做強(qiáng)中國芯 華虹宏力無錫建12英寸晶圓廠2年后投產(chǎn)

　　中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)建設(shè)又添一樁喜訊，8月2日下午，上海華虹(集團(tuán))有限公司與無錫市人民政府在無錫舉行戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約儀式，總投資約100億美元的華虹集團(tuán)集成電路研發(fā)和制造基地項(xiàng)目正式落戶無錫高新區(qū)，標(biāo)志著華虹集團(tuán)在上海以外的第一個(gè)集成電路研發(fā)制造基地的開局。

　　據(jù)報(bào)道，華虹宏力，由原上海華虹NEC電子有限公司和上海巨集力半導(dǎo)體制造有限公司合并而成，為具備8寸晶圓代工技術(shù)的純晶圓代工廠商。目前，華虹宏力在上海張江和金橋共有3條8寸晶圓生產(chǎn)線，月產(chǎn)能為15.5萬片，技術(shù)制程自1微米到90納米之間。主要生產(chǎn)的產(chǎn)品為標(biāo)準(zhǔn)邏輯、嵌入式非易失性存儲(chǔ)器、電源管理元件、功率元件、射頻、模擬和混合信號元件等。

　　在國內(nèi)，半導(dǎo)體芯片的進(jìn)口額多年來遠(yuǎn)超石油，國產(chǎn)芯片的占比則只有約10%左右。“缺芯之痛”一直是制約國內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的一大瓶頸。特別是一些高端芯片，如存儲(chǔ)器、中央處理器等，更是幾乎完全要依賴進(jìn)口。

　　正是為提升半導(dǎo)體芯片國產(chǎn)化率，擺脫產(chǎn)業(yè)嚴(yán)重受制于人的局面，2014年國家發(fā)布了《集成電路發(fā)展規(guī)劃綱要》，并成立逾千億規(guī)模的國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，這些政策都為國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)帶來了新的機(jī)遇和信心。

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈通常包括設(shè)計(jì)、制造、封裝測試等環(huán)節(jié)。華虹宏力作為芯片代工企業(yè)，伴隨其自身發(fā)展的同時(shí)，也有效帶動(dòng)了上下游企業(yè)的發(fā)展。

　　此次上海華虹集團(tuán)和無錫市政府簽約推動(dòng)的合作項(xiàng)目將分期建設(shè)數(shù)條12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線。其中一期項(xiàng)目將建設(shè)一條月產(chǎn)能約4萬片的12英寸生產(chǎn)線以及相關(guān)配套設(shè)施。首期項(xiàng)目實(shí)施后，將適時(shí)啟動(dòng)第二條生產(chǎn)線建設(shè)。

　　華虹宏力積極在萬物互聯(lián)浪潮下，市場戰(zhàn)略布局和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃轉(zhuǎn)趨積極。日前上海華虹(集團(tuán))有限公司董事長、上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)會(huì)長張素心曾表示，承擔(dān)建設(shè)國家“909”工程以來，華虹集團(tuán)已建成200mm和300mm兩大制造平臺(tái)和國家級集成電路研發(fā)中心，芯片產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子信息產(chǎn)業(yè)各領(lǐng)域，未來將持續(xù)朝向自主可控、做大做強(qiáng)集成電路制造業(yè)邁進(jìn)。

　　目前華虹宏力較受認(rèn)可的芯片代工領(lǐng)域包括嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)、功率器件及電源管理技術(shù)等，并積極布局微控制器(MCU)、新能源汽車和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

　　而在技術(shù)發(fā)展路線圖方面，隨著90納米嵌入式NVM技術(shù)的成功開發(fā)，目前華虹宏力越來越多的智能卡客戶產(chǎn)品持續(xù)導(dǎo)入至90納米工藝技術(shù)。華虹宏力也繼續(xù)開發(fā)包括射頻絕緣體上硅(SOI)器件在內(nèi)的射頻相關(guān)技術(shù)，以滿足持續(xù)增長的智能手機(jī)的市場需求以及未來5G蜂窩通信的發(fā)展及應(yīng)用。

　　在工藝平臺(tái)上，涵蓋了SONOS嵌入式閃存和EEPROM工藝、浮柵型嵌入式閃存及EEPROM工藝、硅基射頻工藝、功率器件工藝、電源管理IC工藝以及設(shè)計(jì)服務(wù)與IP支持，從IP、IC設(shè)計(jì)服務(wù)、EDA工具、光罩制造等產(chǎn)品和服務(wù)提供晶圓代工較完整的解決方案。

　　值得一提的是，華虹宏力已在智能卡和物聯(lián)網(wǎng)方面耕耘多年，擁有突出的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。有SONOSFlash和SuperFlash技術(shù)，以及eFlash+高壓和eFlash+射頻(RF)兩個(gè)衍生工藝平臺(tái)，技術(shù)節(jié)點(diǎn)涵蓋0.18微米到90納米。同時(shí)還可為客戶提供高性能、高密度的標(biāo)準(zhǔn)單元庫，并可根據(jù)不同需求為客戶定制高速度、低功耗、超低靜態(tài)功耗的嵌入式閃存IP、嵌入式電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)IP，減小低功耗設(shè)計(jì)難度。