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          功率MOSFET關(guān)斷損耗計算攻略
          
						
          
				作者：
				時間：2018-08-02
				來源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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          功率MOSFET的感性負載關(guān)斷過程和開通過程一樣，有4個階段，但是時間常數(shù)不一樣。驅(qū)動回路的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率MOSFET內(nèi)部的柵極電阻，RDown為驅(qū)動電路的下拉電阻，關(guān)斷時柵極總的等效串聯(lián)柵極電阻RGoff=RDown+RG1+RG2。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/201808/385129.htm
          (3)模式M3：t7-t8
          從t7時刻開始，ID電流從最大值減小，VDS電壓保持電源電壓VDD不變，當(dāng)VGS電壓減小到VGS(th)時，ID電流也減小到約為0時，這個階段結(jié)束。
          VGS電壓的變化公式和模式1相同，只是起始電壓和結(jié)束電壓不一樣。
          (4)模式M4：t8-t9
          這個階段為ID電流為0，VDS電壓保持電源電壓VDD不變，當(dāng)VGS電壓減小到0時，這個階段結(jié)束，VGS電壓的變化公式和模式1相同。
          在關(guān)斷過程中，t6~t7和t7~t8二個階段電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開關(guān)損耗。
          關(guān)斷損耗可以用下面公式計算：
          【本文系轉(zhuǎn)載，版權(quán)歸原作者所有】
                        
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            MOSFET
                        關(guān)斷損耗
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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