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	 > 電源與新能源 > 新品快遞 > 600 V CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET將性能提升到全新水準(zhǔn)
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          600 V CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET將性能提升到全新水準(zhǔn)
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2017-11-25
				來(lái)源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          　　017年11月24日，德國(guó)慕尼黑訊—憑借600 V CoolMOSCFD7，英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結(jié)MOSFET技術(shù)。該600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿足了高功率SMPS市場(chǎng)對(duì)諧振拓?fù)涞男枨蟆Ｋ腖LC和ZVS PSFB等軟開(kāi)關(guān)拓?fù)渚邆錁I(yè)內(nèi)領(lǐng)先的效率和可靠性。這使其非常適合服務(wù)器、電信設(shè)備電源和 電動(dòng)汽車(chē)充電站等高功率SMPS應(yīng)用。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201711/372028.htm
          　　  

           
          　　  

           
          　　該600 V CoolMOS CFD7的前身是CoolMOS CFD2。新MOSFET的效率比它的前身或競(jìng)爭(zhēng)性產(chǎn)品高出1.45%之多。它不僅擁有快速開(kāi)關(guān)技術(shù)的所有優(yōu)勢(shì)，還兼具高換相穩(wěn)固性，同時(shí)不影響在設(shè)計(jì)過(guò)程中的輕松部署。該600 V CoolMOS CFD7擁有更低的柵極電荷(Qg)和更好的關(guān)斷性能。此外，其反向恢復(fù)電荷(Qrr)比市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)性產(chǎn)品低69%之多。該600 V CoolMOS CFD7可為T(mén)HD和SMD器件提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的解決方案，從而能夠支持高功率密度解決方案。
           
           
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            英飛凌
                        MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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