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          內(nèi)存芯片高增長(zhǎng)到頭了?三星營(yíng)收破紀(jì)錄后削減開(kāi)支

          作者: 時(shí)間:2018-11-01 來(lái)源:澎湃新聞(上海) 收藏

            韓國(guó)IT巨頭三星電子(Samsung Electronics)在交出了一份創(chuàng)紀(jì)錄的業(yè)績(jī)后,卻宣布將削減開(kāi)支。有觀點(diǎn)認(rèn)為,持續(xù)兩年的熱潮已經(jīng)結(jié)束。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201811/393693.htm

            10月31日,三星發(fā)布了2018年第三季度財(cái)報(bào),公司的利潤(rùn)和收入大漲,打破歷史記錄。據(jù)CNBC當(dāng)天報(bào)道,在截至9月底的第三季度中,三星的利潤(rùn)達(dá)到了破紀(jì)錄的17.57萬(wàn)億韓元(約155億美元),比去年同期增長(zhǎng)了21%。合并季度收入達(dá)65.46萬(wàn)億韓元,比去年同期增長(zhǎng)了5.5%。

            三星稱(chēng),此次業(yè)績(jī)受產(chǎn)品的強(qiáng)勁銷(xiāo)售和產(chǎn)量提高所提振,這些產(chǎn)品主要用于智能手機(jī)和數(shù)據(jù)中心。另外,主要客戶(hù)對(duì)OLED顯示屏面板的更高需求也推動(dòng)了業(yè)績(jī)。

            但展望后市,三星表示,公司整體營(yíng)收都會(huì)隨著半導(dǎo)體需求的季節(jié)性減少而下降。

            據(jù)路透社10月31日?qǐng)?bào)道,三星稱(chēng),由于市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存的低需求和年終假日季智能手機(jī)的營(yíng)銷(xiāo)費(fèi)用增加,預(yù)計(jì)第四季度盈利將環(huán)比下滑。三星還提到,“展望2019,由于季節(jié)性因素,2019年第一季度的盈利將會(huì)疲軟,但隨著商業(yè)環(huán)境尤其是內(nèi)存市場(chǎng)的改善,盈利將會(huì)增強(qiáng)。”

            為此,三星宣布,將把年內(nèi)的資本支出削減超過(guò)四分之一,其2018年的資本支出將會(huì)比去年破紀(jì)錄的43.4萬(wàn)億韓元下降27%,至31.8萬(wàn)億韓元(280億美元)。

            而且,三星還警告投資者,公司下個(gè)季度利潤(rùn)將會(huì)下降。路透社認(rèn)為,這意味著全球市場(chǎng)高速增長(zhǎng)期的結(jié)束。

            有分析師表示,由于一些內(nèi)存芯片的價(jià)格已經(jīng)降至超過(guò)兩年以來(lái)的低位,加之競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手將明年啟動(dòng)新的生產(chǎn)線,對(duì)三星來(lái)說(shuō),減少資本支出將減輕對(duì)內(nèi)存芯片供應(yīng)量增長(zhǎng)和價(jià)格下降的擔(dān)憂(yōu)。

            HI投資證券公司分析師Song Myung-sup介紹,“東芝(Toshiba)的新生產(chǎn)線將會(huì)啟動(dòng),SK海力士(Hynix)也啟動(dòng)了大規(guī)模生產(chǎn)的其中一條閃存生產(chǎn)線。閃存芯片(NAND)的價(jià)格到明年上半年都會(huì)繼續(xù)下降,供給過(guò)剩仍會(huì)繼續(xù)?!?/p>

            三星試圖平息投資者對(duì)芯片市場(chǎng)急速下滑的擔(dān)憂(yōu),表示由于世界云數(shù)據(jù)服務(wù)的增長(zhǎng)迅速,市場(chǎng)對(duì)服務(wù)器的需求強(qiáng)勁。

            三星內(nèi)存市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)副總裁Chun Sewon告訴分析師,“短期的價(jià)格變化總是會(huì)有,但從根本上說(shuō),我們內(nèi)存的需求基礎(chǔ)非常強(qiáng)勁?!彼€表示,公司相信,現(xiàn)在正是服務(wù)器行業(yè)中芯片銷(xiāo)售的“良性上升周期的開(kāi)始”。

            三星還表示,公司正在考慮2019年將一部分閃存(NAND)生產(chǎn)線轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DRAM芯片(內(nèi)存芯片),不在閃存芯片產(chǎn)量過(guò)剩的情況下增加產(chǎn)能。



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