針對(duì)DDR3存儲(chǔ)器模塊應(yīng)用設(shè)計(jì)的集成EEPROM溫度傳感器
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)推出來自收購Catalyst半導(dǎo)體而得的溫度傳感器新產(chǎn)品線的第二款產(chǎn)品—— CAT34TS02。這新器件結(jié)合了12位(另加標(biāo)記位)數(shù)字輸出溫度傳感器和2千比特(Kb)串行存在檢測(SPD)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM),用于高速個(gè)人電腦(PC)和膝上型電腦、顯卡、服務(wù)器、電信設(shè)備和基站、環(huán)境控制系統(tǒng)及工業(yè)處理控制設(shè)備中的第三代雙倍數(shù)據(jù)率 (DDR3)應(yīng)用。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201710/367057.htmCAT34TS02符合電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì)(JEDEC)的JC42.4規(guī)范,在3.0至3.6伏(V)器件電源電壓范圍內(nèi),75°C至95°C 和+20°C至+100°C工作溫度范圍時(shí)分別提供±1°C和±3°C的溫度傳感精度。它能夠每秒測量和記錄系統(tǒng)溫度近10次,并將相關(guān)讀數(shù)與內(nèi)部存儲(chǔ)器 寄存器中存儲(chǔ)的3個(gè)觸發(fā)限制值進(jìn)行比較。主系統(tǒng)能夠通過I2C/SMBus接口檢索讀數(shù),而開漏事件引腳會(huì)發(fā)出高出限制值或低于限制值條件的信號(hào)。
對(duì)于通用溫度傳感器應(yīng)用而言,將溫度傳感器與非易失性EEPROM集成在一起,消除了使用外部存儲(chǔ)器來存儲(chǔ)傳感器和閾值配置信息的需要。此 外,CAT34TS02的非易失性存儲(chǔ)器在上電時(shí)會(huì)保留定制配置傳感器和閾值,從而提供簡單、節(jié)省空間和高性價(jià)比的解決方案。
集成的2 Kb SPD EEPROM內(nèi)部組織為16頁,每頁16字節(jié),總計(jì)256字節(jié)。這EEPROM具有16字節(jié)頁寫緩沖,支持標(biāo)準(zhǔn)(100 kHz)和快速(400 kHz) I2C協(xié)定,并具備所有DDR3雙列直插存儲(chǔ)器模塊(DIMM)定義為標(biāo)準(zhǔn)的永久及可逆軟件寫保護(hù)功能。
產(chǎn)品特性
• 12位數(shù)字溫度傳感器,帶2 Kb集成串行存在檢測(SPD) EEPROM
• 符合JEDEC針對(duì)DDR3 DIMM存儲(chǔ)器模塊的JC42.4規(guī)范
• 工作溫度范圍:+20°C至+100°C
• 電源電壓:3.0 V至3.6 V
• I2C/SMBus接口
• 封裝:8焊墊TDFN (2 mm x 3 mm)
評(píng)論