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          SK海力士宣布業(yè)內(nèi)首款4D閃存

          作者: 時(shí)間:2018-08-09 來(lái)源:快科技 收藏

            正在美舉辦的Flash Memory Summit首日已經(jīng)結(jié)束,亮點(diǎn)頗多。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201808/390271.htm

            Keynote環(huán)節(jié),倒數(shù)第二個(gè)出場(chǎng)(排在我國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)前)的是,它在NAND市場(chǎng)的全球份額排名第五,DRAM份額全球第二。

            首先是3D NAND的技術(shù)路線(xiàn)選擇,稱(chēng),CTF(Charge Trap Flash,電荷捕獲型)比Floating Gate(浮柵型)存儲(chǔ)單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數(shù)多)。

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            其實(shí)三星從2013年的第一代V-NAND 3D閃存就開(kāi)始使用CTF了,東芝/西數(shù)(閃迪)的BiCS亦是如此。當(dāng)然,美光/Intel還是堅(jiān)持浮柵,不過(guò)這倒無(wú)所謂,畢竟他們有更厲害的3D Xpoint(基于相變內(nèi)存,還一說(shuō)是ReRAM磁阻式內(nèi)存)。

            接下來(lái),宣布推出了全球首款。

            從現(xiàn)場(chǎng)給出的技術(shù)演示來(lái)看,和此前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking十分相似,只不過(guò)外圍電路(PUC,Peri.Circuits)在存儲(chǔ)單元下方,好處有三點(diǎn),一是芯片面積更小、二是處理工時(shí)縮短、三是成本降低。

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            參數(shù)方面,號(hào)稱(chēng)業(yè)內(nèi)第一款是V5 512Gb TLC,采用96層堆疊、I/O接口速度1.2Gbps(ONFi 4.1標(biāo)準(zhǔn))、面積13平方毫米,今年第四季度出樣。

            BGA封裝的可以做到1Tb(128GB),模組最大2TB,塞到2.5寸的U.2中更是可以做到64TB,2019年上半年出樣。

            性能方面,V5 4D芯片面積相較于V4 3D減小20%、讀速提升30%、寫(xiě)速提升25%。

            另外,V5 4D也規(guī)劃了QLC閃存,通過(guò)96層堆疊,單Die最小1Tb,明年下半年出樣。

            展望

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            SK海力士?jī)?nèi)部的4D閃存已經(jīng)推進(jìn)到了128層堆疊,很快可以做到單芯片512GB,2025年做到單芯片8TB。目前,SK海力士的3D NAND是72層堆疊,單芯片最大512Gb(64GB),首款企業(yè)級(jí)產(chǎn)品PE4010已于今年6月份出貨給微軟Azure服務(wù)器。



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