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          明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
          
						
          
				作者：
				時間：2017-12-25
				來源：集微網(wǎng)
				
				
				
				
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            編者按：DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價格同步高漲，而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過于求。
          
            
          
			
			
          
				
				
			
          
                
			
          　　內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201712/373483.htm
          　　DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。
          　　內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補供貨缺口。
          　　另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM 大廠仍理性看待產(chǎn)能議題，并未有大幅破壞產(chǎn)業(yè)生態(tài)的計劃，持續(xù)正面看待 DRAM 市況。
          　　NAND Flash 方面，威剛指出，隨著供貨商 3D NAND Flash 良率逐步改善，預(yù)期明年第 1 季整體供需將出現(xiàn)轉(zhuǎn)變。
          　　美光預(yù)期，明年 DRAM 位供給將增加約 20%，市場環(huán)境仍將持續(xù)健康;NAND Flash 位供給則將增加近 50%，供給增加幅度將遠高于 DRAM。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            NAND
                        DRAM
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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