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          中國(guó)存儲(chǔ)三大陣營(yíng)相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語(yǔ)權(quán)

          作者: 時(shí)間:2018-07-20 來源:集微網(wǎng) 收藏

            今年下半年,隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)廠商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段,中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認(rèn)為,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動(dòng)全球版圖,但或?qū)?duì)全球存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)造成影響。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201807/389251.htm

            而隨著中美貿(mào)易局勢(shì)的緊張,以及中國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)正式啟動(dòng)對(duì)三星、美光、SK海力士等存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)的反壟斷調(diào)查,中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注。

            目前,中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入 Flash市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專注于移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫,以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營(yíng)。

            近期傳出合肥長(zhǎng)鑫投產(chǎn)8Gb LPDDR4規(guī)格的芯片,被視為我國(guó)產(chǎn)業(yè)的里程碑。盡管相關(guān)訊息尚未獲得官方確認(rèn),但在今年四月的一次公開活動(dòng)上,合肥長(zhǎng)鑫CEO王寧國(guó)表示,計(jì)劃將于今年年底前推出8GB DDR4工程樣品,2019年Q3正式推出8GB LPDDR4,當(dāng)年年底達(dá)到2萬片的月產(chǎn)能。

            從目前三家廠商的進(jìn)度看,其試產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)將在2018年下半年,量產(chǎn)時(shí)間可能會(huì)集中在2019年上半年。有臺(tái)灣媒體分析稱,2019年量產(chǎn)進(jìn)度能否順利推動(dòng),將成為我國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)能否站上世界舞臺(tái)的重要標(biāo)志。

            業(yè)界認(rèn)為,我國(guó)發(fā)展技術(shù)的挑戰(zhàn)性較高,隨著量產(chǎn)時(shí)點(diǎn)的臨近,專利糾紛或國(guó)際訴訟甚至競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的干擾也將伴隨而來。此前,美光已經(jīng)通過采取限制供應(yīng)商供貨的行為對(duì)晉華進(jìn)行打壓,雙方互訴也在進(jìn)行之中。

            來自臺(tái)灣的分析人士指出,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展情勢(shì)較為樂觀,已獲得首筆超過1萬顆的晶片訂單,但32層3D Flash量產(chǎn)規(guī)模仍有限,單月僅約5,000片,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的研發(fā)重點(diǎn)將集中于64層3D Flash,目標(biāo)2018年底前推出第一個(gè)產(chǎn)品樣本。

            長(zhǎng)江存儲(chǔ)在64層3D NAND制程開發(fā)完成后,可望展開大規(guī)模投片計(jì)劃,預(yù)計(jì)2020年產(chǎn)能快速推進(jìn)至單月10萬片,未來長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下3座廠房將可達(dá)到單月35萬~40萬片產(chǎn)能,屆時(shí)市占率有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)10%。

            另有分析人士指出,合肥長(zhǎng)鑫宣稱目標(biāo)在于19納米的DRAM內(nèi)存,初期產(chǎn)品良率目標(biāo)為不低于10%,這意味著從初期試產(chǎn)進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)還有漫漫長(zhǎng)路,加上合肥長(zhǎng)鑫發(fā)展的DDR4移動(dòng)式內(nèi)存為市場(chǎng)主流,未來恐難逃大廠專利的鉗制。

            該人士表示,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商量產(chǎn)初期的規(guī)模雖難撼動(dòng)三大龍頭廠商的地位,但短期內(nèi)將對(duì)市場(chǎng)價(jià)格造成沖擊,如果發(fā)展順利,預(yù)計(jì)2020~2021年起,中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將開始取得全球產(chǎn)業(yè)話語(yǔ)權(quán)。



          關(guān)鍵詞: NAND DRAM

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