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	 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 三星擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過剩
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          三星擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過剩
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2017-11-16
				來源：中央社
				
				
				
				
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          　　三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為，3D NANDFlash恐將供過于求。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201711/371552.htm

          　　IC Insights預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體資本支出金額將達(dá)908億美元，將成長35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺(tái)積電的總和還多。
          

          　　三星今年的資本支出主要投入3D儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)，將達(dá)140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進(jìn)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)制程技術(shù)，并彌補(bǔ)因制程轉(zhuǎn)換造成的產(chǎn)能損失。
          

          　　在晶圓代工方面，IC Insights表示，三星將投入50億美元擴(kuò)增10奈米制程產(chǎn)能。
          

          　　除三星投入巨額資本支出，SK海力士(Hynix)與美光(Micron)等三星競爭對手資本支出也將顯著增加，IC Insights認(rèn)為，這恐將引發(fā)3D NAND Flash市場供過于求。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            三星
                        NAND
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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