中微半導(dǎo)體成唯一進(jìn)入臺(tái)積電 7nm 制程的大陸本土設(shè)備商

　　因10nm制程遭遇前所未有的挑戰(zhàn)，故全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)紛紛將重要資源投入在7nm制程上，臺(tái)積電、三星、GlobalFoundries、英特爾均已開(kāi)始布局。據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，目前臺(tái)積電的7nm布局最積極，近期臺(tái)積電更是轉(zhuǎn)變了7nm制程設(shè)備的采購(gòu)策略，將應(yīng)用材料(AppliedMaterials)、科林研發(fā)(LAM)、東京威力科創(chuàng)(TEL)、日立先端(Hitach)、中微半導(dǎo)體5大設(shè)備商均納入采購(gòu)名單，致力平衡7nm制程設(shè)備商生態(tài)價(jià)格。

　　值得注意的是，中微半導(dǎo)體是唯一進(jìn)入臺(tái)積電7nm制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備商。據(jù)悉，中微與臺(tái)積電在28nm制程時(shí)便已開(kāi)始合作，并一直延續(xù)到10nm制程，以及現(xiàn)在的7nm制程。未來(lái)，中微也將與臺(tái)積電跨入下一世代5nm合作。此外，中微也將與聯(lián)電展開(kāi)14nm工藝制程的合作。

　　為符合大陸半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的政策目標(biāo)，2016年，有兩家大陸半導(dǎo)體設(shè)備商獲得國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)投資。其中一家便是中微半導(dǎo)體，獲得4.8億元投資;另一家是上海微電子設(shè)備(SMEE)。

　　今年4月，中微半導(dǎo)體CEO尹志堯在公共場(chǎng)合表示，目前中微半導(dǎo)體在全球各地已經(jīng)建置共計(jì)582臺(tái)刻蝕反應(yīng)臺(tái)，并預(yù)期今年將增長(zhǎng)至770臺(tái)。目前中微半導(dǎo)體產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入第三代10nm、7nm工藝，并進(jìn)入晶圓廠驗(yàn)證生產(chǎn)階段，即將進(jìn)入下一世代5nm、甚至3.5nm工藝。

　　據(jù)尹志堯透露，過(guò)去幾年公司銷售維持30-35%增長(zhǎng)率，預(yù)期2017年增長(zhǎng)率將達(dá)到80%。2017年，中微銷售將達(dá)11億元人民幣，在此基礎(chǔ)上，未來(lái)十年將持續(xù)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，擴(kuò)大市場(chǎng)占有率，中微的目標(biāo)是：2020年20億元、2050年50億元，并進(jìn)入國(guó)際五強(qiáng)半導(dǎo)體設(shè)備公司。

　　目前，中微有460多個(gè)介質(zhì)刻蝕反應(yīng)臺(tái)，并在海內(nèi)外27條生產(chǎn)線上生產(chǎn)了約4000多萬(wàn)片晶圓;同時(shí)，中微還開(kāi)發(fā)了12英寸的電感型等離子體ICP刻蝕機(jī);此外，中微還開(kāi)發(fā)了8英寸和12英寸TSV硅通孔刻蝕設(shè)備，不僅占有約50%的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，而且已進(jìn)入臺(tái)灣、新加坡、日本和歐洲市場(chǎng)，尤其在MEMS領(lǐng)域擁有意法半導(dǎo)體(ST)、博世半導(dǎo)體(BOSCH)等國(guó)際大客戶。

　　在專利方面，中微共申請(qǐng)了超過(guò)800件相關(guān)專利，其中絕大部分是發(fā)明專利，目前有一半以上已獲授權(quán)。