超低功耗CBRAM存儲(chǔ)器技術(shù)　或能加速IoT應(yīng)用發(fā)展

　　屬于非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的快閃存儲(chǔ)器(flash memory)過去在智能手機(jī)、平板電腦等市場(chǎng)需求的帶動(dòng)下，快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)快速成長，然隨著快閃存儲(chǔ)器技術(shù)逐漸瀕臨尺寸與性能極限，各式新存儲(chǔ)器技術(shù)陸續(xù)浮上臺(tái)面，導(dǎo)電橋式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(conductive- bridging RAM;CBRAM)就是相當(dāng)被看好的接班技術(shù)之一。

　　The Daily Reckoning網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，過去幾10年來，半導(dǎo)體技術(shù)的重大進(jìn)展多是來自于微縮，然隨著每次的微縮，快閃存儲(chǔ)器都會(huì)變得更不可靠，且這種以電荷儲(chǔ)存為基礎(chǔ)的存儲(chǔ)器技術(shù)也會(huì)變得更加耗電，對(duì)于正在起飛的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用而言，恐怕還得仰賴新一代的存儲(chǔ)器技術(shù)來滿足其超低功耗之需求。

　　在各種新存儲(chǔ)器技術(shù)當(dāng)中，由美國亞歷桑納州立大學(xué)(Arizona State University)所開發(fā)出的導(dǎo)電橋式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器也開始嶄露頭角，該技術(shù)屬于電阻式存儲(chǔ)器，主要是利用記憶元件電阻之大小作為資訊儲(chǔ)存狀態(tài)判讀之依據(jù)，不同的電阻代表不同的儲(chǔ)存狀態(tài)，其在存取速度及能耗表現(xiàn)上都優(yōu)于快取存儲(chǔ)器，被視為最有潛力成為下一世代的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器元件之一。

　　在應(yīng)用上，導(dǎo)電橋式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的資料寫入速度是快閃存儲(chǔ)器的20倍，且執(zhí)行該任務(wù)時(shí)的耗電量也比快閃存儲(chǔ)器低10~100倍，對(duì)于極度要求低功耗的IoT應(yīng)用而言，可說是非常重要的特性。

　　目前多種不同的產(chǎn)業(yè)中的大廠產(chǎn)品已可見到導(dǎo)電橋式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的蹤跡，包括汽車零組件之Delphi Automotive、消費(fèi)性電子產(chǎn)品之Garmin、Roku、通訊之三星電子(Samsung Electronics)、博通(Broadcom)、醫(yī)療裝置之嬌生(Johnson & Johnson)及GE(General Electric)、個(gè)人電腦之戴爾(Dell)、惠普(HP)及聯(lián)想等。

　　由于CBRAM屬于通用的存儲(chǔ)器技術(shù)，舉凡穿戴式裝置、感應(yīng)器節(jié)點(diǎn)、智能電表(smart meter)、相機(jī)等皆可采用此技術(shù)，應(yīng)用的范圍非常廣，能為市場(chǎng)上提供速度更快、能源效率更好的存儲(chǔ)器解決方案，并可望為IoT發(fā)展帶來新動(dòng)力。