[5納米碳納米管CMOS器件]入選高校十大科技進展

　　日前，由教育部科學技術委員會組織評選的2017年度“中國高等學校十大科技進展”經過高校申報和公示、形式審查、學部初評、項目終審等評審流程后在京揭曉。

　　由北京大學申報的”5納米碳納米管CMOS器件“入選。

　　芯片是信息時代的基礎與推動力，現(xiàn)有CMOS技術將觸碰其極限。碳納米管技術被認為是后摩爾時代的重要選項。

　　理論研究表明，碳管晶體管有望提供更高的性能和更低的功耗，且較易實現(xiàn)三維集成，系統(tǒng)層面的綜合優(yōu)勢將高達上千倍，芯片技術由此可能提升至全新高度。

　　北京大學電子學系彭練矛教授團隊在碳納米管CMOS器件物理和制備技術、性能極限探索等方面取得重大突破，放棄傳統(tǒng)摻雜工藝，通過控制電極材料來控制晶體管的極性，抑制短溝道效應，首次實現(xiàn)了5納米柵長的高性能碳管晶體管，性能超越目前最好的硅基晶體管，接近量子力學原理決定的物理極限，有望將CMOS技術推進至3納米以下技術節(jié)點。

　　2017年1月20日，標志性成果以Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths 為題，在線發(fā)表于《科學》(Science, 2017, 355: 271-276);被包括IBM研究人員在內的同行在《科學》《自然?納米技術》等期刊24次公開正面引用，并入選ESI高被引論文。相關工作被Nature Index、IEEE Spectrum、Nano Today、《科技日報》等國內外主流學術媒體和新華社報道;

　　《人民日報》(海外版)評價碳管晶體管的“工作速度是英特爾最先進的14納米商用硅材料晶體管的三倍，而能耗只是其四分之一”，意味著中國科學家“有望在芯片技術上趕超國外同行”，“是中國信息科技發(fā)展的一座新里程碑”。