英特爾：摩爾定律繼續(xù)有效，7nm正在路上

　　與非網(wǎng)采訪了英特爾的三位技術(shù)專家，他們分別是英特爾公司高級副總裁、英特爾公司首席技術(shù)官兼英特爾研究院院長Mike Mayberry、英特爾公司技術(shù)、系統(tǒng)架構(gòu)和客戶端事業(yè)部總裁兼首席工程官任沐新博士和英特爾中國研究院院長宋繼強。

　　問題1：工藝節(jié)點發(fā)展到10nm以下，芯片代工廠面臨哪些挑戰(zhàn)?應(yīng)該如何應(yīng)對?

　　Mike Mayberry： CMOS 縮放并未就此終止，隨著我們控制制造能力的提高，我們可以看到它還在持續(xù)進步。我們與其說受到物理條件的限制，不如說受到我們以高精度大批量制造的能力的限制。是的，進步很難，我們不期望它會變得更容易，但我們確實希望繼續(xù)進步下去。

　　我們從 22 納米節(jié)點的 Trigate (FinFET) 開始轉(zhuǎn)向 3D技術(shù)，但更好的例子是我們在 5 月推出的96 層NAND閃存，每個單元 4 位，每個芯片封裝高達 1T bits 的信息。這是一個真正的后登納德 (post-Dennard) 示例，將增加的功能打包到一個沒有特性縮放的裸片中。隨著時間的推移，我們預(yù)計邏輯也將朝著 3D技術(shù)方向發(fā)展。

英特爾公司高級副總裁、英特爾公司首席技術(shù)官兼英特爾研究院院長Mike Mayberry

　　我們有一些很有前途的研究設(shè)備，例如隧道場效應(yīng)晶體管 (FET) 和鐵電體，它們可以大幅提高功率性能。不幸的是，它們不是 CMOS 的簡單替代品。因此，我們期望以異構(gòu)的方式集成這些器件(例如作為分層)，從而將縮放 CMOS 的優(yōu)點與這些新設(shè)備提供的新功能相結(jié)合。

　　隨著數(shù)據(jù)量和數(shù)據(jù)類型的激增，我們希望將專門打造的新架構(gòu)快速集成到新的數(shù)據(jù)世界中。如果我們在物理接口、編程模型、安全性等方面進行標準化，那么異構(gòu)集成不僅速度更快，而且可以將來自多個團隊的小芯片組合起來。

　　結(jié)合了內(nèi)存和計算的新架構(gòu)是后波拉克 (post-Pollack) 數(shù)據(jù)處理的一個例子，其中一個是我們的神經(jīng)擬態(tài)測試芯片Loihi。

　　與傳統(tǒng)軟件工作負載相比，人工智能工作負載通常具有極為不同的內(nèi)存訪問模式，因此可以利用不同的數(shù)據(jù)處理架構(gòu)。

　　我們預(yù)期摩爾定律的經(jīng)濟效益將繼續(xù)存在，即使在現(xiàn)在和未來，摩爾定律看起來與戈登·摩爾最初發(fā)現(xiàn)的大不相同。因此，我們不要被辯論分散注意力，而是應(yīng)該繼續(xù)提供更好的產(chǎn)品。未來 50 年，我們必須超越我們過去 50 年的成就。

　　問題2：貴公司是否有開發(fā)或者支持10nm以下工藝節(jié)點的解決方案?在技術(shù)研發(fā)中遇到了哪些問題?如何得到解決?

　　任沐新博士：我們的7納米制程正在深度研發(fā)中，我們在這方面也取得了很好的進展。我們現(xiàn)在還不能給出一個確切的時間表。但是我們通過總結(jié)10納米的經(jīng)驗來幫助定義7納米方面也做出了一些相當明智的選擇。我們正努力的在密度、功耗和性能以及進度的可預(yù)測性之間找到最佳平衡點。所以我想你會發(fā)現(xiàn)，新方案在這三方面更加平衡。

英特爾公司技術(shù)、系統(tǒng)架構(gòu)和客戶端事業(yè)部總裁兼首席工程官任沐新博士

　　因此，我們?nèi)匀粫^續(xù)提高晶體管密度，但也會注意這個密度和我們一直努力提高的晶體管性能之間的平衡關(guān)系，因為晶體管性能在我們的個人電腦業(yè)務(wù)和服務(wù)器業(yè)務(wù)中都是提高ASP(平均銷售價格)的重要因素。我們也會注意在(預(yù)測)產(chǎn)品的發(fā)布(時間)方面做到更精確。以上這些都是在我們推進7納米時、從10納米學到的寶貴經(jīng)驗。我們一直在密切關(guān)注7納米的進展，就像我們現(xiàn)在密切關(guān)注10納米一樣。我能感覺到在研發(fā)進展過程中我們已經(jīng)很好的吸取了這些經(jīng)驗;我們正按照所披露的產(chǎn)品路線圖，全力推進我們的產(chǎn)品規(guī)劃。

　　英特爾中國研究院院長宋繼強：英特爾持續(xù)創(chuàng)新推動半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展，10納米明年量產(chǎn)，而在10納米的基礎(chǔ)上，7納米的進展也非常好，通過采用超微縮技術(shù)，英特爾讓單個芯片的成本加速降低。結(jié)合超微縮以及多節(jié)點技術(shù)集成，英特爾不斷強化以數(shù)據(jù)為中心的產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)力。

       在半導(dǎo)體封裝方面，英特爾以“混搭”異構(gòu)設(shè)計，連接不同制程工藝生產(chǎn)出來的“小芯片”，采用全新的2D和3D封裝技術(shù)，能夠以超高能效移動設(shè)備的功耗，提供強大的PC性能。