各家爭鳴存儲器技術標準 儲存技術之爭再掀戰(zhàn)火

　　在2017年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)上，可見各主要NAND Flash供應商持續(xù)推出更新式存儲器芯片以期能主導競爭優(yōu)勢，幾乎各主要供應商也都在談論簡化Flash儲存系統內建軟件的必要性，以減少應用在資料中心時出現的延遲問題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(SSD)全新尺寸標準，另值得注意的是，本屆大會上甚至連主要硬盤(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關技術資訊或發(fā)展趨勢。

　　根據科技網站EE Times報導，在本屆大會上，三星電子(Samsung Electronics)承諾將在2018年推出Tbit級芯片，東芝(Toshiba)也展示將于2018年出貨的96層768-Gbit芯片，美光(Micron)也介紹其512-Gbit芯片技術，這3家業(yè)者均表示，將提供每單元4位元的版本，但從這所有芯片的細節(jié)來看，仍均缺乏創(chuàng)建被視為秘密武器的大型NAND堆疊的技術。

　　對此東芝Flash業(yè)務資深人士Jeff Oshima指出，透過多個層創(chuàng)建均勻的孔以及從上至下取得可提供相同效能表現的存儲器單元，是最大的挑戰(zhàn)。因此如東芝是在堆疊的不同部位上采用不同的單元設計，該公司96層設計則是基于堆疊中的堆疊進行。

　　不過，Oshima未就東芝采用多少不同的單元設計或堆疊進行說明。另外Oshima也認為，Flash硬盤在2018年將轉移至PCIe Gen 4，東芝計劃該公司2017年所有新硬盤都采3D NAND芯片技術，到了2018年所有硬盤的芯片最小單位為每單元3位元。

　　美光方面，雖然表示該公司512-Gbit芯片在每平方公厘Gbits的密度表現上，較該公司兩大主要競爭對手的技術高出16~20%，不過美光未提供其芯片大小，或何時該公司將支持每單元4位元技術水準的時間表。

　　本屆大會上，也可見主要供應商試圖定義最佳的固態(tài)硬盤(SSD)新尺寸標準，以讓盡可能多的Flash可安裝至資料中心機架安裝系統中，如三星展示，該公司所推出、被稱為M.3的新尺寸標準為30.5 x 110.0 x 4.38mm;英特爾(Intel)則發(fā)表更長的新尺寸標準，命名為“ruler”。

　　此外，在本屆大會上幾乎所有主要供應商均談論到簡化Flash儲存系統軟件的必要性，以減少應用在資料中心領域形成的延遲問題，不過也有不少業(yè)者提出明顯不同的方法，如三星提出一個有助減少延遲問題的全新儲存軟件技術，稱為“key-value”方法，不過三星也承認將需要多年時間為其重寫現有應用程式(App)。

　　西數(WD)技術長Martin Fink認為，絕大多數資料中心Flash儲存裝置的延遲問題不是起因于芯片本身，而是來自于系統級軟件的復雜堆疊，因此西數正投入更多時間資源在尋找合適的硬件與軟件組合。

　　至于硬盤在本屆大會上被提到的次數甚少，甚至西數及希捷(Seagate)兩大硬盤廠也很少提及硬盤產品，僅希捷提到未來幾年所有資料中心零組件采購對硬盤的支出比重，將從15%降至5%。美光則稱在資料中心領域Flash已取代高端硬盤，但在每單元4位元芯片可能在2018年稍晚問世前，硬盤在資料中心市場仍具沉默的龐大影響力。

　　有鑒于3D NAND帶動的存儲器技術成長性，半導體設備供應商Lam Research調升對未來5年全球NAND資本支出規(guī)模預估，從500億美元調升至700億美元，此預估值是基于預期未來5年NAND Flash可達40%位元成長率進行估算。