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          3GHz+！三星將基于5nm/7nm打造采用ARM A76架構的IP
          
						
          
				作者：
				時間：2018-07-09
				來源：快科技 
				
				
				
				
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          　　三星的7nm工藝，選擇直接導入先進的EUV(極紫外光刻)技術，由此在進度上稍顯吃虧，尤其是落后自己的“宿敵”臺積電。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201807/382951.htm
          　　在6月初ARM宣布新的Cortex A76公版架構時，樣片就是由臺積電的7nm打造，當時頻率最高達到了3.3GHz，參考值也達到了3GHz。
          　　這種局面，三星當然不會坐視。
          　　三星電子在韓國舉辦的鑄造論壇期間宣布，和ARM(安謀)的戰(zhàn)略級代工合作推進到7nm/5nm上。具體來說，由三星7nm LPP和5nm LPE打造的A76芯片可以實現(xiàn)3GHz以上的頻率。
          　　  

          　　臺積電版ARM A76性能效果圖
          　　三星還透露，7LPP將從2018年下半年開始早期生產，采用EUV技術的IP預計明年上半年完工。
          　　除了CPU和GPU，三星還拿到了ARM的Artisan physical IP授權，包括全套的內存編譯器、1.8V/3.3V通用輸入輸出庫等等，可加速開發(fā)過程、優(yōu)化開發(fā)結果。
          　　另外，三星還確認其路線圖推進到了3nm GAAE(Gate-All-Around Early)工藝。
          　　那么問題了，除了Exynos，三星的7nm A76芯片會有高通、華為這些客戶嗎?
          　　  

           
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關鍵詞：
            			            三星
                        ARM
                        
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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