英特爾：摩爾定律繼續(xù)有效，7nm正在路上

　　與非網(wǎng)采訪了英特爾的三位技術(shù)專家，他們分別是英特爾公司高級(jí)副總裁、英特爾公司首席技術(shù)官兼英特爾研究院院長Mike Mayberry、英特爾公司技術(shù)、系統(tǒng)架構(gòu)和客戶端事業(yè)部總裁兼首席工程官任沐新博士和英特爾中國研究院院長宋繼強(qiáng)。

　　問題1：工藝節(jié)點(diǎn)發(fā)展到10nm以下，芯片代工廠面臨哪些挑戰(zhàn)?應(yīng)該如何應(yīng)對(duì)?

　　Mike Mayberry： CMOS 縮放并未就此終止，隨著我們控制制造能力的提高，我們可以看到它還在持續(xù)進(jìn)步。我們與其說受到物理?xiàng)l件的限制，不如說受到我們以高精度大批量制造的能力的限制。是的，進(jìn)步很難，我們不期望它會(huì)變得更容易，但我們確實(shí)希望繼續(xù)進(jìn)步下去。

　　我們從 22 納米節(jié)點(diǎn)的 Trigate (FinFET) 開始轉(zhuǎn)向 3D技術(shù)，但更好的例子是我們在 5 月推出的96 層NAND閃存，每個(gè)單元 4 位，每個(gè)芯片封裝高達(dá) 1T bits 的信息。這是一個(gè)真正的后登納德 (post-Dennard) 示例，將增加的功能打包到一個(gè)沒有特性縮放的裸片中。隨著時(shí)間的推移，我們預(yù)計(jì)邏輯也將朝著 3D技術(shù)方向發(fā)展。

英特爾公司高級(jí)副總裁、英特爾公司首席技術(shù)官兼英特爾研究院院長Mike Mayberry

　　我們有一些很有前途的研究設(shè)備，例如隧道場效應(yīng)晶體管 (FET) 和鐵電體，它們可以大幅提高功率性能。不幸的是，它們不是 CMOS 的簡單替代品。因此，我們期望以異構(gòu)的方式集成這些器件(例如作為分層)，從而將縮放 CMOS 的優(yōu)點(diǎn)與這些新設(shè)備提供的新功能相結(jié)合。

　　隨著數(shù)據(jù)量和數(shù)據(jù)類型的激增，我們希望將專門打造的新架構(gòu)快速集成到新的數(shù)據(jù)世界中。如果我們在物理接口、編程模型、安全性等方面進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化，那么異構(gòu)集成不僅速度更快，而且可以將來自多個(gè)團(tuán)隊(duì)的小芯片組合起來。

　　結(jié)合了內(nèi)存和計(jì)算的新架構(gòu)是后波拉克 (post-Pollack) 數(shù)據(jù)處理的一個(gè)例子，其中一個(gè)是我們的神經(jīng)擬態(tài)測試芯片Loihi。

　　與傳統(tǒng)軟件工作負(fù)載相比，人工智能工作負(fù)載通常具有極為不同的內(nèi)存訪問模式，因此可以利用不同的數(shù)據(jù)處理架構(gòu)。

　　我們預(yù)期摩爾定律的經(jīng)濟(jì)效益將繼續(xù)存在，即使在現(xiàn)在和未來，摩爾定律看起來與戈登·摩爾最初發(fā)現(xiàn)的大不相同。因此，我們不要被辯論分散注意力，而是應(yīng)該繼續(xù)提供更好的產(chǎn)品。未來 50 年，我們必須超越我們過去 50 年的成就。

　　問題2：貴公司是否有開發(fā)或者支持10nm以下工藝節(jié)點(diǎn)的解決方案?在技術(shù)研發(fā)中遇到了哪些問題?如何得到解決?

　　任沐新博士：我們的7納米制程正在深度研發(fā)中，我們在這方面也取得了很好的進(jìn)展。我們現(xiàn)在還不能給出一個(gè)確切的時(shí)間表。但是我們通過總結(jié)10納米的經(jīng)驗(yàn)來幫助定義7納米方面也做出了一些相當(dāng)明智的選擇。我們正努力的在密度、功耗和性能以及進(jìn)度的可預(yù)測性之間找到最佳平衡點(diǎn)。所以我想你會(huì)發(fā)現(xiàn)，新方案在這三方面更加平衡。

英特爾公司技術(shù)、系統(tǒng)架構(gòu)和客戶端事業(yè)部總裁兼首席工程官任沐新博士

　　因此，我們?nèi)匀粫?huì)繼續(xù)提高晶體管密度，但也會(huì)注意這個(gè)密度和我們一直努力提高的晶體管性能之間的平衡關(guān)系，因?yàn)榫w管性能在我們的個(gè)人電腦業(yè)務(wù)和服務(wù)器業(yè)務(wù)中都是提高ASP(平均銷售價(jià)格)的重要因素。我們也會(huì)注意在(預(yù)測)產(chǎn)品的發(fā)布(時(shí)間)方面做到更精確。以上這些都是在我們推進(jìn)7納米時(shí)、從10納米學(xué)到的寶貴經(jīng)驗(yàn)。我們一直在密切關(guān)注7納米的進(jìn)展，就像我們現(xiàn)在密切關(guān)注10納米一樣。我能感覺到在研發(fā)進(jìn)展過程中我們已經(jīng)很好的吸取了這些經(jīng)驗(yàn);我們正按照所披露的產(chǎn)品路線圖，全力推進(jìn)我們的產(chǎn)品規(guī)劃。

　　英特爾中國研究院院長宋繼強(qiáng)：英特爾持續(xù)創(chuàng)新推動(dòng)半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展，10納米明年量產(chǎn)，而在10納米的基礎(chǔ)上，7納米的進(jìn)展也非常好，通過采用超微縮技術(shù)，英特爾讓單個(gè)芯片的成本加速降低。結(jié)合超微縮以及多節(jié)點(diǎn)技術(shù)集成，英特爾不斷強(qiáng)化以數(shù)據(jù)為中心的產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)力。

       在半導(dǎo)體封裝方面，英特爾以“混搭”異構(gòu)設(shè)計(jì)，連接不同制程工藝生產(chǎn)出來的“小芯片”，采用全新的2D和3D封裝技術(shù)，能夠以超高能效移動(dòng)設(shè)備的功耗，提供強(qiáng)大的PC性能。