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          大容量時代:閃存市場競逐5G機遇

          —— 閃存市場競逐5G機遇 存儲容量驅(qū)動技術(shù)迭代
          作者: 時間:2018-09-29 來源:21世紀(jì)經(jīng)濟報道 收藏

            時代的漸行漸近。對消費群體而言,帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對于企業(yè)端尤其是大廠來說,則是新的機遇。在近日舉行的“中國市場峰會(CFMS20

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201809/392501.htm

            時代的漸行漸近。

            對消費群體而言,5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對于企業(yè)端尤其是大廠來說,則是新的機遇。

            在近日舉行的“中國閃存市場峰會(CFMS2018)”上,中國閃存市場總經(jīng)理邰煒表示,2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)1500億美元,其中NANDFlash(閃存存儲器)將超過570億美元,而中國消耗了全球產(chǎn)能的32%,意味著中國已是全球存儲產(chǎn)業(yè)中最為重要的市場。目前半導(dǎo)體存儲芯片廠商主要集中在美國、日本、韓國,中國也在快速發(fā)展。

            隨著5G、自動駕駛、AI等場景發(fā)展對存儲的需求大幅增加,閃存大廠都在存儲密度、堆疊技術(shù)等方面進(jìn)行迭代,同時,NANDflash價格的大幅下滑也令技術(shù)更新訴求更為迫切。

            集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心陳玠瑋向21世紀(jì)經(jīng)濟報道記者表示,NANDFlash市場自2018年起,已走向供應(yīng)過剩局面,直到5G時代的到來將會有所改善。對于最新的96層QLC技術(shù),他認(rèn)為到2020年上半年可實現(xiàn)量產(chǎn)。

            有業(yè)內(nèi)人士指出,雖然NAND市場整體規(guī)模持續(xù)增加,但對主控的需求成長有限;同時主控的研發(fā)力度持續(xù)不減,隨著技術(shù)深入迭代,其投入回報比也面臨壓力越來越大的難題。

            技術(shù)迭代遇上降價

            今年以來,NANDflash價格結(jié)束了過去兩年的上升態(tài)勢并轉(zhuǎn)跌,這一方面與關(guān)鍵閃存大廠此前的產(chǎn)能投入有關(guān),也與技術(shù)更新?lián)Q代息息相關(guān)。

            據(jù)中國閃存市場統(tǒng)計,2018年NANDflash綜合價格指數(shù)跌幅超過40%,同時年內(nèi)主要原廠產(chǎn)出的3DNAND已成為主流。從3DNAND占NANDflash整體產(chǎn)能比來看,最高者美光已達(dá)90%。

            邰煒指出,2018年新一輪投產(chǎn)即將開始,為了填補2016、2017年提升技術(shù)導(dǎo)致的產(chǎn)能空缺,并加大3D投產(chǎn),三星除了有全球最大的Fab18工廠以外、還有西安工程二期,包括東芝和西部數(shù)據(jù)合資的Fab6、Fab7等來看,市場供應(yīng)將會進(jìn)一步增加。“后續(xù)隨著技術(shù)提升和產(chǎn)能增加,價格還會進(jìn)一步下滑?!?/p>

            技術(shù)的迭代則顯示出,1TB時代很快將到來,最可見的表現(xiàn)便是在手機端應(yīng)用。據(jù)統(tǒng)計,今年上半年,NAND原廠的技術(shù)主要以量產(chǎn)64層TLC(三比特單元)為主,下半年部分原廠已經(jīng)轉(zhuǎn)為96層TLC或者64層QLC(四比特單元)?!澳壳皝砜?,大規(guī)模量產(chǎn)將集中在2019年上半年,量產(chǎn)容量基本是256GB或512GB,也有部分原廠采用64層QLC量產(chǎn)1TB技術(shù)比如美光,長江存儲也計劃明年量產(chǎn)64層TLC?!臂槺硎?。

            據(jù)介紹,目前NAND2D極限容量已從128GB上升到64層512GB,96層會以512GB過渡,技術(shù)成熟以后量產(chǎn)到1TB技術(shù)。隨著QLC的量產(chǎn),即使采用64層QLC也可以量產(chǎn)1T容量,這也意味著,TB時代的漸行漸近。

            西部數(shù)據(jù)Device部門產(chǎn)品營銷與管理高級副總裁ChristopherBergey則向媒體表示,96層意味著更大容量和更低成本。但是3D技術(shù)之美在96層之后,還是可調(diào)的,所以未來可以看到兩個趨勢——更快速度的晶圓或者更大容量的存儲技術(shù)。

            “其實在DRAM和NANDflash之間還有很大的價格和性能的調(diào)試空間,很多供應(yīng)商都想找到一個既能滿足性能又能滿足存儲要求的產(chǎn)品。對于未來市場會怎樣,哪種產(chǎn)品最終能夠贏得市場還有待實踐?!彼a充道。

            技術(shù)不斷迭代的市場可以帶來更廣闊的應(yīng)用空間,但同時也面臨投資回報成本走高的難題。在前述峰會上,多名業(yè)內(nèi)人士有此感慨。

            美光集團(tuán)副總裁DineshBahal就指出,到2021年,NANDflash市場bit(比特,信息量單位)需求總量將比2017年復(fù)合年均增長率達(dá)40%-45%,同時在企業(yè)級云端SSD(固態(tài)硬盤)、手機端和客戶級SSD方面,單個市場需求都將高于2017年的整體市場表現(xiàn)。

