國內(nèi)廠商在存儲(chǔ)行業(yè)緊鑼密鼓，有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”

　　相信所有人對(duì)“存儲(chǔ)器”這個(gè)名詞一點(diǎn)都不陌生，因?yàn)樗械碾娮赢a(chǎn)品都必須用到存儲(chǔ)器，且通常用到不只一種存儲(chǔ)器，說它是一種“戰(zhàn)略物資”也不為過。

　　存儲(chǔ)器：DRAM和NAND

　　存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中，它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備，有了存儲(chǔ)器，計(jì)算機(jī)才有記憶功能，才能保證正常工作。隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起，對(duì)于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加，目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流。

　　DRAM,即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間，為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。

　　NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。

　　韓國是全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的主流廠商

　　市場(chǎng)對(duì)DRAM和NAND的需求很多，包括來自數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)、汽車、智能家電及智能城市等龐大需求。而全球主要內(nèi)存芯片供貨商的門坎很高，哪怕經(jīng)歷了幾十年的起伏，市場(chǎng)也一直被三星、SK海力士等廠商主導(dǎo)，并已經(jīng)形成壟斷局面。

　　有調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，截至今年第三季度，韓國芯片巨頭三星在DRAM和NAND閃存市場(chǎng)繼續(xù)保持著統(tǒng)治優(yōu)勢(shì)，這主要是因?yàn)轫n國本土券商集體看好芯片業(yè)務(wù)給三星電子業(yè)績帶來的推動(dòng)作用。

　　報(bào)告顯示，按照營收計(jì)算，三星電子第三季度占據(jù)了全球DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)44.5%的份額;另一家韓國廠商SK海力士緊隨其后，市場(chǎng)份額達(dá)到27.9%。美國存儲(chǔ)芯片制造商美光科技在該榜單中位居第三，市場(chǎng)份額達(dá)到22.9%;中國臺(tái)灣的南亞科技位居第四，市場(chǎng)份額為2.2%。

　　雖然全球芯片市場(chǎng)將在不久后失去熱度，但隨著帶有人工智能和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)產(chǎn)品的不斷上市，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的需求仍將會(huì)繼續(xù)上漲。與中國芯片制造商相比，韓國的三星電子和SK海力士仍在不斷提升技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，上述兩家公司在未來仍將是全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的主流廠商。

　　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)走寒，遭遇困境

　　隨著近兩年內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)的迅猛發(fā)展，已逐步呈現(xiàn)“衰落”之勢(shì)，因NAND閃存芯片價(jià)格自2017年第四季已開始反轉(zhuǎn)，且DRAM內(nèi)存芯片在2018年首季之后的供需動(dòng)態(tài)能見度已經(jīng)下滑。2017年DRAM價(jià)格上漲超過四成，同期NAND的價(jià)格漲幅也近四成。NAND的主要市場(chǎng)為PC機(jī)內(nèi)存和手機(jī)內(nèi)存，DRAM需求逐漸趨緩，庫存、定價(jià)壓力與日俱增，而NAND閃存供過于求，價(jià)格將進(jìn)一步走低。

　　今年第一和第二季度，DRAM依然持上漲之勢(shì)，三星、SK海力士和美光等廠商也都先后宣布了擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。但最近局面似乎有所轉(zhuǎn)變，存儲(chǔ)器價(jià)格走低，一方面是PC、移動(dòng)設(shè)備和數(shù)據(jù)中心這三大應(yīng)用產(chǎn)品的需求動(dòng)能在過去幾周明顯趨緩，這恐怕會(huì)讓第三季度報(bào)價(jià)一路走低。另一方面，由于需求降溫的關(guān)系，三星電子、SK 海力士的庫存也在增加。表現(xiàn)在DRAM層面，由于三星、SK海力士增產(chǎn)的影響，預(yù)估2018年、2019年的DRAM供給量將分別上揚(yáng)20%、20-25%。這將為市場(chǎng)帶來壓力，而需求也將相對(duì)收縮，外資相繼調(diào)降美光目標(biāo)價(jià)。

　　NAND遭遇了同樣困境。根據(jù)下半年智能手機(jī)市場(chǎng)出貨表現(xiàn)將相對(duì)疲弱，NAND閃存的供給過剩情況將日益惡化。因而有業(yè)內(nèi)人士分析稱2019年上半年NAND價(jià)格將重挫，目前的存儲(chǔ)定價(jià)周期與2014年末到2015年初情況相似，當(dāng)時(shí)也出現(xiàn)存儲(chǔ)器需求大跌的狀況。

　　三星、海力士發(fā)力，價(jià)格戰(zhàn)一觸即發(fā)

　　近日，有韓媒指出，今年第一季三星電子和SK海力士(SK Hynix)的半導(dǎo)體庫存雙雙創(chuàng)下新高，滿坑滿谷的記憶體賣不動(dòng)，三星或許因此殺紅了眼。

