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	 > 電源與新能源 > 新品快遞 > 650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實(shí)現(xiàn)最大功率密度
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實(shí)現(xiàn)最大功率密度
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2018-06-01
				來(lái)源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          　　英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP?5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率密度日益增長(zhǎng)的需求，適于使用自動(dòng)化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應(yīng)用包括太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)、電池充電和蓄電等。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201806/380940.htm
          　　英飛凌的超薄TRENCHSTOP 5技術(shù)可以縮小芯片尺寸、提高功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的D2PAK封裝產(chǎn)品，這個(gè)新的產(chǎn)品家族的額定參數(shù)高于市場(chǎng)上的所有其他產(chǎn)品，其他組合封裝解決方案的功率僅為其75%。
          　　新器件的高功率密度允許設(shè)計(jì)人員升級(jí)現(xiàn)有設(shè)計(jì)，開發(fā)輸出功率提高最多25%的新平臺(tái)，或者減少并聯(lián)功率器件數(shù)量，從而實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)。獨(dú)一無(wú)二的組合封裝40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247，用于表面貼裝。這可支持輕松焊接，實(shí)現(xiàn)快速且可靠的貼裝生產(chǎn)線。
          　　供貨情況
          　　全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 650V IGBT已投入量產(chǎn)。產(chǎn)品家族包括15 A、20 A、30 A單管IGBT，以及15 A、20 A、30 A和40 A IGBT與相同電流參數(shù)飛輪二極管組合封裝解決方案。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            英飛凌
                        IGBT
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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