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          真空管這50年的旅程,竟和摩爾定律意外重疊

          作者: 時(shí)間:2019-02-11 來源:與非網(wǎng) 收藏
          編者按:真空管的改進(jìn)不在于小型化,而在于功率密度的提升。自1971年第一個(gè)微處理器問世以來,已經(jīng)走過了四十八個(gè)年頭。在這段時(shí)間里,可以塞進(jìn)芯片內(nèi)的電子元件的數(shù)量增加了整整七個(gè)數(shù)量級(jí),這種提升速度相當(dāng)于晶體管數(shù)量每隔兩年翻一番。

            的改進(jìn)不在于小型化,而在于功率密度的提升。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201902/397438.htm

            自1971年第一個(gè)微處理器問世以來,已經(jīng)走過了四十八個(gè)年頭。在這段時(shí)間里,可以塞進(jìn)芯片內(nèi)的電子元件的數(shù)量增加了整整七個(gè)數(shù)量級(jí),這種提升速度相當(dāng)于晶體管數(shù)量每隔兩年翻一番。

            你可能認(rèn)為,只有半導(dǎo)體芯片的晶體管密度保持了這樣神奇的改進(jìn)記錄,其實(shí),電子器件的性能改進(jìn)也同樣驚人,只是它改進(jìn)的關(guān)鍵指標(biāo)和半導(dǎo)體器件有所不同罷了。

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            二極管是最簡(jiǎn)單的形式,它是由約翰·A·弗萊明于1904年發(fā)明的。短短三年之后,電子管之父李德弗雷斯特發(fā)明了三極管,到了二十世紀(jì)二十年代,他又發(fā)明了四極管和五極管。這些“網(wǎng)格”形式的電子管使用網(wǎng)格中的電壓從一個(gè)電子源中調(diào)制出電流。對(duì)磁控管-另一種通過磁場(chǎng)擠壓電子產(chǎn)生微波的真空管-的研究催生了1935年在該領(lǐng)域的頭號(hào)專利,并促成了英國在1940年首次進(jìn)行的雷達(dá)部署。首先應(yīng)用在雷達(dá)中,后來在衛(wèi)星通信和高能物理領(lǐng)域得到推廣應(yīng)用的速調(diào)管在1937年申請(qǐng)了專利,之后,到了二十世紀(jì)六十年代中期,蘇聯(lián)首次發(fā)明了微波,它可以產(chǎn)生毫米波功率,用于加熱材料和等離子體。

            這幾代真空管的功率密度取得了突飛猛進(jìn)的進(jìn)步,它表述的是通過器件傳輸?shù)淖畲蠊β实母拍?,最大傳輸功率和電路橫截面積成正比,和工作頻率成反比。1960年,時(shí)任RCA微波研究實(shí)驗(yàn)室主任一職的Leon Nergaard提出,將平均功率密度作為比較真空管不同代際器件性能增長(zhǎng)的品質(zhì)因數(shù)。四十年后,Victor L. Granatstein、Robert K. Parker和Carter M. Armstrong在1999年5月的IEEE會(huì)議論文中估計(jì)功率密度已經(jīng)達(dá)到兆瓦和千兆赫乘積的數(shù)量級(jí)。

            這些研究人員展示了真空管的數(shù)次連續(xù)創(chuàng)新浪潮:早期真空管的功率密度很快被磁控管的功率密度所超越,然后又被速調(diào)管的功率密度超過,最后,在二十世紀(jì)七十年代,它們又被回旋振蕩器和自由電子激光器的功率密度革了命。每一代器件家族都遵循了正常的生長(zhǎng)消亡曲線,即它們都在遷移到下一代產(chǎn)品之前達(dá)到了其物理極限。

            從二十世紀(jì)三十年代中期到六十年代后期,網(wǎng)格形式真空管(三極管和更高極管)的最大功率密度增加了四個(gè)數(shù)量級(jí)。在同樣一段時(shí)期內(nèi),腔體磁控管和交叉場(chǎng)放大器的功率密度提高了五個(gè)數(shù)量級(jí)。在1944年到1974年之間,速調(diào)管的最大功率密度增加了六個(gè)數(shù)量級(jí)。二十世紀(jì)六十年代到2000年之間,微波和自由電子激光器的最大功率密度指標(biāo)也取得了同樣的進(jìn)步。

            如果在半對(duì)數(shù)坐標(biāo)圖上繪制真空管器件的整個(gè)生長(zhǎng)曲線序列,則可以發(fā)現(xiàn),曲線的包絡(luò)形成一條直線,大概每十年增加近1.5個(gè)數(shù)量級(jí)。我初次看到這張圖表時(shí),馬上意識(shí)到真空管功率密度的上升速度非常接近于所指出的增長(zhǎng)率,并且通過一個(gè)簡(jiǎn)單的計(jì)算證實(shí)了這個(gè)速度判斷。在1935年到2000年之間,這條直線包絡(luò)線的年復(fù)合平均上升幅度表明,真空電子管器件的最大功率密度的年度增長(zhǎng)率正好幾乎相當(dāng)于35% - 基本上與1965年后半導(dǎo)體芯片上晶體管密度的年復(fù)合平均增長(zhǎng)率相同。

            需要指出的是,真空管和集成電路的增長(zhǎng)包絡(luò)線反映的是不同的品質(zhì)因數(shù)。不過,值得注意的是,真空管在功率密度上的改進(jìn)速度和集成電路在晶體管密度上的提升速度一樣快,這種規(guī)律早在1965年戈登·摩爾以的形式針對(duì)集成電路定義下來之前就一直在發(fā)揮著作用了。



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