旺宏NAND論文 獲國際肯定
內(nèi)存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果,昨(29)日宣布,最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構(gòu)的論文入選國際電子組件大會(huì)(IEDM),被評(píng)選為「亮點(diǎn)論文」,是今年臺(tái)灣產(chǎn)學(xué)研界唯一獲選的廠商,彰顯旺宏在先進(jìn)內(nèi)存研發(fā)實(shí)力受到國際高度肯定,也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201711/372280.htm旺宏強(qiáng)調(diào),獨(dú)立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)(SGVC),相較其他大廠現(xiàn)有技術(shù),以相同的堆棧層數(shù),卻可達(dá)到二到三倍的內(nèi)存密度。
目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NAND 型閃存開發(fā),旺宏開發(fā)的SGVC新3D NAND Flash只要堆棧16層,內(nèi)存密度即可達(dá)到現(xiàn)行閘極環(huán)繞型結(jié)構(gòu) (GAA)所堆棧48效果。
此外,由于記憶晶胞為平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu),可大幅減少幾何效應(yīng)對(duì)于整體電性的敏感度,適合于需要頻繁讀取數(shù)據(jù)的各式應(yīng)用,低層數(shù)的堆棧也有利提升制程良率。
評(píng)論