大容量時(shí)代：閃存市場競逐5G機(jī)遇

　　5G時(shí)代的漸行漸近。對(duì)消費(fèi)群體而言，5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對(duì)于企業(yè)端尤其是閃存大廠來說，則是新的機(jī)遇。在近日舉行的“中國閃存市場峰會(huì)(CFMS20

　　5G時(shí)代的漸行漸近。

　　對(duì)消費(fèi)群體而言，5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對(duì)于企業(yè)端尤其是閃存大廠來說，則是新的機(jī)遇。

　　在近日舉行的“中國閃存市場峰會(huì)(CFMS2018)”上，中國閃存市場總經(jīng)理邰煒表示，2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)1500億美元，其中NANDFlash(閃存存儲(chǔ)器)將超過570億美元，而中國消耗了全球產(chǎn)能的32%，意味著中國已是全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中最為重要的市場。目前半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片廠商主要集中在美國、日本、韓國，中國也在快速發(fā)展。

　　隨著5G、自動(dòng)駕駛、AI等場景發(fā)展對(duì)存儲(chǔ)的需求大幅增加，閃存大廠都在存儲(chǔ)密度、堆疊技術(shù)等方面進(jìn)行迭代，同時(shí)，NANDflash價(jià)格的大幅下滑也令技術(shù)更新訴求更為迫切。

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心陳玠瑋向21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者表示，NANDFlash市場自2018年起，已走向供應(yīng)過剩局面，直到5G時(shí)代的到來將會(huì)有所改善。對(duì)于最新的96層QLC技術(shù)，他認(rèn)為到2020年上半年可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　有業(yè)內(nèi)人士指出，雖然NAND市場整體規(guī)模持續(xù)增加，但對(duì)主控的需求成長有限;同時(shí)主控的研發(fā)力度持續(xù)不減，隨著技術(shù)深入迭代，其投入回報(bào)比也面臨壓力越來越大的難題。

　　技術(shù)迭代遇上降價(jià)

　　今年以來，NANDflash價(jià)格結(jié)束了過去兩年的上升態(tài)勢(shì)并轉(zhuǎn)跌，這一方面與關(guān)鍵閃存大廠此前的產(chǎn)能投入有關(guān)，也與技術(shù)更新?lián)Q代息息相關(guān)。

　　據(jù)中國閃存市場統(tǒng)計(jì)，2018年NANDflash綜合價(jià)格指數(shù)跌幅超過40%，同時(shí)年內(nèi)主要原廠產(chǎn)出的3DNAND已成為主流。從3DNAND占NANDflash整體產(chǎn)能比來看，最高者美光已達(dá)90%。

　　邰煒指出，2018年新一輪投產(chǎn)即將開始，為了填補(bǔ)2016、2017年提升技術(shù)導(dǎo)致的產(chǎn)能空缺，并加大3D投產(chǎn)，三星除了有全球最大的Fab18工廠以外、還有西安工程二期，包括東芝和西部數(shù)據(jù)合資的Fab6、Fab7等來看，市場供應(yīng)將會(huì)進(jìn)一步增加。“后續(xù)隨著技術(shù)提升和產(chǎn)能增加，價(jià)格還會(huì)進(jìn)一步下滑?！?/p>

　　技術(shù)的迭代則顯示出，1TB時(shí)代很快將到來，最可見的表現(xiàn)便是在手機(jī)端應(yīng)用。據(jù)統(tǒng)計(jì)，今年上半年，NAND原廠的技術(shù)主要以量產(chǎn)64層TLC(三比特單元)為主，下半年部分原廠已經(jīng)轉(zhuǎn)為96層TLC或者64層QLC(四比特單元)?！澳壳皝砜矗笠?guī)模量產(chǎn)將集中在2019年上半年，量產(chǎn)容量基本是256GB或512GB，也有部分原廠采用64層QLC量產(chǎn)1TB技術(shù)比如美光，長江存儲(chǔ)也計(jì)劃明年量產(chǎn)64層TLC?！臂槺硎尽?/p>

