西部數(shù)據(jù)推出96層3D NAND UFS 2.1嵌入式閃存盤，定位高端智能手機

        西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ：WDC）今天推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤（EFD）-西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321，旨在加速實現(xiàn)人工智能（AI）、增強現(xiàn)實（AR）、支持多個攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機及計算設(shè)備的高要求應(yīng)用。

<西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤>

       新款西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤采用了西部數(shù)據(jù)公司的96層3D NAND技術(shù)、先進的UFS 2.1接口技術(shù)及西部數(shù)據(jù)公司的iNAND SmartSLC 5.1架構(gòu)，能夠為智能手機、平板電腦和PC筆記本電腦設(shè)備提供卓越的數(shù)據(jù)性能，而且即使設(shè)備接近滿負荷運行，也能實現(xiàn)出色的移動體驗。

<西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤>

       西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場高級總監(jiān)Oded Sagee表示：“移動設(shè)備已成為我們?nèi)粘；ヂ?lián)生活的中心。隨著面向5G速度、4K視頻、AR和VR的新興功能不斷提升智能手機、平板電腦和筆記本電腦的能力，用戶對設(shè)備的期望，以及支持這些日益豐富用戶體驗的技術(shù)需求也在水漲船高。我們的3D NAND技術(shù)使得用戶能夠獲得更高的內(nèi)置存儲容量，從而支持其整個智能手機生命周期對數(shù)據(jù)的需求。同時，在傳統(tǒng)存儲架構(gòu)下，設(shè)備的性能通常會隨著容量的消耗而逐漸降低，而西部數(shù)據(jù)公司的iNAND MC EU321 EFD專門用于高性能運轉(zhuǎn)的維持，使用戶能夠始終自如地創(chuàng)建、保存和享受他們的數(shù)字體驗?！?/p>

       < 由左至右：桌卡： 西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場部副總裁-朱海翔，西部數(shù)據(jù)公司嵌入式及集成解決方案(EIS) 產(chǎn)品市場總監(jiān)-包繼紅以及西部數(shù)據(jù)公司高級副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理-Steven Craig >

       隨著更多以數(shù)據(jù)為中心的功能出現(xiàn)在手機和計算設(shè)備上，預(yù)計移動數(shù)據(jù)的數(shù)量、速度和種類將在未來幾年內(nèi)將有所飆升。

       ?具有多個高分辨率相機和AI輔助攝影功能的移動攝影和視頻為用戶提供了用于創(chuàng)建和共享其數(shù)字內(nèi)容的新功能。

       ?5G網(wǎng)絡(luò)將實現(xiàn)高速的下載和傳輸速度，從而改變消費者與其設(shè)備和內(nèi)容交互的方式。

       ?“終端”移動設(shè)備上5G支持的AI提供了實時獲取、處理和學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)的能力。

       分析機構(gòu)Counterpoint Research指出，NAND閃存容量將在2017-2021迎來健康的28%復(fù)合年增長率。這個增長主要來自成熟的平板用戶升級到大屏、高容量、并具有更強大功能和連接性的產(chǎn)品，因為娛樂和移動生產(chǎn)力講成為主要的應(yīng)用場景。

       這些數(shù)據(jù)密集型的應(yīng)用程序都需要更高的容量和速度，以期為消費者提供理想的移動設(shè)備體驗。2018年自然年上半年，智能手機總出貨的內(nèi)置存儲容量相比起2017自然年上半年同比增加了40%，相當(dāng)于每臺手機51GB ，從而增加了對更高容量和更智能存儲技術(shù)的需求。

針對數(shù)據(jù)密集型的高端移動設(shè)備進行了優(yōu)化

       iNAND MC EU321是iNAND系列的新成員，該系列十多年來一直受到全球所有主要智能手機和平板制造商的信賴。              iNAND MC EU321 EFD可提供高達550MB/s的連續(xù)寫入性能，從而實現(xiàn)卓越的用戶體驗。西部數(shù)據(jù)公司目前正在就容量高達256GB 的存儲解決方案在OEM中開展測試。