            但他展示了一組數(shù)據(jù),2006-2009年間,NANDflash的bit供應(yīng)增速可達(dá)130%-140%;而到了2011-2015年間,增速已常態(tài)化維持在40%-45%區(qū)間。這就帶來挑戰(zhàn),2006-2015年的產(chǎn)業(yè)投入均處在相似水平,隨著年份增長,要實現(xiàn)同樣的bit供應(yīng)增速,投入的資金將越來越大,到2018年已需要250億美元,而2015年之前維持在平均100億美元水平。

            群聯(lián)電子董事長潘健成也提到,NANDFlash市場很大,但主控芯片的需求卻成長有限,“比如1G用的是一個主控,100G也是一個主控,1000G還是一個主控。所以主控市場有沒有那么大?這是一個需要探討的問題。”在價格下降的周期內(nèi),主控廠商還要維持研發(fā)投入,尤其在驗證的成本耗用方面尤其明顯,投資回報率的考驗壓力越來越重。

            為此,潘健成指出,群聯(lián)的做法是,所有環(huán)節(jié)內(nèi)部統(tǒng)一完成,并走定制化路線,作為上市公司,群聯(lián)每年都會維持一定的現(xiàn)金流額度。

            5G時代的大存儲訴求

            在5G為代表的大存儲訴求之下,閃存廠商也在通過新技術(shù)的演進(jìn)占據(jù)應(yīng)用市場賽道。

            三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹分析道,存儲在5G時代要求會更高,包括數(shù)據(jù)中心、交通設(shè)施以及移動端連接等方面,這導(dǎo)致數(shù)據(jù)流量上升,也需要更多的存儲解決方案。

            目前NAND的應(yīng)用仍以SSD和嵌入式產(chǎn)品為主。據(jù)統(tǒng)計,以eMMC(嵌入式多媒體存儲卡)、UFS(通用閃存存儲)為主的嵌入式產(chǎn)品,在2018年消耗全球總產(chǎn)能的43%,到2021年,NANDflash市場在SSD應(yīng)用領(lǐng)域的訴求年復(fù)合增長率將達(dá)45%。2018年,嵌入式產(chǎn)品和SSD產(chǎn)品合計消耗超過85%的全球總產(chǎn)能。

            “過去30年電腦的架構(gòu)其實差不多,因為是以CPU為中心??山裉斓拇鎯τ嬎阋呀?jīng)改變,因為數(shù)據(jù)中心的建立,其架構(gòu)是以存儲為中心不再是CPU。這考驗的是如何讓比如手機端更快接觸到云端,而沒有時間差別,這就需要新的架構(gòu)。也代表未來將以存儲為主,我們在產(chǎn)業(yè)中耕耘也很興奮。”慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章這樣向21世紀(jì)經(jīng)濟報道記者解釋。

            在當(dāng)下火熱的物聯(lián)網(wǎng)方面,ChristopherBergey表示,“我們認(rèn)為未來自動駕駛會有更多SSD的需求,其實當(dāng)我們討論一個IoT產(chǎn)品會不會用到SSD的時候,更多考慮的是運算能力。在數(shù)據(jù)存儲這部分有更大容量需求的時候,SSD的應(yīng)用場景會比較顯著?!?/p>

            其他應(yīng)用場景方面,西部數(shù)據(jù)嵌入集成方案產(chǎn)品市場總監(jiān)張丹向記者表示,閃存的應(yīng)用訴求將主要在于有互動的場景中,包括互聯(lián)家庭、工業(yè)領(lǐng)域,當(dāng)前安防領(lǐng)域已經(jīng)爆發(fā)?!盎ヂ?lián)家庭場景應(yīng)用也談了好多年,今年重回人們的關(guān)注范疇,是因為前端主芯片運算能力已經(jīng)足夠可以支撐更多功能。一個典型場景是智能音箱,包括很多基于傳感方式的IoT設(shè)備?!?/p>

            在閃存應(yīng)用廣泛的手機市場,雖然當(dāng)前面臨成長瓶頸,但這并不影響閃存廠商的發(fā)展。

            ChristopherBergey向記者分析道,雖然手機在數(shù)量上增加程度非常小,可是手機本身的內(nèi)存量一直在增加。我們在市場上的產(chǎn)品線,剛好還是在成長的階段。一些手機廠商也在用內(nèi)存的增多來多賺取利潤。

            “同時,手機端的照相、攝影、游戲等功能,導(dǎo)致對存儲容量要求越來越大,部分手機已推出512GB內(nèi)存就是一個證明。我們的機會并不在于手機本身的數(shù)量,而是手機的支持輔助功能越多,會讓儲存的市場繼續(xù)增長?!彼缡钦f。

            從技術(shù)迭代方面,ChristopherBergey還指出,在手機產(chǎn)品的使用場景中,eMMC和UFS已經(jīng)應(yīng)用在高端旗艦機中,UFS的使用率更高?!拔覀円部吹揭粋€趨勢,在最大量的中端手機產(chǎn)品中,有向使用UFS技術(shù)轉(zhuǎn)變的趨勢,所以預(yù)計在明年下半年,UFS就會漸漸變成一個市場的主流。實際上,不單在手機,應(yīng)用場景比如汽車、安防領(lǐng)域也會有,只不過在這些相對比較傳統(tǒng)的領(lǐng)域,主芯片的演進(jìn)并沒有像在手機里推動那么快?!?/p>

            裵容徹則預(yù)計,UFS存儲技術(shù)從2019年開始,會占據(jù)市場份額的20%以上。在NAND存儲密度上,到2030年可能達(dá)到185GB需求。



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