美光：存儲(chǔ)器一路好到2021年

　　存儲(chǔ)器大廠(chǎng)美光(Micron)昨(22)日在美國(guó)召開(kāi)分析師大會(huì)，美光執(zhí)行長(zhǎng)Sanjay Mehrotra表示，存儲(chǔ)器市場(chǎng)已出現(xiàn)典范轉(zhuǎn)型，以智能型手機(jī)為中心的行動(dòng)時(shí)代(mobile era)，逐步轉(zhuǎn)進(jìn)人工智能(AI)等的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)時(shí)代(data economy era)。數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)需要搭載大量DRAM及NAND Flash協(xié)助運(yùn)算，存儲(chǔ)器市場(chǎng)可望一路好到2021年。

　　Sanjay Mehrotra表示，2000～2007年是PC及網(wǎng)際網(wǎng)路的時(shí)代，每年創(chuàng)造出的存儲(chǔ)器(包括DRAM、NAND/NOR Flash、SSD等)需求達(dá)2500億GB，平均每年帶來(lái)的產(chǎn)值達(dá)380億美元。2008～2016年進(jìn)入了行動(dòng)時(shí)代，每年創(chuàng)造出高達(dá)7兆GB的存儲(chǔ)器需求，平均每年帶來(lái)的產(chǎn)值達(dá)620億美元。

　　但2017年進(jìn)入了所謂的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)時(shí)代，光去年一年就創(chuàng)造了22兆GB的存儲(chǔ)器需求，市場(chǎng)產(chǎn)值更是暴增至1,280億美元規(guī)模。Sanjay Mehrotra預(yù)估，數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)需要更多的存儲(chǔ)器協(xié)助運(yùn)算及儲(chǔ)存，預(yù)計(jì)至2021年將創(chuàng)造出高達(dá)62兆GB的存儲(chǔ)器需求，市場(chǎng)產(chǎn)值更會(huì)見(jiàn)到爆炸性成長(zhǎng)。

　　在數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)的時(shí)代，AI是主角，創(chuàng)造了龐大的數(shù)據(jù)量及價(jià)值，例如自然語(yǔ)言的運(yùn)算就要大量存儲(chǔ)器協(xié)助運(yùn)算及儲(chǔ)存，圖像數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存也需要更大的存儲(chǔ)器。對(duì)智能型手機(jī)來(lái)說(shuō)，在導(dǎo)入3D感測(cè)、4K影像、虛擬及擴(kuò)充實(shí)境(VR/AR)功能后，終端邊緣運(yùn)算也得搭載更多的DRAM及NAND Flash。再者，正在快速起飛的車(chē)用電子、云端運(yùn)算、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用，對(duì)存儲(chǔ)器需求更是較今年呈現(xiàn)倍數(shù)成長(zhǎng)。

　　對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，DRAM制程進(jìn)入10納米世代后，需要更大的資本支出，但至2021年的位元年復(fù)合成長(zhǎng)率僅20%，NAND Flash進(jìn)入3D NAND制程要全面更改設(shè)備，資本支出同樣龐大，但至2021年的位元年復(fù)合成長(zhǎng)率僅40～45%。

　　Sanjay Mehrotra表示，在需求快速成長(zhǎng)但供給增加趨緩的情況下，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)性改變，已創(chuàng)造出健康的動(dòng)能循環(huán)，存儲(chǔ)器市況可望一路好到2021年。