　　據(jù)介紹，目前NAND2D極限容量已從128GB上升到64層512GB，96層會(huì)以512GB過渡，技術(shù)成熟以后量產(chǎn)到1TB技術(shù)。隨著QLC的量產(chǎn)，即使采用64層QLC也可以量產(chǎn)1T容量，這也意味著，TB時(shí)代的漸行漸近。

　　西部數(shù)據(jù)Device部門產(chǎn)品營銷與管理高級(jí)副總裁ChristopherBergey則向媒體表示，96層意味著更大容量和更低成本。但是3D技術(shù)之美在96層之后，還是可調(diào)的，所以未來可以看到兩個(gè)趨勢(shì)——更快速度的晶圓或者更大容量的存儲(chǔ)技術(shù)。

　　“其實(shí)在DRAM和NANDflash之間還有很大的價(jià)格和性能的調(diào)試空間，很多供應(yīng)商都想找到一個(gè)既能滿足性能又能滿足存儲(chǔ)要求的產(chǎn)品。對(duì)于未來市場會(huì)怎樣，哪種產(chǎn)品最終能夠贏得市場還有待實(shí)踐?！彼a(bǔ)充道。

　　技術(shù)不斷迭代的市場可以帶來更廣闊的應(yīng)用空間，但同時(shí)也面臨投資回報(bào)成本走高的難題。在前述峰會(huì)上，多名業(yè)內(nèi)人士有此感慨。

　　美光集團(tuán)副總裁DineshBahal就指出，到2021年，NANDflash市場bit(比特，信息量單位)需求總量將比2017年復(fù)合年均增長率達(dá)40%-45%，同時(shí)在企業(yè)級(jí)云端SSD(固態(tài)硬盤)、手機(jī)端和客戶級(jí)SSD方面，單個(gè)市場需求都將高于2017年的整體市場表現(xiàn)。

　　但他展示了一組數(shù)據(jù)，2006-2009年間，NANDflash的bit供應(yīng)增速可達(dá)130%-140%;而到了2011-2015年間，增速已常態(tài)化維持在40%-45%區(qū)間。這就帶來挑戰(zhàn)，2006-2015年的產(chǎn)業(yè)投入均處在相似水平，隨著年份增長，要實(shí)現(xiàn)同樣的bit供應(yīng)增速，投入的資金將越來越大，到2018年已需要250億美元，而2015年之前維持在平均100億美元水平。

　　群聯(lián)電子董事長潘健成也提到，NANDFlash市場很大，但主控芯片的需求卻成長有限，“比如1G用的是一個(gè)主控，100G也是一個(gè)主控，1000G還是一個(gè)主控。所以主控市場有沒有那么大?這是一個(gè)需要探討的問題?！痹趦r(jià)格下降的周期內(nèi)，主控廠商還要維持研發(fā)投入，尤其在驗(yàn)證的成本耗用方面尤其明顯，投資回報(bào)率的考驗(yàn)壓力越來越重。

　　為此，潘健成指出，群聯(lián)的做法是，所有環(huán)節(jié)內(nèi)部統(tǒng)一完成，并走定制化路線，作為上市公司，群聯(lián)每年都會(huì)維持一定的現(xiàn)金流額度。

　　5G時(shí)代的大存儲(chǔ)訴求

　　在5G為代表的大存儲(chǔ)訴求之下，閃存廠商也在通過新技術(shù)的演進(jìn)占據(jù)應(yīng)用市場賽道。

　　三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹分析道，存儲(chǔ)在5G時(shí)代要求會(huì)更高，包括數(shù)據(jù)中心、交通設(shè)施以及移動(dòng)端連接等方面，這導(dǎo)致數(shù)據(jù)流量上升，也需要更多的存儲(chǔ)解決方案。

　　目前NAND的應(yīng)用仍以SSD和嵌入式產(chǎn)品為主。據(jù)統(tǒng)計(jì)，以eMMC(嵌入式多媒體存儲(chǔ)卡)、UFS(通用閃存存儲(chǔ))為主的嵌入式產(chǎn)品，在2018年消耗全球總產(chǎn)能的43%，到2021年，NANDflash市場在SSD應(yīng)用領(lǐng)域的訴求年復(fù)合增長率將達(dá)45%。2018年，嵌入式產(chǎn)品和SSD產(chǎn)品合計(jì)消耗超過85%的全球總產(chǎn)能。

