身仗”都是從存儲器下手，己經(jīng)實現(xiàn)過兩次，一次是日本超過美國，及另一次是韓國超過日本。如今此次是中國半導體準備崛起，它的目的不一樣，也不可能有任何超越韓國存儲器老大的想法。

　　此次中國存儲器的突破，主要是為了自用，目的是提高芯片的國產(chǎn)化率。據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，2016年全球存儲器銷售額超過800億美元，而中國的市場大約消耗其中的25%以上。為此中國半導體業(yè)為了減少進口，增加國產(chǎn)化率，目前有三股力量，包括長江存儲、合肥睿力及福建晉華，分別聚焦不同的存儲器產(chǎn)品。就目前的進度，三家都處在建廠及技術與人才準備階段，實際上離開量產(chǎn)尚有一段距離，可能尚不能言及最終成功。

　　近20年以來，只看見有退出存儲器業(yè)的，如德國的奇夢達，以及美光兼并日本的爾必達，全球未見有任一新加入者，反映它的入門檻高，競爭太激烈。所以此次中國半導體業(yè)要突破存儲器引起全球業(yè)界的警覺是合乎情理的，但是也要客觀與公正，不應該扼殺中國半導體的自主需求。

　　在全球存儲器業(yè)中，可能相對競爭更為激烈，一方面是DRAM繼續(xù)向1x納米進軍，從縮小尺寸角度，15納米可能是極限。三星肯定走在最前面，目前它擁有DRAM及NAND閃存產(chǎn)能各有40萬片(12 inch WPM)。而另一方面在2D NAND向3D NAND轉(zhuǎn)移中，三星、美光、東芝、西數(shù)、海力士等都揚言近期要開始64層3D NAND的量產(chǎn)出貨，并全力向96層3D NAND挺進。

　　而中國的長江存儲是一個“新進者”，它僅是可能于2018年出貨32層3D NAND，離開三星等的差距至少2代以上。

　　分析天時，地利與人和在中國似乎都具備了一定的條件，但是在存儲器芯片制造的突破時必須十分清醒，僅擁有大的市場與足夠的投資可能還不一定能獲得最后的成功，它需要有專業(yè)人材的配合及詳情的專利應對策略，并要有一股氣勢與勇氣，關鍵是能把制造成本降下來，需要加強芯片生產(chǎn)線的嚴格管理。

　　至此對于中國存儲器業(yè)的突破，外界幾乎都并不看好。然而在全球存儲產(chǎn)業(yè)進行大轉(zhuǎn)移的時刻，中國半導體業(yè)主要為了自用，勇于加入，希望能得到一個公平競爭的機會。而且現(xiàn)階段盡管中國半導體業(yè)有三股力量在集結(jié)，但是從理性分析，在2020年之前這些芯片生產(chǎn)線仍處在產(chǎn)能爬坡階段，它們的銷售額都不會太高。

　　全球存儲器業(yè)總是周期性的起伏，只有堅持到底，不懼怕暫時的虧損，才有可能成功。盡管Gartner按以往的經(jīng)驗進行了預測，認為2019年時存儲器業(yè)可能進入下降周期。顯然中國的存儲器不可能趕上2019年之前的榮景，把希望寄于在下一波存儲器的上升周期中能有令人滿意的表現(xiàn)。

　　中國半導體業(yè)在存儲器中的突破，首先是為了滿足自用需求，與三星等先進廠商之間尚有很大的差距，也沒有實力來挑戰(zhàn)臺積電，三星及英特爾等巨頭。但是由于中國的加入，全球存儲器業(yè)中后幾位的排名可能會發(fā)生改變。

　　中國半導體業(yè)必須十分淸醒，一定要循序前進，尊重知識產(chǎn)權，與全球存儲器業(yè)者開展公平的競爭，爭取做一名受同仁尊敬的“攪局者”。