半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專家柳濱:六大因素驅(qū)動我國集成電路設(shè)備發(fā)展
“我國集成電路年進口額近年來一直保持在2000億美元以上,嚴重依賴進口,市場供需關(guān)系嚴重失衡。”中國電子科技集團公司第四十五研究所集團首席專家柳濱說。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201803/377138.htm從制造技術(shù)來看,我國集成電路與國際先進工藝相差2~3代,設(shè)備嚴重依賴進口,國產(chǎn)化面臨考驗。
目前,國際集成電路制造先進制造技術(shù)是14—10nm工藝節(jié)點,前端制造到達7nm工藝節(jié)點,2018年下半年將量產(chǎn),5—3nm節(jié)點技術(shù)正在研發(fā)中。而國內(nèi)方面,14nm制造技術(shù)預(yù)計2019年實現(xiàn)量產(chǎn),與國際先進工藝存在代差。
柳濱指出,我國集成電路制造裝備與世界先進水平的差距,主要是由我國集成電路制造裝備現(xiàn)狀和固有發(fā)展特點所決定的。
半導(dǎo)體裝備具有技術(shù)門檻高、研發(fā)周期長、工藝線需要反復(fù)驗證的固有特點,牽扯學(xué)科眾多,投資回報周期長。設(shè)備公司要跨過研發(fā)到產(chǎn)業(yè)化,需要國家、下游單位等多方面支持。
作為我國政府實施制造強國戰(zhàn)略的第一個十年行動綱領(lǐng),《中國制造2025》對集成電路裝備國產(chǎn)化提出明確目標(biāo):在2020年之前,90—32納米工藝裝備國產(chǎn)化率達到50%,封測關(guān)鍵裝備國產(chǎn)化率達到50%;在2025年之前,20—14納米工藝裝備國產(chǎn)化率達到30%;到2030年,實現(xiàn)18英寸工藝設(shè)備、EUV光刻機、封測設(shè)備的國產(chǎn)化。
要踐行《中國制造2025》的發(fā)展目標(biāo),需明確驅(qū)動因素,從市場需求、安全保障、自主可控、產(chǎn)業(yè)鏈完整、使命責(zé)任、政策引導(dǎo)六個維度驅(qū)動行業(yè)發(fā)展。
在市場需求的驅(qū)動下,設(shè)備廠商開展超前研究,生產(chǎn)設(shè)備占到投資額度的60%~70%。技術(shù)、資本、知識累積與品牌競爭成為壟斷效應(yīng)的形成要素。
除了技術(shù)原因與商業(yè)競爭,“人為后門”成為產(chǎn)品服務(wù)的安全隱患,安全保障成為裝備發(fā)展的驅(qū)動因素。柳濱指出,裝備的網(wǎng)絡(luò)化程度越高,越存在安全風(fēng)險,未來IC智能制造有可能催生針對安全需求的產(chǎn)品服務(wù)。
要規(guī)避“受制于人”的風(fēng)險,必須形成自主可控的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。柳濱強調(diào),企業(yè)要在整線工藝、特色工藝、單項設(shè)備上尋求突破,減少對全球供應(yīng)鏈的依賴。
設(shè)備是構(gòu)建完整產(chǎn)業(yè)鏈的重要一環(huán)。柳濱強調(diào),半導(dǎo)體不但要有關(guān)鍵設(shè)備的支撐,更要有設(shè)備整合能力。同時,國家電子制造設(shè)備專業(yè)領(lǐng)域的企業(yè)應(yīng)承擔(dān)發(fā)展半導(dǎo)體制造裝備產(chǎn)業(yè)的重任,實現(xiàn)完整的半導(dǎo)體制造裝備產(chǎn)業(yè)鏈,服務(wù)于我國半導(dǎo)體制造的需求。
在國家、行業(yè)、地方三級支持下,《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》、《“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃》都對集成電路設(shè)備做出部署,以14nm節(jié)點為目標(biāo),在裝備、工藝、封裝、材料等方面重點支持已經(jīng)具備產(chǎn)業(yè)能力的企業(yè)。在《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006—2020年)》的指引下,已有30余種高端裝備研制成功,使我國擺脫了集成電路高端裝備基本空白的狀態(tài),集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)得以建立和逐步完善,基本建立了55—28nm工藝段的集成電路制造體系和技術(shù)體系,催生了一些設(shè)備制造公司,吸引了一批國際國內(nèi)資源向集成電路制造設(shè)備行業(yè)聚集。
“回想起2010年我們的裝備在全球占到4%,僅僅十年我們就翻了五倍。”柳濱說。他同時強調(diào),《中國制造2025》的宏偉目標(biāo)是機遇也是挑戰(zhàn),中電科將以集成電路制造裝備為目標(biāo),形成28—14nm核心裝備局部成套及批量生產(chǎn)能力,突破7—5nm核心裝備技術(shù),讓核心裝備進入國際采購清單。
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