　　“過去30年電腦的架構(gòu)其實(shí)差不多，因?yàn)槭且訡PU為中心?？山裉斓拇鎯?chǔ)計(jì)算已經(jīng)改變，因?yàn)閿?shù)據(jù)中心的建立，其架構(gòu)是以存儲(chǔ)為中心不再是CPU。這考驗(yàn)的是如何讓比如手機(jī)端更快接觸到云端，而沒有時(shí)間差別，這就需要新的架構(gòu)。也代表未來將以存儲(chǔ)為主，我們?cè)诋a(chǎn)業(yè)中耕耘也很興奮?！被蹣s科技總經(jīng)理茍嘉章這樣向21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者解釋。

　　在當(dāng)下火熱的物聯(lián)網(wǎng)方面，ChristopherBergey表示，“我們認(rèn)為未來自動(dòng)駕駛會(huì)有更多SSD的需求，其實(shí)當(dāng)我們討論一個(gè)IoT產(chǎn)品會(huì)不會(huì)用到SSD的時(shí)候，更多考慮的是運(yùn)算能力。在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)這部分有更大容量需求的時(shí)候，SSD的應(yīng)用場景會(huì)比較顯著?！?/p>

　　其他應(yīng)用場景方面，西部數(shù)據(jù)嵌入集成方案產(chǎn)品市場總監(jiān)張丹向記者表示，閃存的應(yīng)用訴求將主要在于有互動(dòng)的場景中，包括互聯(lián)家庭、工業(yè)領(lǐng)域，當(dāng)前安防領(lǐng)域已經(jīng)爆發(fā)?！盎ヂ?lián)家庭場景應(yīng)用也談了好多年，今年重回人們的關(guān)注范疇，是因?yàn)榍岸酥餍酒\(yùn)算能力已經(jīng)足夠可以支撐更多功能。一個(gè)典型場景是智能音箱，包括很多基于傳感方式的IoT設(shè)備?！?/p>

　　在閃存應(yīng)用廣泛的手機(jī)市場，雖然當(dāng)前面臨成長瓶頸，但這并不影響閃存廠商的發(fā)展。

　　ChristopherBergey向記者分析道，雖然手機(jī)在數(shù)量上增加程度非常小，可是手機(jī)本身的內(nèi)存量一直在增加。我們?cè)谑袌錾系漠a(chǎn)品線，剛好還是在成長的階段。一些手機(jī)廠商也在用內(nèi)存的增多來多賺取利潤。

　　“同時(shí)，手機(jī)端的照相、攝影、游戲等功能，導(dǎo)致對(duì)存儲(chǔ)容量要求越來越大，部分手機(jī)已推出512GB內(nèi)存就是一個(gè)證明。我們的機(jī)會(huì)并不在于手機(jī)本身的數(shù)量，而是手機(jī)的支持輔助功能越多，會(huì)讓儲(chǔ)存的市場繼續(xù)增長?！彼缡钦f。

　　從技術(shù)迭代方面，ChristopherBergey還指出，在手機(jī)產(chǎn)品的使用場景中，eMMC和UFS已經(jīng)應(yīng)用在高端旗艦機(jī)中，UFS的使用率更高?！拔覀円部吹揭粋€(gè)趨勢(shì)，在最大量的中端手機(jī)產(chǎn)品中，有向使用UFS技術(shù)轉(zhuǎn)變的趨勢(shì)，所以預(yù)計(jì)在明年下半年，UFS就會(huì)漸漸變成一個(gè)市場的主流。實(shí)際上，不單在手機(jī)，應(yīng)用場景比如汽車、安防領(lǐng)域也會(huì)有，只不過在這些相對(duì)比較傳統(tǒng)的領(lǐng)域，主芯片的演進(jìn)并沒有像在手機(jī)里推動(dòng)那么快?！?/p>

　　裵容徹則預(yù)計(jì)，UFS存儲(chǔ)技術(shù)從2019年開始，會(huì)占據(jù)市場份額的20%以上。在NAND存儲(chǔ)密度上，到2030年可能達(dá)到185GB需求。