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          存儲(chǔ)器分類匯總,DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎?

          作者: 時(shí)間:2017-08-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            RAM:由字面意思就可以理解,S SRAM (下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM,random access memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的縮寫,下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲(chǔ)器的區(qū)別。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201708/362675.htm

            SRAM:靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,就是它不需要刷新電路,不像動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣,每隔一段時(shí)間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低,不適合做容量大的內(nèi)存,一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來(lái)做CPU啟動(dòng)時(shí)用的。

            ,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,需要不斷的刷新,才能保存數(shù)據(jù)。 而且是行列地址復(fù)用的,許多都有頁(yè)模式。

            SDRAM:同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,像電腦的內(nèi)存就是用的這種RAM叫DDR SDRAM。其集成度非常高,因?yàn)槭莿?dòng)態(tài)的,所以必須有刷新電路,每隔一段時(shí)間必須得刷新數(shù)據(jù)。其存儲(chǔ)單元不是按線性排列的,是分頁(yè)的。一般的嵌入式產(chǎn)品里面的內(nèi)存都是用的SDRAM。

            DDR SDRAM: 雙通道同步動(dòng)態(tài)RAM,需要刷新,速度快,容量大。(目前電腦就是用的DDR的內(nèi)存條都好幾代了)

            ROM:只讀存儲(chǔ)器的總稱。以下這幾種紅色字體的都是屬于ROM

            PROM:可編程只讀存儲(chǔ)器,只能寫一次,寫錯(cuò)了就得報(bào)廢,現(xiàn)在用得很少了,好像那些成本比較低的OPT單片機(jī)里面用的就是這種存儲(chǔ)器吧。

            EPROM:可擦除可編程存儲(chǔ)器,這東西也比較古老了,是EEPROM的前身,在芯片的上面有個(gè)窗口,通過(guò)紫外線的照射來(lái)擦除數(shù)據(jù)。非常之麻煩。

            EEPROM:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器,比之EPROM就先進(jìn)點(diǎn)了,可以用電來(lái)擦除里面對(duì)數(shù)據(jù),也是現(xiàn)在用得比較多的存儲(chǔ)器,比如24CXX系列的EEPROM。

            NANDFLASH和NORFLASH都是現(xiàn)在用得比較多的非易失性閃存。NOR采用的并行接口,其特點(diǎn)讀取的速度比之NAND快樂(lè)很多倍,其程序可以直接在NOR里面運(yùn)行。但是它的擦除速度比較慢,集成度低,成本高的?,F(xiàn)在的NOR的容量一般在2M左右,一般是用在代碼量小的嵌入式產(chǎn)品方面。還有就是在ARM9的開(kāi)發(fā)板上可以看見(jiàn)。

            而NAND呢,采用的是串行的接口,CPU從里面讀取數(shù)據(jù)的速度很慢,所以一般用NAND做閃存的話就必須把NAND里面的數(shù)據(jù)先讀到內(nèi)存里面,然后CPU才能夠執(zhí)行。就跟電腦的硬盤樣的。但是它的集成度很高,我的ARM9的開(kāi)發(fā)板上面一塊256M的NAND還沒(méi)有一塊2M的NOR的一半大,所以成本很低。還有就是它的擦除速度也的NOR要快。要不然的話那就真的悲劇了,假如擦除一塊2M的NOR要一分鐘,如果NAND的擦除速度比NOR還要慢,那擦除一塊256M的NAND不是要幾個(gè)小時(shí)。NAND一般是用在那些要跑大型的操作系統(tǒng)的嵌入式產(chǎn)品上面,比如LINUX啊,WINCE啊。NOR可是可以跑,可以把LINUX操作系統(tǒng)剪裁到2M以內(nèi),一個(gè)產(chǎn)品難道只去跑系統(tǒng)嗎?用戶的應(yīng)用程序呢!其實(shí)很多時(shí)候,一個(gè)嵌入式產(chǎn)品里面,操作系統(tǒng)占的存儲(chǔ)空間只是一小部分,大部分都是給用戶跑應(yīng)用程序的。就像電腦,硬盤都是幾百G,可是WINDOWNS操作系統(tǒng)所占的空間也不過(guò)幾G而已。

