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          功率MOSFET關(guān)斷損耗計(jì)算攻略

          作者: 時(shí)間:2018-08-02 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          功率的感性負(fù)載關(guān)斷過(guò)程和開通過(guò)程一樣,有4個(gè)階段,但是時(shí)間常數(shù)不一樣。驅(qū)動(dòng)回路的等效電路圖如圖1所示,RG1為功率外部串聯(lián)的柵極電阻,RG2為功率內(nèi)部的柵極電阻,RDown為驅(qū)動(dòng)電路的下拉電阻,關(guān)斷時(shí)柵極總的等效串聯(lián)柵極電阻RGoff=RDown+RG1+RG2。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201808/385129.htm

          (3)模式M3:t7-t8

          從t7時(shí)刻開始,ID電流從最大值減小,VDS電壓保持電源電壓VDD不變,當(dāng)VGS電壓減小到VGS(th)時(shí),ID電流也減小到約為0時(shí),這個(gè)階段結(jié)束。

          VGS電壓的變化公式和模式1相同,只是起始電壓和結(jié)束電壓不一樣。

          (4)模式M4:t8-t9

          這個(gè)階段為ID電流為0,VDS電壓保持電源電壓VDD不變,當(dāng)VGS電壓減小到0時(shí),這個(gè)階段結(jié)束,VGS電壓的變化公式和模式1相同。

          在關(guān)斷過(guò)程中,t6~t7和t7~t8二個(gè)階段電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū),因此產(chǎn)生開關(guān)損耗。

          可以用下面公式計(jì)算:

          【本文系轉(zhuǎn)載,版權(quán)歸原作者所有】



          關(guān)鍵詞: MOSFET 關(guān)斷損耗

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