摩爾定律：始于半導體 終于物理極限？

　　在信息技術發(fā)展浪潮中，浪潮涌起的高度的衡量一度成為業(yè)界的“心患”。換句話說，如何估量信息技術進步的速度成了困擾業(yè)內人士許久的難題。籍此背景之下，英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾通過大量數(shù)據(jù)調研整理，于1965年，正式提出“摩爾定律”。迄今為止，此定律已歷經了半世紀風雨，對于半導體產業(yè)發(fā)展，更是產生了不可磨滅的作用。

　　何為“摩爾定律”?

　　在文章《讓集成電路填滿更多的組件》中，摩爾預言，半導體芯片中集成的晶體管和電阻數(shù)量將每年增加一倍。隨后不久，摩爾另外撰寫論文聲明，將“每年增加一倍”修改為“每兩年增加一倍”。詳細地說，摩爾定律即為：當價格不變時，半導體芯片中可容納的元器件數(shù)目，約兩年便會增加一倍，其性能也將同比提升。

　　當然，通過后來數(shù)十年的數(shù)據(jù)證明，半導體芯片中可容納的元器件數(shù)目，約18個月便將增加一倍(即摩爾前后預測的平均值)。對于此，摩爾表示，他并未提過“每18個月增加一倍”推論，而且根據(jù)其數(shù)據(jù)圖顯示，這個變化周期便是24個月。

　　事實上，作為一種對發(fā)展趨勢的分析預測規(guī)則，摩爾定律一直在質疑與自我證明中徘徊。由于集成度與晶體管價格成反比的特性，使得摩爾定律成為了經濟學效益的一種推測手段。以晶圓廠生產IC為例，在制程技術不斷進步的前提下，每隔18個月，IC的產量將提升一倍，換個角度來看，其成本將降低50%。與此同時，在半導體行業(yè)制程技術發(fā)展的過程中，摩爾定律漸漸成為衡量半導體行業(yè)發(fā)展腳步的一道標桿，如果每個18個月半導體企業(yè)的制程工藝未達到摩爾定律預測的數(shù)據(jù)，那么對不起，有可能你已經“Out”了(即落后于目前半導體行業(yè)的平均水平)，從這方面來看，這種推測方式對于半導體行業(yè)的經濟效益研究起到了一種良好的輔助作用。

　　摩爾定律的質疑與自我證明

　　迄今為止，摩爾定律“問世”已然五十載有余，在半導體芯片制程工藝水平飛速提升的同時，人們不禁有些疑問，半導體芯片單位面積可集成的元件數(shù)量最終將達到多少?摩爾定律會一直存在下去嗎?

　　其實，半導體芯片單位面積可集成的元件數(shù)量最終將達到多少這個問題并沒有明確的答案，但據(jù)專家預測，半導體芯片制程工藝的物理極限為2-3nm，以此推算，摩爾定律似乎也只能“存活”10年之久。

　　摩爾定律會不會過時?摩爾定律還能生產多久?這個話題已經探討了數(shù)十年之久，比如當半導體芯片主流制程技術為90nm時，有人認為45nm將成為物理極限;當制程技術達到45nm時，有的觀點認為22nm將成為極限。有句俗語叫作“好刀不怕磨”，摩爾定律正是這把好刀。

　　那么何為物理極限呢?從技術方面來看，隨著晶體管尺寸的不斷縮小，源極和漏級之間的漏電現(xiàn)像會增大，從而導致晶體管無法正常工作?；诖谁h(huán)境之下，三星推出的3D晶體管技術，很好的解決了此問題，這也使得制程工藝再進一步，從而逐漸達到如今的10nm。

　　在今年9月份舉辦的“英特爾精尖制造日”峰會中，英特爾以14nm和10nm制程工藝為例，通過其晶體管密度以及成本對比，再一次體現(xiàn)出了摩爾定律的準確度。英特爾高級院士、技術與制造事業(yè)部制程架構與集成總監(jiān)Mark Bohr也表示，在技術層面，英特爾依舊堅守Tick-Tock戰(zhàn)略，這也是摩爾定律最好的體現(xiàn)。

　　摩爾定律的影響

　　起初，摩爾定律的提出只為預測半導體行業(yè)的發(fā)展趨勢，但是隨著其在半導體行業(yè)的聲名鵲起，外界各行各業(yè)對于競相仿效，從而衍生出多版本的“摩爾定律”，其深遠影響使我們的生活獲益良多。

　　在經濟方面，隨著制程工藝的逐漸提升，晶體管體積也越來越小，但性能卻得到了較大的提升，成本也隨之不斷降低。

　　在技術方面，摩爾的推演總結將復雜、昂貴的計算普及為生活的必需品，從數(shù)據(jù)分析，目前這些的創(chuàng)新都源于摩爾的發(fā)現(xiàn)。

　　在社會影響方面，計算的普及改變了我們的生活方式，也推動了科技以及社會的發(fā)展，這對于各行各業(yè)來說，都是一大幸事。

　　摩爾定律會否消亡?

　　事實上，自摩爾定律被推出后，其存亡時間一直是業(yè)界所爭論不休的話題。以如今來說，當半導體行業(yè)無數(shù)業(yè)內人士發(fā)聲表示，摩爾定律將消亡時，科技界卻爆出一則驚人消息：1nm制程工藝“問世”。這則消息是由勞倫斯伯克利國家實驗室傳出的，其實驗室研究人員阿里·加維表示：“此項研究說明，我們的晶體管將不再局限5nm柵極，如果使用適當?shù)陌雽w材料，摩爾定律將繼續(xù)有效?！?/p>

　　據(jù)了解，加維所說的適當?shù)陌雽w材料為二硫化鉬，硅材料在柵極長度為5nm甚至更長時，其優(yōu)勢相當明顯，但其柵極長度在5nm之下時，將會產生“隧道效應”，從而阻止電流從源極流向漏極。這種情況將會使電子失控，無法達到我們想要的效果。而二硫化鉬則有所不同，在此環(huán)境之下，它流動的電子更重，所以可以通過更短的柵極來控制電流從源極流向漏極。通過一系列實驗測試，勞倫斯伯克利國家實驗室研究人員摒棄傳統(tǒng)的光刻技術，選擇1nm的碳納米管作為柵極，從而更好的配合二硫化鉬晶體管控制其電子流動。

　　這則實驗研究成果再次證明了摩爾定律依舊存在，而從目前來看，似乎摩爾定律的消亡直接取決于半導體芯片制程工藝的物理極限。如果半導體芯片制程工藝未達極限，那么摩爾定律將一直“活著”。其實，摩爾定律雖然源于半導體行業(yè)，但并不會終止于半導體行業(yè)，其思想與觀點奠定了所有現(xiàn)代技術豐富的基礎，其創(chuàng)新的相關產品已經完美的與我們生活融合在一起。未來，它將代表一種趨勢一直存在于物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療以及教育等各個領域。