中國(guó)存儲(chǔ)芯片要打破美日韓的壟斷局面尚需時(shí)間

　　受中美競(jìng)爭(zhēng)特別是中興事件的影響，國(guó)內(nèi)對(duì)芯片的重視程度被進(jìn)一步拔高，而在存儲(chǔ)芯片方面隨著三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華的快速推進(jìn)讓人看到中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)有機(jī)會(huì)打破當(dāng)前由美日韓企業(yè)壟斷的局面，不過(guò)要打破這一局面還需要時(shí)間。

　　美日韓壟斷存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)

　　存儲(chǔ)芯片主要分為兩種，分別是DRAM和NAND flash，在我們?nèi)粘Ｒ?jiàn)到的產(chǎn)品中分別是PC用的DRAM內(nèi)存條和SSD硬盤(pán)，這兩類產(chǎn)品在各個(gè)行業(yè)都有廣泛的應(yīng)用，而且隨著各個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展這兩類產(chǎn)品的重要性正日益凸顯，這也導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格自2016年以來(lái)持續(xù)上漲，并推動(dòng)全球最大的存儲(chǔ)芯片企業(yè)三星在半導(dǎo)體市場(chǎng)擊敗Intel首次奪取了全球最大半導(dǎo)體企業(yè)的位置。

　　在DRAM芯片市場(chǎng)，份額主要由三星、SK海力士和鎂光占有，它們分別占據(jù)該市場(chǎng)的份額為44.5%、27.9%、22.9%，三家合計(jì)占有全球DRAM市場(chǎng)份額約95.3%，中國(guó)臺(tái)灣的華亞科等占有少量的市場(chǎng)份額。

　　在NAND flash市場(chǎng)，主要有六大企業(yè)，分別是三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、鎂光、SK海力士、Intel，市場(chǎng)份額分別為37.0%、18.0%、16.6%、12.1%、9.9%、5.9%，六家合計(jì)占有超過(guò)99%的市場(chǎng)份額。

　　在DRAM和NAND flash市場(chǎng)，韓國(guó)企業(yè)都呈現(xiàn)強(qiáng)勢(shì)的地位，特別是三星由于占據(jù)優(yōu)勢(shì)的市場(chǎng)地位，它成為這兩年存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲的最大獲益者，獲利豐厚的它正通過(guò)加大投入保持自己在技術(shù)上的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，這又反過(guò)來(lái)進(jìn)一步鞏固它的市場(chǎng)份額優(yōu)勢(shì)。Intel在NAND flash市場(chǎng)則通過(guò)與鎂光研發(fā)的3d xpoint存儲(chǔ)技術(shù)給市場(chǎng)帶來(lái)較大的影響，這也成為推動(dòng)它市場(chǎng)份額提升的主要?jiǎng)恿Α?/p>

　　中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)的進(jìn)展

　　在國(guó)產(chǎn)三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)當(dāng)中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的投資規(guī)模最大，據(jù)報(bào)道指它的總投資將高達(dá)240億美元，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND flash芯片工廠已開(kāi)始搬進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備，預(yù)計(jì)在年底就將投產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的野心并不止于NAND flash，它也有意投資DRAM，未來(lái)或?qū)⑦M(jìn)入這個(gè)行業(yè)。

　　合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華投資生產(chǎn)DRAM。合肥長(zhǎng)鑫的進(jìn)展要快一些，當(dāng)前它的DRAM芯片工廠已搬進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備，預(yù)計(jì)年底就將投入生產(chǎn);福建晉華的DRAM工廠預(yù)計(jì)下個(gè)月搬進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備，不過(guò)它在生產(chǎn)進(jìn)度方面則較快，表示也爭(zhēng)取今年內(nèi)投產(chǎn)。

　　中國(guó)三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)的技術(shù)人才主要來(lái)自日本、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的COO高啟全是前華亞科董事長(zhǎng)，日本存儲(chǔ)芯片企業(yè)爾必達(dá)倒閉之后其部分人才進(jìn)入了合肥長(zhǎng)鑫，合肥長(zhǎng)鑫還挖來(lái)華亞科前資深副總劉大維，福建晉華則通過(guò)與中國(guó)臺(tái)灣的聯(lián)華電子合作獲得DRAM技術(shù)。

　　打破美日韓的壟斷局面尚需時(shí)間

　　中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)在技術(shù)方面還落后于美日韓的企業(yè)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)年底投產(chǎn)的NAND flash芯片是32層技術(shù)，而國(guó)外的企業(yè)已投產(chǎn)64層技術(shù)，當(dāng)前國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)正積極推進(jìn)96層技術(shù)預(yù)計(jì)在明年投產(chǎn)。

　　在DRAM技術(shù)方面，三星正推進(jìn)18nm工藝的生產(chǎn)技術(shù)，合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華的起點(diǎn)較高預(yù)計(jì)投產(chǎn)時(shí)就將采用19nm工藝，顯示出這兩家存儲(chǔ)芯片企業(yè)意欲一進(jìn)入市場(chǎng)就要以較高的技術(shù)爭(zhēng)取國(guó)內(nèi)的客戶支持。

　　中國(guó)是全球最大的制造國(guó)，購(gòu)買(mǎi)的存儲(chǔ)芯片占全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的比例約兩成左右，如此龐大的市場(chǎng)對(duì)低端存儲(chǔ)芯片同樣有巨大的需求，這有利于國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)的發(fā)展。不過(guò)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還將面臨技術(shù)改進(jìn)、良率提升的問(wèn)題，它們能否如期進(jìn)入大規(guī)模投產(chǎn)是它們面臨的下一個(gè)難題;同時(shí)存儲(chǔ)芯片價(jià)格存在周期性，當(dāng)前高漲的價(jià)格能持續(xù)多久是個(gè)問(wèn)題，如果中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)投產(chǎn)后價(jià)格出現(xiàn)大幅下降將導(dǎo)致它們面臨盈利難題。

　　不過(guò)無(wú)論如何中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)的努力將為中國(guó)制造業(yè)降低成本提高有利條件，從此前的液晶面板等產(chǎn)業(yè)可以看出，隨著中國(guó)產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)力的增強(qiáng)國(guó)外的產(chǎn)業(yè)鏈才會(huì)給予中國(guó)品牌企業(yè)更多支持和價(jià)格優(yōu)惠，在產(chǎn)能供應(yīng)方面也更有保證，中國(guó)應(yīng)該堅(jiān)定不移的支持存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。