            DRAM、SDRAM和SRAM這幾種電腦常用的內(nèi)存的區(qū)別

            學(xué)習(xí)在于總結(jié),由是乎抽點(diǎn)時(shí)間總結(jié)了下。

            SRAM : 靜態(tài)RAM,不用刷新,速度可以非??欤馛PU內(nèi)部的cache,都是靜態(tài)RAM,缺點(diǎn)是一個(gè)內(nèi)存單元需要的晶體管數(shù)量多,因而價(jià)格昂貴,容量不大。

            DRAM: 動(dòng)態(tài)RAM,需要刷新,容量大。

            SDRAM :同步動(dòng)態(tài)RAM,需要刷新,速度較快,容量大。(以前的電腦用的內(nèi)存條)

            DDR SDRAM: 雙通道同步動(dòng)態(tài)RAM,需要刷新,速度快,容量大。(目前電腦就是用的DDR的內(nèi)存條都好幾代了)

            具體解釋一:

            什么是DRAM

            DRAM 的英文全稱是'Dynamic RAM',翻譯成中文就是'動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器'。DRAM用于通常的數(shù)據(jù)存取。我們常說(shuō)內(nèi)存有多大,主要是指DRAM的容量。

            什么是SRAM

            SRAM 的英文全稱是'Static RAM',翻譯成中文就是'靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器'。SRAM主要用于制造Cache。

            什么是SDRAM

            SDRAM 的英文全稱是'Synchronous DRAM',翻譯成中文就是'擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存',它比一般DRAM和EDO RAM速度都快,它已經(jīng)逐漸成為PC機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存配置。

            什么是Cache

            Cache 的英文原意是'儲(chǔ)藏',它一般使用SRAM制造,它與CPU之間交換數(shù)據(jù)的速度高于DRAM,所以被稱作'高速緩沖存儲(chǔ)器',簡(jiǎn)稱為'高速緩存'。由于CPU的信息處理速度常常超過(guò)其它部件的信息傳遞速度,所以使用一般的DRAM來(lái)作為信息存儲(chǔ)器常常使CPU處于等待狀態(tài),造成資源的浪費(fèi)。Cache就是為了解決這個(gè)問(wèn)題而誕生的。在操作系統(tǒng)啟動(dòng)以后,CPU就把DRAM中經(jīng)常被調(diào)用的一些系統(tǒng)信息暫時(shí)儲(chǔ)存在Cache里面,以后當(dāng)CPU需要調(diào)用這些信息時(shí),首先到Cache里去找,如果找到了,就直接從Cache里讀取,這樣利用Cache的高速性能就可以節(jié)省很多時(shí)間。大多數(shù)CPU在自身中集成了一定量的Cache,一般被稱作'一級(jí)緩存'或'內(nèi)置Cache'。這部分存儲(chǔ)器與CPU的信息交換速度是最快的,但容量較小。大多數(shù)主板上也集成了Cache,一般被稱作'二級(jí)緩存'或'外置Cache',比內(nèi)置Cache容量大些,一般可達(dá)到256K,現(xiàn)在有的主板已經(jīng)使用了512K~2M的高速緩存。在最新的Pentium二代CPU內(nèi)部,已經(jīng)集成了一級(jí)緩存和二級(jí)緩存,那時(shí)主板上的Cache就只能叫作'三級(jí)緩存'了。

            什么是閃存

            閃存 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造,翻譯成中文就是'閃動(dòng)的存儲(chǔ)器',通常把它稱作'快閃存儲(chǔ)器',簡(jiǎn)稱'閃存'。這種存儲(chǔ)器可以直接通過(guò)調(diào)節(jié)主板上的電壓來(lái)對(duì)BIOS進(jìn)行升級(jí)操作。

            解釋為什么dram要刷新,sram不需要:

            這個(gè)是由于ram的設(shè)計(jì)類型決定的,dram用了一個(gè)t和一個(gè)rc電路,導(dǎo)致電容毀漏電和緩慢放電。所以需要經(jīng)常的刷新來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)

            具體解釋二:

            DRAM,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,需要不斷的刷新,才能保存數(shù)據(jù)。 而且是行列地址復(fù)用的,許多都有頁(yè)模式。

            SRAM,靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,加電情況下,不需要刷新,數(shù)據(jù)不會(huì)丟失,而且,一般不是行列地址復(fù)用的。

