英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個(gè)電能供應(yīng)鏈的前沿技術(shù)和解決方案

　　英飛凌科技(中國(guó))有限公司(以下簡(jiǎn)稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)。英飛凌將在2號(hào)館的F 01展臺(tái)，展示涵蓋整個(gè)電能供應(yīng)鏈的領(lǐng)先產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應(yīng)用解決方案。此外，英飛凌的技術(shù)專家還將就產(chǎn)品和應(yīng)用發(fā)表多篇論文，并在同期的國(guó)際研討會(huì)上進(jìn)行交流。

　　從前沿的硅基 MOSFET 和 IGBT 到數(shù)字化功率創(chuàng)新，以及最新的碳化硅和氮化鎵技術(shù)，英飛凌芯片對(duì)于提高發(fā)電、輸電和用電效率起著至關(guān)重要的作用。此次，英飛凌將圍繞“賦能世界，無(wú)盡能源”(Empowering A World Of Unlimited Energy)為主題，重點(diǎn)展示以下產(chǎn)品：

　　· 1200V TRENCHSTOP? IGBT7

　　1200V TRENCHSTOP? IGBT7基于最新微溝槽技術(shù)，可大幅降低損耗，并提供高度可控性。該芯片專門針對(duì)工業(yè)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化，可大幅降低靜態(tài)損耗，提高功率密度，與EmCon7 1200V 二極管技術(shù)構(gòu)成IGBT開關(guān)，開關(guān)更為柔和。另外，通過(guò)將功率模塊中允許過(guò)載的最高工作溫度提高至 175℃，可顯著提高功率密度。

　　· CoolSiC? MOSFET —— 一場(chǎng)值得信賴的技術(shù)革命

　　CoolSiC? MOSFET 1200V 是將系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶到全新效率和功率密度水平的前沿解決方案。采用溝槽柵技術(shù)的碳化硅MOSFET技術(shù)，英飛凌分別在 62mm 和EASY2B封裝中實(shí)現(xiàn)了 3 毫歐姆和6毫歐姆的半橋模塊，代表業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先水平。通過(guò)結(jié)合最佳可靠性、安全性和易用性，CoolSiC? MOSFET 是光伏逆變器、UPS 、電動(dòng)汽車充電和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的最佳解決方案。

　　面向中國(guó)的光伏客戶和應(yīng)用，英飛凌開發(fā)了定制化產(chǎn)品，如三電平模塊提高了組串型逆變器的單機(jī)的功率極限，碳化硅 MOSFET 在模塊中的應(yīng)用，大大提高了效率和功率密度。

· MIPAQ? -Pro —— 一個(gè)真正意義上的智能IGBT模塊

　　MIPAQ? Pro 是一款集成 IGBT、驅(qū)動(dòng)、散熱器、傳感器、數(shù)字控制以及通訊總線的大功率智能功率模塊(IPM)。通過(guò)對(duì)諸如芯片工作結(jié)溫、輸出電流、直流電壓等關(guān)鍵參數(shù)的實(shí)時(shí)監(jiān)控，進(jìn)行故障預(yù)警和保護(hù)，從而實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)大的智能保護(hù)功能。在減少設(shè)計(jì)冗余，實(shí)現(xiàn)功率輸出最大化的同時(shí)，確保 IPM 可以在設(shè)定的極限范圍內(nèi)安全穩(wěn)定工作，在設(shè)備出現(xiàn)故障隱患時(shí)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)并有效預(yù)防，大大提高了設(shè)備的現(xiàn)場(chǎng)有效運(yùn)行時(shí)間。

　　· TRENCHSTOP? Feature IGBT —— 帶多重保護(hù)和集成多種應(yīng)用電路功能的IGBT

　　為了提高 IGBT 使用的可靠性，越來(lái)越來(lái)的用戶更傾向于 IGBT 本身自帶多重保護(hù)或者集成多種應(yīng)用電路功能，如過(guò)壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、有源鉗位、故障報(bào)警等。因此，英飛凌即將推出全新的多功能 IGBT——TRENCHSTOP? Feature IGBT。該系列 IGBT 包含多種組合，即根據(jù)不同應(yīng)用的設(shè)計(jì)需求，集成不同保護(hù)或者其它功能，為用戶提供一種設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單但安全可靠的方案。

