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          3GHz+!三星將基于5nm/7nm打造采用ARM A76架構(gòu)的IP

          作者: 時(shí)間:2018-07-09 來(lái)源:快科技 收藏

            的7nm工藝,選擇直接導(dǎo)入先進(jìn)的EUV(極紫外光刻)技術(shù),由此在進(jìn)度上稍顯吃虧,尤其是落后自己的“宿敵”臺(tái)積電。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201807/382951.htm

            在6月初ARM宣布新的Cortex A76公版架構(gòu)時(shí),樣片就是由臺(tái)積電的7nm打造,當(dāng)時(shí)頻率最高達(dá)到了3.3GHz,參考值也達(dá)到了3GHz。

            這種局面,當(dāng)然不會(huì)坐視。

            電子在韓國(guó)舉辦的鑄造論壇期間宣布,和ARM(安謀)的戰(zhàn)略級(jí)代工合作推進(jìn)到7nm/5nm上。具體來(lái)說(shuō),由三星7nm LPP和5nm LPE打造的A76芯片可以實(shí)現(xiàn)3GHz以上的頻率。

              

            臺(tái)積電版ARM A76性能效果圖

            三星還透露,7LPP將從2018年下半年開(kāi)始早期生產(chǎn),采用EUV技術(shù)的IP預(yù)計(jì)明年上半年完工。

            除了CPU和GPU,三星還拿到了ARM的Artisan physical IP授權(quán),包括全套的內(nèi)存編譯器、1.8V/3.3V通用輸入輸出庫(kù)等等,可加速開(kāi)發(fā)過(guò)程、優(yōu)化開(kāi)發(fā)結(jié)果。

            另外,三星還確認(rèn)其路線圖推進(jìn)到了3nm GAAE(Gate-All-Around Early)工藝。

            那么問(wèn)題了,除了Exynos,三星的7nm A76芯片會(huì)有高通、華為這些客戶嗎?

              

           



          關(guān)鍵詞: 三星 ARM

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