            SDRAM,同步的DRAM,即數(shù)據(jù)的讀寫需要時(shí)鐘來(lái)同步。

            DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題,容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM,但是現(xiàn)在,SDRAM的速度也已經(jīng)很快了,時(shí)鐘好像已經(jīng)有150兆的了。那么就是讀寫周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高,但是實(shí)際吞吐率要打折扣。以PC133為例,它的時(shí)鐘周期是7.5ns,當(dāng)CAS latency=2 時(shí),它需要12個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)讀操作,10個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)寫操作。不過(guò),如果以交替方式訪問(wèn)Bank,SDRAM可以在每個(gè)周期完成一個(gè)讀寫操作(當(dāng)然除去刷新操作)。其實(shí)現(xiàn)在的主流高速存儲(chǔ)器是SSRAM(同步SRAM)和SDRAM(同步DRAM)。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片,最大工作速度是166MHz;可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片,最大工作速度是133MHz。

            SRAM是Static Random Access Memory的縮寫,中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器,它是一種類型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。“靜態(tài)”是指只要不掉電,存儲(chǔ)在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會(huì)丟失。這一點(diǎn)與動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)不同,DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作。 然后,我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲(chǔ)器(ROM)和Flash Memory相混淆,因?yàn)镾RAM是一種易失性存儲(chǔ)器,它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)。“隨機(jī)訪問(wèn)”是指存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以以任何順序訪問(wèn),而不管前一次訪問(wèn)的是哪一個(gè)位置。

            SRAM中的每一位均存儲(chǔ)在四個(gè)晶體管當(dāng)中,這四個(gè)晶體管組成了兩個(gè)交叉耦合反向器。這個(gè)存儲(chǔ)單元具有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài),通常表示為0和1。另外還需要兩個(gè)訪問(wèn)晶體管用于控制讀或?qū)懖僮鬟^(guò)程中存儲(chǔ)單元的訪問(wèn)。因此,一個(gè)存儲(chǔ)位通常需要六個(gè)MOSFET。對(duì)稱的電路結(jié)構(gòu)使得SRAM的訪問(wèn)速度要快于DRAM。SRAM比DRAM訪問(wèn)速度快的另外一個(gè)原因是SRAM可以一次接收所有的地址位,而DRAM則使用行地址和列地址復(fù)用的結(jié)構(gòu)。

            SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆,SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM),這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆,PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。

            從晶體管的類型分,SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分,SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。異步SRAM的訪問(wèn)獨(dú)立于時(shí)鐘,數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問(wèn)都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號(hào)均于時(shí)鐘信號(hào)相關(guān)。

            DRAM:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,需要不斷的刷新,才能保存數(shù)據(jù)。而且是行列地址復(fù)用的,許多都有頁(yè)模式。

            SRAM:靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,加電情況下,不需要刷新,數(shù)據(jù)不會(huì)丟失,而且,一般不是行列地址復(fù)用的。

            SDRAM:同步的DRAM,即數(shù)據(jù)的讀寫需要時(shí)鐘來(lái)同步。

            主要是存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)不同導(dǎo)致了容量的不同。一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元大約需要一個(gè)晶體管和一個(gè)電容(不包括行讀出放大器等),而一個(gè)SRAM存儲(chǔ)單元大約需要六個(gè)晶體管。DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題,容量較SRAM大,但是讀寫速度不如SRAM。

            一個(gè)是靜態(tài)的,一個(gè)是動(dòng)態(tài)的,靜態(tài)的是用的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)保存信息,而動(dòng)態(tài)的是用電子,要不時(shí)的刷新來(lái)保持。

            內(nèi)存(即隨機(jī)存貯器RAM)可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM,和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM兩種。我們經(jīng)常說(shuō)的“內(nèi)存”是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。

            SRAM其實(shí)是一種非常重要的存儲(chǔ)器,它的用途廣泛。SRAM的速度非???,在快速讀取和刷新時(shí)能夠保

            持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因?yàn)槿绱?,才使其發(fā)展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU內(nèi)部的一級(jí)緩存以及內(nèi)置的二級(jí)緩存。僅有少量的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器以及路由器上能夠使用SRAM。



          關(guān)鍵詞: DRAM NAND

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