　　· Infineon? Eco Block壓接式模塊

　　英飛凌在2017年完善了全系列高性價(jià)比焊接式20mm、34mm和50mm雙極器件模塊后，2018年即將推出高性價(jià)比壓接式Eco Block系列，用于擴(kuò)展現(xiàn)有的經(jīng)典PowerBLOCK壓接技術(shù)產(chǎn)品線。該模塊的典型應(yīng)用包括不間斷電源和變頻器市場(chǎng)，包括60mm晶閘管/晶閘管TT、晶閘管/二極管TD和 二極管/二極管DD模塊，以及70mm晶閘管模塊。其阻斷電壓為1600/2200V，電流范圍是420A到 1200A。新系列產(chǎn)品保留了PowerBLOCK模塊的重要特性功能，擁有壓接技術(shù)特有的短路導(dǎo)通特性、并同時(shí)擁有高性價(jià)比。系出名門，秉承了英飛凌一貫的“可持續(xù)、環(huán)境友好”設(shè)計(jì)。

　　· IGBT 系統(tǒng)解決方案和應(yīng)用解決方案

　　IGBT 應(yīng)用解決方案包括 IGBT 和碳化硅器件驅(qū)動(dòng)方案和各種設(shè)計(jì)評(píng)估板。IGBT 系統(tǒng)解決方案包括逆變焊機(jī)、電動(dòng)汽車充電、兆瓦級(jí) 1500V 光伏逆變器和主要應(yīng)用于電力機(jī)車和高速列車的牽引和輔助變流器，柔性高壓直流輸電等XHP?3 并聯(lián)方案。

　　· 最新一代1200V IGBT6 單管IGBT

　　1200V IGBT6單管比上一代1200V單管IGBT，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通壓降和開關(guān)損耗，首批推出5個(gè)型號(hào)有兩種芯片技術(shù) S6和H6，兩種封裝形式，TO247_Plus和TO247_Plus 4Pin?？梢哉f(shuō)這一代IGBT6的推出，不僅是在上一代1200V單管IGBT的基礎(chǔ)上芯片技術(shù)的升級(jí)，還擴(kuò)展了電流輸出能力，對(duì)于系統(tǒng)設(shè)計(jì)，可以減少并聯(lián)個(gè)數(shù)，大大提升系統(tǒng)可靠性?？梢詮V泛應(yīng)用于光伏，UPS，焊機(jī)，變頻器等領(lǐng)域。

　　· TRENCHSTOPTM5芯片在D2PAK封裝中的產(chǎn)品

　　TRENCHSTOPTM5是英飛凌最新一代650V IGBT芯片系列，在市場(chǎng)上廣受歡迎，以前單管只有TO-247封裝，英飛凌于近日推出了TRENCHSTOP5芯片封裝在D2PAK的貼片型封裝中的系列產(chǎn)品。相比于TO-247封裝，D2PAK封裝由于管腳短，雜散電感小了很多，可以以更低開關(guān)損耗工作于更高的開關(guān)頻率。同時(shí)，D2PAK封裝的結(jié)對(duì)殼的熱阻并沒(méi)有升高，又可以直接在IMS上進(jìn)行貼片焊接，整個(gè)散熱效果要比傳統(tǒng)的TO-247封裝散熱效果要更好。這樣一來(lái)同樣大小的芯片，D2PAK封裝能比TO-247封裝輸出更大的電流，對(duì)提升系統(tǒng)效率和功率密度，有很大的幫助。

　　· DDPAK，創(chuàng)新正面散熱SMD封裝滿足大功率SMPS市場(chǎng)需求

　　得益于集成式4引腳開爾文源配置，可降低寄生源電感，減輕振蕩傾向。采用正面散熱SMD封裝的CoolMOS?和CoolSiC?可在電路板與MOSFET之間實(shí)現(xiàn)更大溫差及延長(zhǎng)系統(tǒng)使用壽命。

　　PCIM Asia 是 PCIM Europe 在亞洲地區(qū)的姐妹展，迄今已成功舉辦過(guò) 16 屆，專注于電力電子技術(shù)，以及該領(lǐng)域技術(shù)在國(guó)家電網(wǎng)、工業(yè)、軌道交通、智能運(yùn)動(dòng)及電動(dòng)車等方面的應(yīng)用。