發(fā)展第三代半導(dǎo)體，別讓基礎(chǔ)研究成“絆腳石”

　　“寬禁帶半導(dǎo)體就像一個(gè)小孩，還沒長好就被拉到市場上去應(yīng)用。”在11月8日至9日召開的香山科學(xué)會議上，中科院院士、中科院半導(dǎo)體所研究員夏建白打的比方引起不少與會專家的共鳴。

　　夏建白所說的寬禁帶半導(dǎo)體又被稱為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、金剛石等材料是其主要代表。

　　如果說以硅為代表的第一代半導(dǎo)體是集成電路的基石，第二代半導(dǎo)體如砷化鎵促成了信息高速公路的崛起的話，那么第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)正在成為搶占下一代信息技術(shù)、節(jié)能減排及國防安全制高點(diǎn)的最佳途徑之一，是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內(nèi)容。

　　現(xiàn)在的問題是，快速發(fā)展的第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)，特別是深紫外發(fā)光和激光領(lǐng)域被基礎(chǔ)研究絆住了腳。

　　上帝的禮物還是難題?

　　如果你依然對第三代半導(dǎo)體材料感到陌生，可以抬頭看看家中無處不在的LED(發(fā)光二極管)燈。

　　氮化鎵基藍(lán)光LED的發(fā)明使高效白光LED照明得以實(shí)現(xiàn)，引起了人類照明光源的又一次革命。日本科學(xué)家赤崎勇、天野浩和美籍日裔科學(xué)家中村修二也因該工作獲得了2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。

　　北京大學(xué)物理學(xué)院教授沈波說，氮化鎵基藍(lán)光LED的發(fā)明就像“上帝的禮物”降臨人間，然而隨著相關(guān)應(yīng)用快速推向市場，人們逐漸發(fā)現(xiàn)，這個(gè)禮物里藏著很多難題。

　　難題何來?

　　夏建白告訴記者，第一代半導(dǎo)體硅經(jīng)過幾十年的發(fā)展，產(chǎn)業(yè)發(fā)展和基礎(chǔ)研究齊頭并進(jìn)，基礎(chǔ)扎實(shí)。相比之下，日本人開始研究第三代半導(dǎo)體時(shí)，很多人認(rèn)為氮化鎵材料的缺陷太多，難以做成高效光電器件。沒想到日本竟然把藍(lán)光LED做出來了，緊跟著就是市場的快速爆發(fā)。

　　“市場發(fā)展非?？欤A(chǔ)研究卻跟不上了。”夏建白說，這是目前第三代半導(dǎo)體發(fā)展面臨的困境。

　　中科院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員劉可為把氮化鎵基藍(lán)光LED的發(fā)明比作做蛋糕。蛋糕做出來了，它的美味得到市場認(rèn)可，但其中很多原理卻不太清楚，因此當(dāng)市場需要更美味的蛋糕時(shí)，遇到了麻煩。

市場倒逼基礎(chǔ)研究加速

　　氮化鎵基藍(lán)光LED僅僅是一個(gè)開端，第三代半導(dǎo)體的確有潛力做出更大、更美味的蛋糕。

　　“第三代半導(dǎo)體材料除具有優(yōu)異的光電特性外，還具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)、介電常數(shù)低等優(yōu)越性能?！敝锌圃洪L春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員申德振介紹，因此它們在短波發(fā)光、激光、探測等光電子器件和高溫、高壓、高頻大功率的電子電力器件領(lǐng)域有廣闊應(yīng)用前景。

　　其用武之地不勝枚舉：在節(jié)能電力電子領(lǐng)域，有半導(dǎo)體照明、智能電網(wǎng)、高速列車等;在信息工程領(lǐng)域，有可見光通訊、海量光存儲、高速計(jì)算等;在國防建設(shè)領(lǐng)域，有紫外探測器、微波器件等。

　　以發(fā)光和激光領(lǐng)域?yàn)槔?，申德振介紹，第三代半導(dǎo)體在高性能的紫外、深紫外發(fā)光和激光在生化探測、殺菌消毒、精密光刻、高精密激光加工等領(lǐng)域有重大應(yīng)用價(jià)值。

　　“但在藍(lán)光之后，想將第三代半導(dǎo)體往波長更短的紫外、深紫外發(fā)光和激光方向應(yīng)用時(shí)，卻發(fā)現(xiàn)還有很多重大的科學(xué)問題尚待解決?！眲⒖蔀檎f，這些重大的科學(xué)問題包括第三代半導(dǎo)體的P型摻雜、第三代半導(dǎo)體的點(diǎn)缺陷問題以及大尺寸、高精度的襯底制備技術(shù)等。

　　可以說，市場應(yīng)用在倒逼基礎(chǔ)研究加快進(jìn)度。

　　劉可為告訴記者，僅就藍(lán)光LED而言，目前國內(nèi)產(chǎn)業(yè)規(guī)模巨大，核心專利和技術(shù)集中在日本和美國。但整體而言，國內(nèi)外對第三代半導(dǎo)體的基礎(chǔ)研究都相對薄弱。

　　“我國應(yīng)加大在第三代半導(dǎo)體紫外、深紫外發(fā)光和激光等領(lǐng)域的投入，解決該領(lǐng)域的核心科學(xué)和技術(shù)難題，爭取擁有更多具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)?！鄙甑抡裾f。