　　今年Q1季末，三星電子的半導(dǎo)體庫存達(dá)7.4萬億韓元，寫下同季歷史新高。SK海力士的半導(dǎo)體庫存為2.2萬億韓元，更創(chuàng)下該公司史上之最。一般而言，企業(yè)都趕在新年之前盡量消化庫存，Q4應(yīng)是出貨旺季，但Q4庫存增加速度之快，幾乎前所未見。

　　三星半導(dǎo)體庫存連年提高，近來更急速成長。今年Q1超越7萬億韓元，和去年同期相比，Q1庫存飆升了1.7萬億韓元。主要原因應(yīng)是記憶體買氣驟減，Q1三星記憶體部門營收年減3，700萬億韓元。

　　與此同時(shí)，常理上SK海力士的庫存大都在1.5萬億韓元以下，不料去年年底突然暴增至1.9萬億韓元，今年Q1又一舉突破2萬億韓元。SK海力士的庫存資產(chǎn)占總資產(chǎn)比重一路攀升，庫存爆滿，其主要問題是記憶體前景欠佳，需求仍淡，業(yè)者可能會(huì)啟動(dòng)更激烈的殺價(jià)戰(zhàn)，出清庫存。

　　記憶體業(yè)凄慘，又有新技術(shù)出來搶市場(chǎng)，前景更為黯淡。日前，有媒體報(bào)導(dǎo)，“相變化記憶體”因成本太高，智慧機(jī)等行動(dòng)裝置無法采納，過去15年來一直應(yīng)用在光碟片等科技產(chǎn)品。然而，IBM現(xiàn)在不但降低了成本，還想出新的方法，可在每個(gè)記憶單位中儲(chǔ)存3位元資訊、即使周遭溫度較高也毫無障礙，未來可能會(huì)讓記憶體領(lǐng)域出現(xiàn)巨變。

　　三星趁著對(duì)手SK海力士、美光轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米不順之際，增產(chǎn)搶市占，意圖趕盡殺絕，DRAM恐怕只剩三星一家獨(dú)活。

　　韓媒在4月網(wǎng)站兩篇報(bào)導(dǎo)指出，制程微縮難度高，美光和SK海力士都在20nm遇到瓶頸，原先預(yù)期記憶體產(chǎn)出將因此大減，沒想到三星在一旁虎視眈眈，趁著對(duì)手碰壁時(shí)，奪取市占。DRAM僅剩三大廠，通常產(chǎn)業(yè)整合后，大家會(huì)較為節(jié)制，結(jié)果三星非但沒松手，還想把DRAM市占從當(dāng)前的40%、提高至近50%。

　　國產(chǎn)存儲(chǔ)器加緊布局，有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”

　　這是一個(gè)得存儲(chǔ)器者得天下的時(shí)代。存儲(chǔ)器被普遍稱為“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的皇冠”。如今正成為手機(jī)、電腦等產(chǎn)品硬件配置升級(jí)的重要賣點(diǎn)。同時(shí)，漲價(jià)侵蝕著原本競(jìng)爭(zhēng)激烈、利潤微薄的智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)，一路打價(jià)格戰(zhàn)的智能手機(jī)企業(yè)橫迎來史上首次漲價(jià)潮。

　　存儲(chǔ)器漲價(jià)從2016年下半年開始，到2017年DRAM價(jià)格漲幅將達(dá)到39%，NAND漲幅也將達(dá)到25%。這是由于需求增長和供給收縮。主要由于以三星、海力士為代表的企業(yè)正投入一場(chǎng)存儲(chǔ)器創(chuàng)新競(jìng)賽，將2DNANDFlash轉(zhuǎn)移至三維閃存3DNANDFlash的技術(shù)革命，以及國產(chǎn)品牌手機(jī)出貨量持續(xù)增長，新一代iPhone產(chǎn)品推出，存儲(chǔ)器產(chǎn)能正被大量消耗導(dǎo)致產(chǎn)能增長放緩。

　　國內(nèi)存儲(chǔ)器目前主要依靠進(jìn)口，根據(jù)數(shù)據(jù)，我國每年進(jìn)口的存儲(chǔ)器金額約為600億美元。為此，國家下定決心發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)。在這樣的格局中，國家已經(jīng)下定決心發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭。

　　國產(chǎn)存儲(chǔ)器正在南京、武漢、晉江三地建構(gòu)著三足鼎立之勢(shì)，2016年7月，紫光控股、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)和湖北省科技投資集團(tuán)共同出資240億美元成立了長江存儲(chǔ)。長江存儲(chǔ)主要從事3DNANDFlash的芯片與制造，旗下?lián)碛腥Y子公司武漢新芯。武漢新芯成立于2006年，2008年開始量產(chǎn)，擁有12英寸集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力，其閃存與影像傳感器制造技術(shù)位居世界前列，并且布局了物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，同時(shí)從事SOC、三維集成、MCU平臺(tái)等工藝技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn)。

　　在全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵時(shí)刻，不知中國企業(yè)能夠也能開拓出一片屬于自己的市場(chǎng)。中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)起步較晚，我國作為全球最重要的存儲(chǔ)器市場(chǎng)，在國家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭，有望實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”，在全球競(jìng)爭(zhēng)中占有一席之地。